冶金法制备太阳能级硅的原理及研究进展.pdf

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1、D e c 2 0 0 8飘，。：&淑S；i 鹭。慕罗夫傣等：冶金洼耩备太陌鳇缀硅的原理及冶金法制备太阳能级硅的原理及研究进展罗大伟1，张国粱1，张剑1，李军1，李廷举1 2(1 大连理工大学材料科学与工程学院，辽宁大连1 1 6 0 2 4；2 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，辽宁大连1 1 6 0 2 4)摘要：随着光伏市场需求不断增加，满足光伏电池技术经济指标要求的硅材料出现严重短缺，低成本提纯冶金硅至太阳能级硅工艺技术越来越受到广泛重视，成为研究开发热点。本文分析了全球光伏产业的发展现状和趋势，对目前获得太阳能级多晶硅的化学路径和冶金路径进行了对比分析；重点介绍了冶金法制备太阳

2、能级硅的工艺原理，以及目前常用的提纯技术；同时，简单介绍低成本生产太阳能级多晶硅的新工艺，并指出了冶金法可能是今后提纯多晶硅的主要研究方向。关键词：太阳能级硅；硅提纯；生产工艺；研究进展中图分类号：T M 9 1 4文献标识码：A文章编号：1 0 0 0 8 3 6 5(2 0 0 8)1 2 1 7 2 1 0 6P r i n c i p l ea n dR e s e a r c hP r o g r e s so nP r e p a r a t i o nS o l a rG r a d e(S o G)S i l i c o nb yM e t a I I u r g i c a

3、IR o u t eL U OD a-w e i l，Z H A N GG u o-l i a n 9 1，Z H A N GJ i a n l，L Ij u n l，L IT i n g-j U l 2(1 S c h o o lo fM a t e r i a l sS c i e n c ea n dE n g i n e e r i n g，D a l i a nU n i v e r s i t yo fT e c h n o l o g y，D a l i a n116 0 2 4，C h i n a；2 S t a t eK e yL a b o r a t o r yo fM

4、a t e r i a l sM o d i f i c a t i o nb yL a s e r，I o na n dE l e c t r o nB e a m s，D a l i a n11 6 0 2 4，C h i n a)A b s t r a c t：W i t he v e r-i n c r e a s i n gn e e di np h o t o v o l t a i ci n d u s t r y，t h es h o r t a g eo fs i li c o nf e e d s t o c kw h i c hc a nm e e tt e c h n

5、i c a la n de c o n o m i cs p e c i f i C a t i O n So ft h ep h o t o v o l t a i cc e l l si ss e v e r e M o r ea n d m o r ea t t e n t i o n sh a v eb e e np a i dt ot h er e s e a r c ho fp r o d u c i n gs o l a rg r a d es i l i c o nb yr e f i n i n gm e t a l l u r g i c a lg r a d es i l

6、i c o n T h ed e v e l o p m e n ts t a t u sa n dt r e n do ft h ew o r l dp h o t o v o l t a i ci n d u s t r ya r er e v i e w e da n dt h ep r o c e s sf o ro b t a i n i n gp O I y c r y S t a 川n es o l a r-g r a d es i l i c o nb yc h e m i c a la n dm e t a l l u r g i c a lr o u t e sa r ec

7、 o n t r a s t i v e l ya n a l y z d T h et e c h n o l o g yp r i n c i p l e so fs o l a rg r a d es i l i c o np r e p a r e db ym e t a l l u r g i c a lr o u t e sa l o n gw i t hc o n v e n t i o n a Ip u r i f i c a t i o nt e c h n i q u e sa r ee m p h a t i c a l l yi n t r o d u c e d M

8、e a n w h i l e t h el o wc o s tt e c h n o l o g yf o rm a n u f a c t u r i n gs o l a rg r a d em u l t i c r y s t a ls i li c o ni si n t r o d u c e da n di ti sp o i n t e do u tt h a tt h em e t a l l u r g i c a lm e t h o dm a y b et h e f u t u r er e s e a r c hd i r e c t i o nf o rp u

9、 r i f y i n gm u l t i c r y s t a ls i l i c o n K e yw o r d s：S o l a rg r a d es i l i c o n；S i l i c o np u r i f i c a t i o n；M a n u f a c t u r i n gp r o c e s s；R e s e a r c hp r o g r e s s光伏发电是目前可再生能源中比较成熟的技术，光伏产业的高速增长，催生了对多晶硅的大量需求，图1 为世界光伏产业高速发展的形势 I 。在大多数国内光伏企业中，硅材料的成本占到了太阳能电池总生产成本

