机车电力电子技术9989.pptx
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1、机车电力电子技术广州铁路职业技术学院谭民杰第一章 绪 论 第一节 概 述电子技术包括:信息电子技术、电力电子技术。电力电子技术包括:电力电子器件、电力电子变流技术、控制 技术。电力电子技术的任务:实现电力变换。电力变换通常可分四大类:1.AC-DC 变换,即将交流电变换为直流电,称为整流。2.DC-AC 变换,即将直流电变换为交流电,称为逆变。3.DC-DC 变换,即将一种电压的直流变为另一种电压的直流,可用直流斩波器实现。4.AC-AC 变换,即把交流电的参数(幅值、频率)加以转换,称为交流变换。第二节 电力电子技术的应用 电力电子技术应用于工业生产、交通运输、电力系统、新能源系统、通讯系统
2、、计算机系统、医疗设备、家电等行业:1.工业生产:用于电力拖动中的水泵、风机、压缩机,变频技术的交直流调速,整流电源的电解、电镀。2.交通运输:用于电气化铁路中的直流传动电力机车整流或斩波装置,交流传动电力机车变频调速装置,城市电车的斩波或变频装置等。3.电力系统:用于直流输电的送电端整流,受电端的逆变,晶闸管控制无功补偿等。4.新能源:用于太阳能、风力发电装置与电力系统连接。5.通讯计算机:UPS 与开关稳压电源直流源系统。6.医疗设备:激光、超声波、扫描机的高压电源。7.家用电器:变频空调、冰箱、电子节能灯等。第三节 电力电子技术的发展趋势 电力电子器件具有高电压、大电流、大功率器件的特点
3、,未来发展主要在以下方面:1.由半控型器件向全控型器件转移。2.向高频快速方向发展。3.大功率电力电子器件采用模块化封装。4.采用数字化控制方式。5.采用新型半导体材料制造新型功率器件。第二章 电力电子器件 第一节 电力电子器件概述一、电力电子器件的发展概况 自1947 年美国贝尔实验室发明晶体管半导体固态电子学诞生。50 年代后,以硅二极管为代表的电力半导体器件及相应的变流技术装置迅速发展,1957年美国通用电气研制第一只可控型电力电子器件晶闸管(SCR)。半导体固态电子学有两个发展方向:一是以晶体管集成电路为核心的对信息处理的微电子技术。二是以晶闸管为核心的对电能变换与控制的电力电子技术。
4、从90 年代起,电力电子技术与微电子技术进一步结合使电子器件朝着大容量、智能化方向发展。如国产蓝箭列车的主变流器采用单个容量为4500V/1500A 的IPM 模块。在GTO、IGBT 基础上发展起来的新型大功率电力电子器件,如集成门极换流晶闸管(IGCT)、发射极关断晶闸管(ETO)、电子注入增强型门极晶体管等,容量达到4500V/3000A,有的达到6000V/6000A。二、电力电子器件的分类1.根据不同的开关特性,电力电子器件可分三大类:(1)不可控器件:通常为两端器件,具有整流作用,无控制功能。如:PN 结整流管等。(2)半控型器件:通常为三端器件,控制信号只能控制开通,不能控制关断
5、。如:普通晶闸管(SCR)快速晶闸管、双向晶闸管、逆导型晶闸管、光控晶闸管。(3)全控器件:也为三端器件,控制信号可控制开通,也可控制关断。如:可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)三端场控器件(绝缘栅极晶体管IGBT、静电感应晶体管SIT)等。2.根据体内电子和空穴两种载流子参入导电情况,电力电子器件可分三种类型:(1)单极型:一种载流子参入导电的器件。如:功率MOSFET、静电感应晶体管等。(2)双极型:电子和空穴两种载流子参入导电的器件。如:PN 结整流管、普通晶闸管、电力晶体管。(3)混合型:由单极型和双极型两种器件组成的复合型器件,如:绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOS 控制
6、晶闸管(MCT)等。3.根据控制信号不同,电力电子器件可分二种类型(1)电流控制型电力电子器件:由PN 结组成的电力电子器件电子和空穴都参入导电。为了控制器件的开通与关断,必须给器件体内注入电流或从体内抽出电流。电流控制型器件可分二类:一是晶体管类,如:电力晶体管及模块。二是晶闸管类,如:普通晶闸管、可关断晶闸管。电流控制器件的共同特点:1)器件内有电子和空穴两种载流子导电,2)具有导电调制效应,3)控制极输入阻抗低,控制电流、控制功率大。(2)电压控制型器件(场效应电力电子器件):器件内主电极(漏极、源极或阳极、阴极)传导的工作电流是通过加在第三极(栅极或门极)上的电压在主电极间产生可控电场
