无机材料的晶体结构与缺陷学习教案.pptx
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1、无机无机(wj)材料的晶体结构与缺陷材料的晶体结构与缺陷第一页,共42页。氯化钠的晶体结构氯化钠的晶体结构氯化钠的晶体结构氯化钠的晶体结构2.4鲍林鲍林(boln)(Pauling)规则)规则多数无机材料属于离子晶体,是由正、负离子构成。由于负离子半径一般较大,所以通常可认为负离子堆积形成配位多面体空隙,正离子处在负离子多面体空隙中。多数无机材料属于离子晶体,是由正、负离子构成。由于负离子半径一般较大,所以通常可认为负离子堆积形成配位多面体空隙,正离子处在负离子多面体空隙中。鲍林鲍林(boln)规则概括总结了离子晶体中围绕正离子堆积的负离子配位多面体的性质和相互连接规律。规则概括总结了离子晶体
2、中围绕正离子堆积的负离子配位多面体的性质和相互连接规律。第1页/共42页第二页,共42页。在离子晶体中,正离子的周围形成一个负离子配位多面体,正负离子间在离子晶体中,正离子的周围形成一个负离子配位多面体,正负离子间在离子晶体中,正离子的周围形成一个负离子配位多面体,正负离子间在离子晶体中,正离子的周围形成一个负离子配位多面体,正负离子间的平衡的平衡的平衡的平衡(pnghng)(pnghng)距离取决于离子半径之和,正离子的配位数取决于正距离取决于离子半径之和,正离子的配位数取决于正距离取决于离子半径之和,正离子的配位数取决于正距离取决于离子半径之和,正离子的配位数取决于正负离子的半径比。负离子
3、的半径比。负离子的半径比。负离子的半径比。第一规则第一规则(guz)(负离子配位多面体规则(负离子配位多面体规则(guz))此规则指明了围绕此规则指明了围绕(wiro)着正离子的负子配位多面体的性质。着正离子的负子配位多面体的性质。第2页/共42页第三页,共42页。离子半径比离子半径比R+/R-R+/R-与配位与配位(pi wi)(pi wi)数的关系数的关系 正离子正离子配位数配位数空隙(配位多面空隙(配位多面体)构型体)构型半径比半径比R+/R-示意图示意图2线性线性00.1553三角形三角形0.1550.2554四面体四面体0.2550.4146八面体八面体0.4140.7328立方体立
4、方体0.7321.000褐色褐色圆球圆球表示表示处于处于(chy(chy)空空隙位隙位置的置的正离正离子子第3页/共42页第四页,共42页。在一个在一个在一个在一个(y)(y)稳定的离子晶体结构中,每个负离子的稳定的离子晶体结构中,每个负离子的稳定的离子晶体结构中,每个负离子的稳定的离子晶体结构中,每个负离子的电价电价电价电价ZZ等于或接近等于相邻各正离子至该负离子的等于或接近等于相邻各正离子至该负离子的等于或接近等于相邻各正离子至该负离子的等于或接近等于相邻各正离子至该负离子的 静电强度静电强度静电强度静电强度S S的总和。的总和。的总和。的总和。静电静电(jngdin)键强度键强度:负离子
5、的电价负离子的电价(dinji)数数:该规则指明了一个负离子与几个正离子相连该规则指明了一个负离子与几个正离子相连,是关于是关于几个配位多面体公用一个顶点几个配位多面体公用一个顶点的规则。的规则。此式对与负离子键此式对与负离子键连的所有正离求和。连的所有正离求和。第二规则第二规则(电价规则电价规则)Z+和和n+分别为正离分别为正离子的电价和配位数子的电价和配位数第4页/共42页第五页,共42页。例例例例1 1:NaClNaCl晶体晶体晶体晶体(jngt)(jngt)r+/r-Na+-Cl-静电键强度静电键强度 s=1/6,6个个Na+至至Cl-的诸键强之和正的诸键强之和正 好等于好等于(dng
6、y)Cl-的电价数(的电价数(-1)。)。=0.54Na+的配位的配位(pi wi)数为数为6,配位,配位(pi wi)多面体构型为八面体。多面体构型为八面体。即每个即每个Cl-是是6个个NaCI6配位八面体的公共顶点。配位八面体的公共顶点。第5页/共42页第六页,共42页。例例2:CaF2晶晶体体(jngt)r+/r-=0.79,Ca2+离子(lz)的配位数为8,配位体构型为立方体。Ca2+至至F-的静电的静电(jngdin)键强度:键强度:S=2/8=1/4F-离子的电价数为离子的电价数为-1,要求,要求有有4个个Ca2+与与F-配位,配位,即即F-是是4个配位立方体的顶点。个配位立方体的
