制药工程原理与设备-03分离工程基础与设备6(结晶)13294.pptx
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1、第二局部第二局部 结晶结晶一、概念二、结晶操作的特点三、结晶根本理论四、晶核生成和晶体生长理论五、结晶溶液的形成及结晶控制六、常用结晶设备七、重结晶1第一页,共三十六页。一、概念一、概念结晶是固体物质以晶体状态从蒸汽、溶液或熔融物中析出的过程。固体状态:1.结晶:析出速度慢,析出粒子排列有规那么;2.无定形:沉淀析出速度快,排列无规那么;2第二页,共三十六页。二、结晶操作的特点二、结晶操作的特点1.结晶为同类分子或离子进行规那么排列的过程,结晶为同类分子或离子进行规那么排列的过程,因此结晶具有高选择性;因此结晶具有高选择性;2.结晶后,大局部杂质留在母液中,经过滤、洗结晶后,大局部杂质留在母液
2、中,经过滤、洗涤得纯度高的晶体;涤得纯度高的晶体;3.结晶本钱低,设备简单,操作方便,因此应用结晶本钱低,设备简单,操作方便,因此应用广泛。广泛应用于氨基酸、有机酸、抗生素、广泛。广泛应用于氨基酸、有机酸、抗生素、维生素、核酸等产品的精制。维生素、核酸等产品的精制。3第三页,共三十六页。三、结晶根本理论三、结晶根本理论1.溶解过程、溶解度及其主要影响因素溶解过程、溶解度及其主要影响因素 溶解过程溶解过程 可溶性固体由于分子运动在溶质和固体的溶剂可溶性固体由于分子运动在溶质和固体的溶剂间进行两种分子扩散:一是分子从固体外表扩散到间进行两种分子扩散:一是分子从固体外表扩散到液体内部;二是从液体内部
3、扩散到固体外表;开始液体内部;二是从液体内部扩散到固体外表;开始阶段分子向液体内部扩散速率大于从液体内部扩散阶段分子向液体内部扩散速率大于从液体内部扩散到固体的速率,表观上处于溶解状态;当两者速率到固体的速率,表观上处于溶解状态;当两者速率相等时即固液到达平衡状态,表观上固体不再溶解,相等时即固液到达平衡状态,表观上固体不再溶解,但实质上处于动态平衡,溶解和结晶在同时进行,但实质上处于动态平衡,溶解和结晶在同时进行,只不过速率相同而已。只不过速率相同而已。4第四页,共三十六页。溶解度溶解度:一定条件下,一定条件下,100g溶剂溶解的溶质的量溶剂溶解的溶质的量。影响溶解度的因素影响溶解度的因素A
4、.温度温度a.一般情况下,温度上一般情况下,温度上升,溶解度上升,只是升,溶解度上升,只是上升的幅度不同而已。上升的幅度不同而已。5第五页,共三十六页。b.先增大后减小先增大后减小 Na2SO4:开始在水中以结:开始在水中以结晶水合物的形式存在,之晶水合物的形式存在,之后为后为Na2SO4。c.溶解度随温度升高而降低溶解度随温度升高而降低 CaOH2 少量的有机物少量的有机物如螺旋如螺旋霉素。霉素。6第六页,共三十六页。BPH值值 大多数药物和大分子有机分子,如:蛋白质、大多数药物和大分子有机分子,如:蛋白质、氨基酸等,在其等电点处的溶解度最小,等电点氨基酸等,在其等电点处的溶解度最小,等电点
5、PI=4-6,调节,调节PH值与等电点值与等电点PI相等可使其溶解度相等可使其溶解度最小。最小。C.离子强度离子强度 对于有机药物溶液,参加盐的量改变离子强度,对于有机药物溶液,参加盐的量改变离子强度,也改变了溶质和溶剂间的能量平衡,也会降低药也改变了溶质和溶剂间的能量平衡,也会降低药物在溶液中的溶解度。物在溶液中的溶解度。D.压力压力 压力对气体物质的溶解度有较大的影响。压力对气体物质的溶解度有较大的影响。7第七页,共三十六页。2.过饱和过饱和到达固液相平衡时的溶液称为饱和溶液。溶液中含有超过饱和量的溶质称为过饱和溶液在无扰动、无刺激的条件下降温即可形成。过饱和度:C-过饱和溶液的浓度;C*
6、-饱和浓度。8第八页,共三十六页。3.结晶溶解相平衡图结晶溶解相平衡图三区特征:三区特征:稳定区:绝无结晶的可能稳定区:绝无结晶的可能原因:溶液未到达饱原因:溶液未到达饱和;和;介稳区:溶液过饱和,但介稳区:溶液过饱和,但无扰动、无刺激下无结无扰动、无刺激下无结晶;晶;不稳区:肯定要有结晶析出;不稳区:肯定要有结晶析出;9第九页,共三十六页。4.晶体物质溶解度与其颗粒半径的关系晶体物质溶解度与其颗粒半径的关系Kelvin公式:公式:-颗粒半径;颗粒半径;-对应的溶质颗粒的溶解度;对应的溶质颗粒的溶解度;-颗粒与液体的界面张力;颗粒与液体的界面张力;-固体颗粒的密度;固体颗粒的密度;结论:结论:
7、半径小的颗粒溶解度大;半径小的颗粒溶解度大;假设假设 ,那么,那么 ,。过饱和度越大,颗粒直径越小;过饱和度越大,颗粒直径越小;假设假设 ,那么,那么 ,。10第十页,共三十六页。四、晶核生成和晶体生长理论四、晶核生成和晶体生长理论结晶根本现象结晶根本现象 结晶过程中,过饱和度越大,结晶速率越大,结晶过程中,过饱和度越大,结晶速率越大,结晶颗粒数目多且小,而过饱和度不很大时,结晶颗粒数目多且小,而过饱和度不很大时,颗粒少而大,因此认为结晶分为晶核生成和颗粒少而大,因此认为结晶分为晶核生成和晶体生长两个阶段。晶体生长两个阶段。11第十一页,共三十六页。1.晶核生成晶核生成12第十二页,共三十六页
8、。2.晶体生长符合扩散理论晶体生长符合扩散理论13第十三页,共三十六页。3.晶核生成与晶体生长的关系晶核生成与晶体生长的关系 当当S较大时,晶核生成速度增加,晶体较大时,晶核生成速度增加,晶体生长速度也增加,但晶核生成速度增加生长速度也增加,但晶核生成速度增加急剧,必然导致数量多,粒径小。如果急剧,必然导致数量多,粒径小。如果延长结晶时间;晶核数量会减少,晶体延长结晶时间;晶核数量会减少,晶体粒径会增大。粒径会增大。原因原因:小粒度晶体比外表积大,所以被小粒度晶体比外表积大,所以被溶解的可能性就大,溶解之后,在动态溶解的可能性就大,溶解之后,在动态平衡中由于大粒度晶体比外表积小,被平衡中由于大
9、粒度晶体比外表积小,被溶解的溶质就会结晶在大粒度晶体上溶解的溶质就会结晶在大粒度晶体上。14第十四页,共三十六页。五、结晶溶液的形成及结晶控制五、结晶溶液的形成及结晶控制1.结晶液的形成方法结晶液的形成方法 冷却结晶:降低温度,降低溶质的溶解度实现冷却结晶:降低温度,降低溶质的溶解度实现结晶;结晶;蒸发结晶:减少溶剂,使溶液到达过饱和而实蒸发结晶:减少溶剂,使溶液到达过饱和而实现结晶;现结晶;真空绝热冷却结晶:冷却和蒸发溶剂的结合;真空绝热冷却结晶:冷却和蒸发溶剂的结合;加压结晶:对蒸气结晶而言;加压结晶:对蒸气结晶而言;盐析结晶:利用盐改变溶质和溶剂的能量平衡,盐析结晶:利用盐改变溶质和溶剂
10、的能量平衡,降低溶解度的方法;降低溶解度的方法;化学结晶:参加反响剂产生新物质,新物质溶化学结晶:参加反响剂产生新物质,新物质溶解度超过饱和溶解度时结晶析出。解度超过饱和溶解度时结晶析出。15第十五页,共三十六页。2.结晶的控制结晶的控制 操作方式的控制操作方式的控制 一般一般,结晶是通过降低温度的方式实现的结晶是通过降低温度的方式实现的.但是但是降温结晶只能析出局部的物质降温结晶只能析出局部的物质,难以析出大局难以析出大局部溶质部溶质,因此操作过程中因此操作过程中,一般控制蒸除溶剂并一般控制蒸除溶剂并辅以降温辅以降温.16第十六页,共三十六页。2.结晶的控制结晶的控制 过饱和度的控制过饱和度
11、的控制 并非所有的操作都要求产生大粒度颗粒,如:并非所有的操作都要求产生大粒度颗粒,如:难溶药物,为利于人体吸收和利用,要求小粒度,因难溶药物,为利于人体吸收和利用,要求小粒度,因此在操作过程中应当根据目标产物所要到达的要求进此在操作过程中应当根据目标产物所要到达的要求进行控制。此时,过饱和度大是有利的。行控制。此时,过饱和度大是有利的。是不是过饱和度越大越好呢是不是过饱和度越大越好呢?非非!过饱和度太大也会导致原料液的粘度过大,粘度过饱和度太大也会导致原料液的粘度过大,粘度过大也会使目标产物难以析出,所以过饱和度要控制过大也会使目标产物难以析出,所以过饱和度要控制一定的度。一定的度。17第十
12、七页,共三十六页。2.结晶的控制结晶的控制 结晶成核和结晶生长的控制结晶成核和结晶生长的控制 对于不加结晶的冷却结晶对于不加结晶的冷却结晶,溶液易于自发成核溶液易于自发成核,同时释放出结晶热同时释放出结晶热,结晶热使溶液温度上升结晶热使溶液温度上升,这这时需要继续冷却时需要继续冷却,冷却又产生更多的核冷却又产生更多的核,以致使以致使得结晶成核和结晶成长难以控制得结晶成核和结晶成长难以控制,因此因此,往往采往往采取参加晶种取参加晶种,并缓慢冷却的结晶过程并缓慢冷却的结晶过程,实现结晶实现结晶程序的控制。程序的控制。18第十八页,共三十六页。六、常用结晶设备六、常用结晶设备1.槽式结晶器:属于冷却
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