7、来改变其大小和断通状态的。加在第三极为电压信号,故称电压控制型器件。因为主电极间产生的电场控制电流,也称场控器件或场效应器件。电压控制型器件的共同特点:1)输入阻抗高。2)工作频率高。3)工作温度高。第二节 电力二极管一、电力二极管的工作原理 电力二极管由一个大面积PN 结和两端引线及封装组成。PN 结具有单向导电性。正向电压(正向偏置):二极管阳极(A 极)极接电源正极,阴极(K 极)接电源负极。反向电压(反向偏置):二极管阳极(A 极)极接电源负极,阴极(K 极)接电源正极。正向导通状态:电力二极管PN 结处于正向偏置状态,电流从P 流向N,PN 结为低电阻。反向截止状态:电力二极管PN
8、结处于反向偏置状态,PN 结为高电阻。有较小的反向漏电流流过PN 结。PN 结具有一定的反向耐压能力:如反向电压过大,PN 结反向截止状态破坏,反向电流急增,发生反向击穿。二、电力二极管的特性与数1.电力二极管的伏安特性(图2-2)2 电力二极管的开关特性(图2-3):电力二极管在零偏置、正向偏置、反向偏置三种状态转换时呈现的动态特性。(1)关断特性:电力二极管由正向偏置的通态转换为反向偏置的断态过程中电压、电流随时间变化的关系(图2-3a)(2)开通特性:电力二极管由零偏置转换为正向偏置的通态过程的电压、电流随时间变化的关系(图2-3b)3.电力二极管的主要参数(1)额度正向平均电流:IF(
9、AV):器件长期运行时,允许流过的最大交流电流平均值。(2)正向电压UF:在指定温度下,器件流过某一指定稳定正向电流时,管子两端的电压。(3)反向重复峰值电压URRM:器件能重复施加的反向最高峰值电压(c为击穿电压UB 的2/3)。(4)反向漏电流IRR:器件对应于反向峰值电压时,流过的反向电流。(5)最高工作结温TJM:器件的PN 结不损坏前提下能承受的最高平均温度(通常:1251750 C).(6)浪涌电流IFSM:器件能承受的最大的一个或连续几个工频周期的过电流。4.电力二极管的主要类型:(1)普通二极管:用于1KHz 以下整流电路。(2)快恢复二极管:用于高频整流和逆变电路(3)肖特基
10、二极管:用于200V 以下低压电路电力二极管作用:在整流电路中作整流,在感性负载电路中做续流,在变流电路中做电压隔离、箝位、保护。常见电力二极管主要性能参数见教材表2-1第三节 晶闸管晶闸管:是晶体闸流管的简称,俗称可控硅(SCR)。是一种开通时间可以控制的半控型电力电子器件。一、晶闸管的结构与工作原理晶闸管结构:由PNPN 四层半导体组成,有三个引出线,分别是阳极A、阴极K、和门极G(栅极)。大功率晶闸管有散热器,平板式晶闸管采用风冷或水冷。晶闸管导通工作原理:晶闸管阳极加正向电压时,如果门极也加正向电压,VT2 导通,然后VT1 导通。最后两个三极管都快速进入饱和状态,使晶闸管阳极A 与阴
11、极K 之间导通。若撤除门极电压,只要满足阳极正偏条件,晶体管一直导通。晶闸管导通必须同时具备两个条件:(1)晶闸管的阳极和阴极之间加上一定大小的正向电压VKA;(2)在门极和阴极之间加上一定的正向触发电压UGK.晶闸管具有单向导电性。晶闸管的可控单向导电性:当门极没有加正向电压时,即使阳极加上正向电压,晶闸管不导通;在门极电压触发下,晶闸管立即导通。半控型电力电子器件:门极电压只能触发晶闸管开通,不能控制它关断。晶闸管的测试:1)用万用电表Rx1(或Rx100)测量阳极与阴极的正反向电阻很大。2)用黑表笔接阳极,红表笔接阴极,再用黑表笔碰门极,正向电阻大幅下降,黑表笔离开门极后正向电阻不变,即
12、晶闸管正常。二、晶闸管的特性1.晶闸管的伏安特性:晶闸管阳极、阴极间的电压和阳极电流之间的关系。2.门极伏安特性:晶闸管的门极与阴极之间的伏安特性。三、晶闸管的主要参数1 晶闸管的电压定额(1)断态重复峰值电压URDM:门极断路结温为额定值时,允许加重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。(2)反向重复峰值电压URRM:门极断路结温为额定值时,允许加重复加在晶闸管两端的反向峰值电压。(3)额定电压UTN:晶闸管铭牌标出的电压。(4)通态平均电压UT(AV):正常状态下,晶闸管通过正弦半波额定电流时,两端电压降在一个周期内的平均值。2.晶闸管的电流定额(1)通态平均电流IT(AV):温度为400C 冷