10、的5 6 2 以上，约占并网光伏发电系统成本的3 0【1 ，太阳能电池成本构成图如图2 所示L 1 J。光伏产业应用的市场障碍主要是成本过高以及硅材料的短缺。目前，用于生产太阳能级多晶硅的原料主要来自收稿日期：2 0 0 8 0 9 0 7：修订E l 期：2 0 0 8 一1 0 0 8基金项目：国家自然科学基金重点项目(5 0 4 7 4 0 5 5)作者简介：罗大伟(1 9 8 3 一)，内蒙古通辽人，博士研究方向：太阳能级多晶硅的制备与研究E m a i l：l u o d l u t y a h o o c o r n c n1 7 2 1于微电子工业中生产的边角废料，一是在工业硅提

11、纯过程中达不到电子级硅要求而产生的废料；二是拉成的单晶硅锭在做硅片切割时两头截去的部分，经重熔铸锭后生产太阳能硅片，是主要的原料来源。考虑到应用于微电子工业和光伏领域的硅的规模和纯度以及包含在工艺过程中的成本的不同，研究者们的注意力都已经转移到寻找更加经济的途径来生产太阳能级硅。1冶金法制备太阳能级多晶硅的特点目前获得太阳能级多晶硅的途径被分为两类，第一类是化学路径即借助于西门子工艺来提纯硅，第二类是冶金法，包括直接从冶金级硅获得太阳能级硅2 l。万方数据80 0 070 0 060 0 050 0 040 0 030 0 020 0 0l0 0 0D e c 2 0 0 8砰：勰喙墩。；o

12、删山，岳，n7 I，。一。一。，+，_，-，。，嘲F i g 1H i g hs p e e dd e v e l o p m e n ts i t u a t i o no ft h ew o r l dp h o t o v o h a i ei n d u s t r y图2 太阳能电池成本构成F i g 2P r o d u c tc o s to fs o l a rc e l l冶金法最早是由川崎制铁(K a w a s a k iS t e e lC o r p)于1 9 9 6 年起，在N E D O 的支持下开发的由工业硅生产太阳能级硅方法。冶金法主要采用冶炼的方法对工业硅进

13、行提纯。相对于化学途径而言，冶金法生产太阳能级多晶硅具有以下优点。(1)冶金法生产太阳能级多晶硅总的生产成本比化学途径要低很多，冶金法生产成本为1 3 1 5 欧元k g，化学途径为2 0 2 5 欧元k g。(2)化学路径路径中包含氯代硅烷的生成和与盐酸反应的过程，除了有毒以外，这些化合物还具有腐蚀性，能够对皮肤和黏液似的薄膜产生刺激，而冶金法不包含生成氯代硅烷的过程，不会产生上述问题。(3)通过化学反应得到两种硅烷化合物三氯化硅和四氯化硅在太阳能级硅生产工艺过程中作为中间产物，不但具有高的挥发性、腐蚀性和有毒，而且在操作过程中也需要高度的仔细。因为在有水和盐酸的情况下，他们是极易发生爆炸的

14、，冶金法相对比较安全。(4)在利用化学方法生产太阳能级多晶硅过程中，生产每平方米的电池大约排放0 0 0 2k g 的氯气，由于氯气的密度大于空气，能够加速中毒的过程，因此控制氯气的排放是非常重要的，冶金法生产过程中则不会产生氯气。(5)冶金过程中总的能量消耗是比较低的，实际1 7 2 2上的能量消耗大约要比西门子工艺过程能量的消耗低2 5 左右。从环境的角度来看，冶金法具有重要的意义，因为光伏工业的高速增长是与可更新和清洁的能量产生方式直接相关联的，由于冶金法投资少，建设周期短，生产能耗低，所以被公认为是多晶硅制备工艺中较有前途的一种工艺。2 冶金法制备太阳能级硅的原理2 1定向凝固原理工业

