电工学-电子技术期末复习-总结知识点ppt课件.ppt

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1、电工学电子技术下册期末总复习 第一篇 电子器件与电子电路基础本篇的主要内容半导体材料本征半导体P型、N型半导体 PN结半导体二极管半导体二极管（一个PN结）二极管的外特性、主要电参数二极管电路组成及电路分析第一章 半导体二极管及电路分析结构，导电机理外特性，主要电参数放大电路、开关电路组成及其电路分析 晶体三极管（二个PN结）CCCS场效应管（电场控制器件）VCCS结构，导电机理外特性，主要电参数放大电路、开关电路组成及其电路分析1.1.1 半导体二极管的结构、特性与参数一、二极管的结构与类型二极管由一个PN结，加相应的电极引线和管壳封装而成。电路符号（P）（N）空心三角形箭头表示实际电流方向

2、：电流从P流向N。本征半导体的电特性 硅单晶体的原子结构排列的非常整齐；每个原子外层的四个电子与相邻四周的原子外层电子形成稳定的共价键结构；绝对零度时，价电子无法争脱本身原子核束缚，此时本征半导体呈现绝缘体特性；在室温下，本征半导体非常容易受热激发产生电子空穴对；这时的载流子浓度称本征浓度，本征浓度随温度的上升而增大，所以本征载流子浓度是温度的函数。二 极 管 杂质半导体N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体N型半导体+扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。伏安特性UI导通压降:硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。UIE+-反向漏电流（很小，A级）稳压二极管IZmax+-稳压二极管符号UIUZIZ稳压二极管特性曲线IZmin当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两端电压近似为常数正向同二极管稳定电流稳定电压