13、却状态下,允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。(2)维持电流IH:晶闸管导通必须的最小电流。(3)挚住电流IL:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后能维持导通所需要的最小电流。3.晶闸管的动态参数(1)开通时间tgt:从门极触发电压前沿的10%到元件电压下降到10%所需要的时间。普通晶闸管约6s。(2)关断时间tq:晶闸管从正向阳极电流下降为零到恢复正向阻断能力所需要的时间。普通晶闸管约几十s 几百s。(3)通态电流临界上升率di/dt:在规定结温和门极开路情况下,不会导致晶闸管直接从断态转换为通态的最大阳极电压上升率。4.晶闸管的型号 K P-四、晶闸管的派生器件 1.快速晶闸管:开关
14、频率在400Hz以上的晶闸管。2.双向晶闸管:触发后能双向导通的晶闸管。3 逆导晶闸管:反向导通的晶闸管。4.光控晶闸管:在光照下,光电二极管漏电流成为门极触发电流,使晶闸管导通。第四节 门极可关断晶闸管(GTO)门极可关断晶闸管:通过门极加负脉冲电流使其关断的全控器件。晶闸管可达到6000V、6000A、10010000Hz,广泛应用于电力机车逆变器、电网动态无功补偿、大功率直流斩波调速。第五节 电力晶体管(GTR)电力晶闸管:是一种大功率、高反压的双极结型晶体管,具有自关断能力,具有饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等特点。在交流电机调速、不间断电源、中频电源等电力变流装置中应用。一、电
15、力晶体管的结构与工作原理 与一般晶体三极管有相似的结构、工作原理。GTR 四种工作状态:开通、导通(饱和)、关断、阻断(截止)。导通和截止:表示GTR 接通和断开的两种稳定工作状态。导通:当IB 0,发射结正偏。截止:当IB 0,发射结反偏。开通和关断:表示GTR 由断到通、由通到断的动态工作状态。二、GTR 的特性与参数1.GTR 的基本特性(1)静态特性(2)开关特性1 电力晶体管GTRGTR 是一种高击穿电压、大容量的晶体管。它具有自关断能力,并具有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。六单元GTR 模块 图形符号 二单元模块的等效电路(2)GTR 模块的主要参数 1)开路阻断电压
16、UCEO,例如:2DI200D-100(3)GTR 的选择方法1)开路阻断电压UCEO 的选择 UCEO 通常按电源线电压峰值的2倍来选择。2)集电极最大持续电流ICM 的选择 ICM 通常按输出交流线电流峰值的2.25倍来选择。2)集电极最大持续电流ICM,例如:6DI15Z-120 第六节 电力场效应管一、电力MOSFET 的结构与工作原理电力场效应管(电力MOSFET):利用栅极电压控制器件的截止和导通。1.电力MOSEFT 的结构:图2-222.电力MOSFET 的工作原理3.电力MOSFET 主要参数(1)正向通态电阻(2)漏极最大电流(3)栅极开启电压(4)漏极击穿电压(5)栅源击
17、穿电压(6)极间电容 第七节 绝缘栅极型晶体管(IGBT)绝缘栅极型晶体管(IGBT):是集MOSFET(电力场效应管)和GTR(电力晶体管)优点于一身的新型复合器件。一、IGBT 的工作原理 IJBT 的C 极接电源正极,E 极接电源负极。由栅极(G)与发射极(E)电压UGE 控制导通或关断。当UGE UGE(th)(开启电压)时,VDMOSFET 内形成导电沟道,为晶体管提供基极电流使其导通。当UGE=0,或栅极与发射极电压反向时,VDMOSFET 内沟道消失,晶体管无基极电流,IJBT 关断。二、IGBT 的主要特性与参数 1.IJBT 的主要特性(1)IGBT 转移特性:集电极电流与I
18、C与栅射电压UGE 间的关系。开启电压UGE(th)为2-6V。栅射电压UGE 开启电压UGE(th)时,IJBT 截止。栅射电压UGE 开启电压UGE(th)时,IJBT 导通。(2)IGBT 输出特性:以栅射电压为参考变量,集电极电流IC与集射电压UCE 间的关系。2.IGBT 的主要参数(1)集射极击穿电压UCES(2)开启电压UGE(th)和最大栅极UGEM(3)通态压降UCE(on)(4)集电极最大连续电流IC峰值电流ICM绝缘栅双极晶体管IGBTIGBT 是MOSFET 和GTR 相结合的产物,其主体部分与GTR 相同,也有集电极和发射极,但驱动部分却和MOSFET 相同,是绝缘栅