7、顶点。第6页/共42页第七页,共42页。例例3 3:硅酸盐离子:硅酸盐离子(lz)(lz)晶体中,晶体中,Si4+处于处于O2-离子离子(lz)的正四面体空隙中,配位数为的正四面体空隙中,配位数为4。r+/r-=0.29,Si4+-O2-的静电键的静电键 强度为强度为 4/4=1,O2-电价为电价为-2价,每个价,每个 O2-与与2个个Si4+键连。键连。因此,在硅酸盐晶因此,在硅酸盐晶 体中,硅氧四面体体中,硅氧四面体 SiO4是共顶连接,是共顶连接,每个顶点每个顶点(dngdin)O2-为两个为两个 四面体所共有。四面体所共有。第7页/共42页第八页,共42页。2.52.5无机材料无机材料
8、无机材料无机材料(cilio)(cilio)典型晶典型晶典型晶典型晶体结构体结构体结构体结构(1)(1)岩盐岩盐岩盐岩盐(ynyn)(NaCl)(ynyn)(NaCl)型型型型(AB(AB型型型型)(2)(2)Cl-作面心立方作面心立方(lfng)紧密积,紧密积,Na+填满所有的八面体空隙(填满所有的八面体空隙(4个)(个)(r+/r-=0.54);正、负离子配位数比为正、负离子配位数比为6 6。1.面心立方点阵构成的晶体结构面心立方点阵构成的晶体结构第8页/共42页第九页,共42页。属于属于属于属于NaClNaCl型结构的化合物有:型结构的化合物有:型结构的化合物有:型结构的化合物有:(i
9、i)离子键型的碱金属)离子键型的碱金属)离子键型的碱金属)离子键型的碱金属(jnsh)(jnsh)卤化物、碱土金属卤化物、碱土金属卤化物、碱土金属卤化物、碱土金属(jnsh)(jnsh)氧化物和氧化物和氧化物和氧化物和硫化物硫化物硫化物硫化物;(ii ii)过渡键型的金属)过渡键型的金属)过渡键型的金属)过渡键型的金属(jnsh)(jnsh)氧化物、硫化物及间隙型的碳化物和氧化物、硫化物及间隙型的碳化物和氧化物、硫化物及间隙型的碳化物和氧化物、硫化物及间隙型的碳化物和氮化物。氮化物。氮化物。氮化物。如:如:如:如:NaClNaCl、NaINaI、MgOMgO、SrOSrO、BaOBaO、CdO
10、CdO、MnOMnO、CoOCoO、NiONiO、TiNTiN、ScNScN、LaNLaN、ZrNZrN、CrNCrN、TiCTiC该结构的化合物,多数具有熔点高、稳定性好等特点,该结构的化合物,多数具有熔点高、稳定性好等特点,该结构的化合物,多数具有熔点高、稳定性好等特点,该结构的化合物,多数具有熔点高、稳定性好等特点,如:如:如:如:MgOMgO的熔点为的熔点为的熔点为的熔点为28522852,CaOCaO的熔点为的熔点为的熔点为的熔点为26002600,TiCTiC的熔点为的熔点为的熔点为的熔点为31403140。第9页/共42页第十页,共42页。(2)闪锌矿(立方闪锌矿(立方(lfng
11、)或或-ZnS)型)型S2-作面心立方紧密堆积,作面心立方紧密堆积,Zn2+离子相间离子相间(xingjin)占据其中占据其中1/2的四面体空隙。的四面体空隙。(r+/r-=0.40)正、负离子配位数比正、负离子配位数比4 4。(AB型型)属于属于(shy)立方立方ZnS型结构的化合物有:型结构的化合物有:-ZnS、-SiC、AIP、GaAS、InSb、立方、立方-BN等。等。第10页/共42页第十一页,共42页。固体化学中的等电子规则固体化学中的等电子规则固体化学中的等电子规则固体化学中的等电子规则(guz)(guz):价电子相同的化合物具有类似的结构。价电子相同的化合物具有类似的结构。价电
12、子相同的化合物具有类似的结构。价电子相同的化合物具有类似的结构。举例:举例:举例:举例:和和和和族及族及族及族及族化合物族化合物族化合物族化合物立方立方立方立方-BN-BN、AIPAIP、GaASGaAS、InSbInSb、-ZnS-ZnS、-SiC-SiC。组成这些化合物的原子的平均价电子数目与碳组成这些化合物的原子的平均价电子数目与碳组成这些化合物的原子的平均价电子数目与碳组成这些化合物的原子的平均价电子数目与碳相同,应具有金刚石结构相同,应具有金刚石结构相同,应具有金刚石结构相同,应具有金刚石结构(金刚石与立方金刚石与立方金刚石与立方金刚石与立方ZnSZnS型相同型相同型相同型相同,碳原
13、子占据锌离子和硫离子的位置碳原子占据锌离子和硫离子的位置碳原子占据锌离子和硫离子的位置碳原子占据锌离子和硫离子的位置)。第11页/共42页第十二页,共42页。(3)萤石萤石(ynsh)(CaF2)型)型(AB2型型)Ca2+作面心立方紧密作面心立方紧密堆积,堆积,F-占据所有的四占据所有的四面体空隙。面体空隙。Ca2+与与F-的的配位数比配位数比8 4。CaF2的结构的结构(jigu)也可看成是也可看成是F-简单立方简单立方堆积,堆积,Ca2+填入填入1/2的立的立方体空隙中。方体空隙中。(r+/r-=0.79)。)。Ca2+F-第12页/共42页第十三页,共42页。属于属于(shy)CaF2