19、结构。(1)IGBT 的特点 IGBT 在外形上有模块型和芯片型两种,在通用变频器中使用的IGBT 一般是模块型。单管模块 双管模块 六管模块(2)IGBT 的主要参数1)集电极发射极额定电压UCES。2)栅极发射极额定电压UGES。3)额定集电极电流IC。三、IJBT 与IPM 功率模智能功率模块(IPM):称为智能集成电路,是以IJBT 为基本功率开关元件,构成一相或三相逆变器的专用功能模块。电力集成电路的一种。在电力电子变换电路中,电力电子器件必须有:驱动电路、控制电路、保护电路。3 智能电力模块器件IPMIPM 的主要特点如下:(1)内含设定了最佳的IGBT 驱动条件的驱动电路。(2)
20、内含完善的保护功能及相应的报警输出信号。(3)内含制动电路。(4)散热效果良好。第八节 新型电力电子器件简介一、MOS 控制晶闸管(MCT):一种单极型场效应管和双极型晶闸管组合而成的复合器件。图2-28)二、集成门极换流晶闸管(IGCT):将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT 集成于一个整体形成的器件。(图2-29)三、静电感应晶体管(STT):功率结型场效应晶体管,为电压型控制器件。(图2-30)四、静电感应晶闸管(STTH):场控晶闸管。(图2-32)第三章 相控整流电路整流电路:将交流电变换成直流电电路。可控整流电路:将交流电变换成大小可调的直流电的电路。整流电路按电源分:单相整流电路
21、、三相整流电路、多相整流电路。整流电路按电路结构组成分:不可控整流电路、半控整流电路、全控整流电路。整流电路按整流输出波形分:半波整流电路、全波整流电路。第一节 单相可控整流电路 一、单相半波可控整流电路1.电阻性负载控制角(触发角或移相角):从晶闸管开始承受正向电压起到触发脉冲出现之间的电角度。导通角:晶闸管在一周期内导通的电角度。移相控制(相位控制):通过改变控制角来调节输出电压的方式。半波整流电路移相范围:0o180o 半波整流输出电流:Id=ud/R 半波整流输出电压:Ud=0.45U2(1+cos)/2整流电压调节方法:改变控制角,就可以改变输出电压Ud。愈小,Ud 愈大。=0 时,
22、晶闸管全导通,=时,晶闸管整流输出电压为零。电流有效值:I=U/R2.电感性负载电感性负载:当负载的感抗与电阻的数值相比不可忽略时的电路。如:直流电动机的励磁,滑差电动机电磁离合器的励磁线圈,平波电抗器。电感的作用:电感即是储能元件,又是电流滤波元件。它能使负载电流波形平滑.电感性负载对脉冲的要求:触发脉冲要有一定宽度,保证晶闸管阳极电流上升到维持导通最小电流后,即使脉冲消失,晶闸管仍然维持导通。负载电流id:导通期间从晶闸管流过,续流期间从续流二极管流过。为了将整流出来的电压波形平滑,采用电感元件滤波。为了解决大电感负载时整流输出电压平均值下降问题,在整流电路负载两端并联一个硅整流二极管(称
23、续流二极管)二、单相全控桥式整流电路单相全控桥式整流电路组成:由晶闸管VT1、VT3 组成一对桥臂,晶闸管VT2、VT4 组成一另对桥臂。全波整流:负载在两个半波中都有电流通过。1.电阻性负载整流电路移相范围:0o180o 整流输出电流:Id=ud/R=0.9 U2(1+cos)/2 整流输出电压:Ud=0.45U2(1+cos)/2每个晶闸管的平均电流等于负载平均电流的一半:IdT=1/2(Id)2、大电感负载(1)不接续流二极管工作原理:当u2 正半周-TV1、TV3 触发导通-u2 过零-TV1、TV3 继续导通 当t=+时-TV2、TV4 触发导通-TV1、TV3 承受反向电压关断换相
24、:负载电流从TV1、TV3 上转移到TV2、TV4 上的过程。输出电压平均值:Ud=0.9U2 cos输出电流:idId=Ud/Rd晶闸管电流平均值:IdT=1/2(Id)晶闸管可能承受最大电压:UTM=2U2晶闸管移相范围:0o90o(2)接续流二极管输出电压平均值:0.9 U2(1+cos)/2输出电流:Id=Ud/Rd晶闸管可能承受最大电压:UTM=2U2晶闸管电流平均值:IdT=(-)/2(Id)整流电路移相范围:0o180o三、单相半控桥式整流电路正半周通路:a、VT1、Rd、VD1、b 负半周通路:b、VT2、Rd、VD2、a 第二节 三相可控整流电路三相可控整流电路使用范围:整流
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