14、型结构的化合物有:型结构的化合物有:CaF2,CeO2,UO2,ZrO2,HfO2,BaF2,PbF2等。等。CaF2型结构中,型结构中,Ca2+堆积形成的八面体空隙都没有被占据堆积形成的八面体空隙都没有被占据(zhnj),在结构中,在结构中8个负离子之间就形成一个个负离子之间就形成一个“空洞空洞”,有利于形成负,有利于形成负离子间隙,为负离子扩散迁移提供了条件。离子间隙,为负离子扩散迁移提供了条件。第13页/共42页第十四页,共42页。(4)尖晶石尖晶石(MgAl2O4)型)型尖晶石:尖晶石:MgAl2O4O2-离子离子(lz)面心立方堆积,面心立方堆积,Mg2+占据占据1/8四面体隙,四面
15、体隙,Al3+占据占据1/2八面体隙。八面体隙。(AB2O4型)型)尖晶石晶胞尖晶石晶胞(jnbo)图图每一个尖晶石晶胞每一个尖晶石晶胞(jn bo)含含32个个O2-,8个个Mg2+和和16个个Al3+,即一个晶,即一个晶胞中相当于含有胞中相当于含有8个个MgAl2O4“分子分子”。第14页/共42页第十五页,共42页。每个尖晶石晶胞含每个尖晶石晶胞含8个小立方体,每个小立方体含个小立方体,每个小立方体含4个个O2-,共,共32个个O2-。32个个O2-堆积形成堆积形成(xngchng)64个四面个四面体空隙和体空隙和32个八面体空隙个八面体空隙(1 2 1)。Mg2+占据占据(zhnj)1
16、/8四面体隙,四面体隙,Al3+占据占据(zhnj)1/2八面体隙。八面体隙。第15页/共42页第十六页,共42页。AB2O4型中:型中:A和和B的总电价的总电价(dinji)为为8。A为二价为二价(r ji)金属,如:金属,如:Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Zn2+、Ni2+等;等;B为三价金属,如:为三价金属,如:Al3+、Cr3+、Ga3+、Fe3+、Co3+等等正型尖晶石:正型尖晶石:A2+都填充都填充(tinchng)在四面体空隙中在四面体空隙中(8个个),B3+都填充都填充(tinchng)在八面体空隙中在八面体空隙中(16个个),记作记作A2+tB3+B3+oO4 反型
17、尖晶石:反型尖晶石:A2+占据在八面体空隙中占据在八面体空隙中(8个个),B3+占据在八面体空隙中占据在八面体空隙中(8个个),占据在四面体空隙中占据在四面体空隙中(8个个)。记作记作B3+tA2+B3+oO4 尖晶石结构尖晶石结构可分为正型和反型两类:可分为正型和反型两类:第16页/共42页第十七页,共42页。正型尖晶石正型尖晶石正型尖晶石正型尖晶石:Mn3O4Mn3O4,可表示为,可表示为,可表示为,可表示为Mn2+tMn3+Mn3+oO4Mn2+tMn3+Mn3+oO4 及及及及 FeAl2O4 FeAl2O4、ZnAl2O4ZnAl2O4、MnAl2O4MnAl2O4等。等。等。等。反
18、型尖晶石:反型尖晶石:反型尖晶石:反型尖晶石:Fe3O4 Fe3O4,可表示为,可表示为,可表示为,可表示为 Fe3+tFe2+Fe3+oO4 Fe3+tFe2+Fe3+oO4及及及及MgFe2O4 MgFe2O4 等。等。等。等。属于尖晶石型结构的化合物还有:属于尖晶石型结构的化合物还有:属于尖晶石型结构的化合物还有:属于尖晶石型结构的化合物还有:A4+B22+O4A4+B22+O4型,如型,如型,如型,如 Co2+tSn4+Co2+oO4 Co2+tSn4+Co2+oO4(反型尖晶石);(反型尖晶石);(反型尖晶石);(反型尖晶石);A6+B1+2O4 A6+B1+2O4型,如型,如型,如
19、型,如 Na2WO4 Na2WO4、Na2MoO4Na2MoO4,Na+Na+占据占据占据占据(zhnj)(zhnj)八面体空隙,八面体空隙,八面体空隙,八面体空隙,W6+W6+(或(或(或(或Mo6+Mo6+)占据)占据)占据)占据(zhnj)(zhnj)四面体空隙。四面体空隙。四面体空隙。四面体空隙。W6+tNa+Na+oO4 Mo6+tNa+W6+tNa+Na+oO4 Mo6+tNa+Na+oO4Na+oO4 (正型尖晶石)(正型尖晶石)(正型尖晶石)(正型尖晶石)第17页/共42页第十八页,共42页。缺位缺位缺位缺位(quwi)(quwi)尖晶石:如尖晶石:如尖晶石:如尖晶石:如-Al
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- 关 键 词:
- 无机 材料 晶体结构 缺陷 学习 教案
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