15、硅中还有多种金属杂质和非金属杂质，如表1 所示，除B、P、A s、O 等几种杂质外，其它杂质在硅熔体结晶过程中的平衡分凝系数远小于1，利用这个特性，采用定向凝固使杂质原子不断从固一液界面偏析到硅熔体中，待硅熔体全部结晶完毕，采用机械切除杂质浓度高的部分，获得提纯多晶硅 3“。定向凝固工艺是一种去除杂质非常有效的方法，整个过程中没有任何化学反应，在理想的定向凝固条件下，除了P、B、o 和C 以外，大部分的杂质通过两次的定向凝固精练以后都能够满足太阳能级硅的要求。但是定向凝固工艺成本比较高，通过减少定向凝固的次数，能够大幅度的降低太阳能级硅的生产成本。表1 硅熔体结晶过程中杂质平衡分凝系数T a

16、b 1E q u i l i b r i u ms e g r e g a t i o nc o e f f i c i e n t so fi m p u r i t i e si nt h ec r y s t a l l i z a t i o np r o c e s so fs i l i c o n(尼。一f。c 1)杂质平衡分凝杂质平衡分凝杂质平衡分凝元素系数元素系数元素系数B9 1 0 一1o一1L il 1 0 2A l2 1 0 1C7 1 0 2Z n1 1 0 一5G a8 1 0 3S n1 6 1 0 2M n1 1 0 5I n4 1 0 4A u3 1 0 5S

17、1 1 0 5T i2 1 0 一6C u5 1 0 4P3 5 1 0 1N4 1 0 一4C o8 1 0 6A s3 1 0 1S b2 3 1 0 一2F e8 1 0 8A g1 1 0 52 2 饱和蒸汽压原理真空条件下除杂的效果主要取决于杂质的蒸汽压、炉内的真空度和熔炼的温度，挥发是去除杂质的主要途径，比基体饱和蒸气压大的杂质元素容易除掉，但也有不利的一面，即基体由于挥发损失很大。各种主要杂质的饱和蒸汽压与温度的关系如图3 所示J，可以看出，各种杂质的饱和蒸气压都随温度的升高而升高，瞬间将基体材料加热至高温状态，从而增加杂质元素的饱和蒸汽压，使杂质元素易于挥发去除。利用硅中P、A

18、 I、N a、M g、S、C i 等杂质具有远大于硅元素的饱和蒸气压，在高温真空环境中更易以气体形式从硅熔0OO0O0OO 曩765432 O万方数据D e c 2 0 0 8玉。，、：、。h，j；一。罗夹俸等：冶金法制备太阳能级硅的原璜及体表面挥发出去的特性，应用高真空设备，抽出硅熔体中挥发的杂质气体达到去除杂质的目的。尤其是硅熔体中分凝系数较大，对硅材料性能影响很大的P 杂质。对于那些蒸汽压接近于或者高于硅的蒸汽压的杂质元素，利用真空条件下的蒸发技术去除是非常有效的。在15 0 0 时硅的蒸汽压为5 1 0 P a，图4 为在15 0 0 时各种杂质的除杂率与蒸汽压的关系 6 ，由于B 的

19、蒸汽压在相同温度下比硅的蒸汽压要低很多，所以利用真空挥发并不能去除杂质B。l O 1 0 l O 叫芒1 0。妻 5糕1 0“1 0 21 0 1 11 0 jS i O(0 1 6 m a s s p p m)百一7 0 0l7 5 018 0 0l8 5 0温度K图3 饱和蒸气压与温度的关系F i g 3R e l a t i o nb e t w e e nt e m p e r a t u r ea n ds a t u r a t i o nv a p o rp r e s s u r e s兮已膊篮粕帕垛1 0 09 04 03 0一Si-no+60F eA IC av BT iP

20、口C U4-M noM g1 0 41 0 21 0。1 021 0 41 0 6蒸汽压P a图4 杂质的除杂率与其蒸汽压的关系F i g 4R e l a t i o n s h i pb e t w e e nr e m o v a le f f i c i e n c yo ft h ei m p u r i t i e sa n dv a p o rp r e s s u r e s2 3 抗腐蚀性原理由于硅对所有的酸(除了H F 酸以外)都具有较高的抗腐蚀性。所以利用酸洗来去除偏析在晶界处的杂质相是一种非常有效的方法。最近S a k a t aT等对酸洗提纯硅进行了系统的基础研究，从

21、本质上说，酸洗主要是利用了硅具有较小的分凝系数的特性，借助于富含杂质相的溶解，剩余的硅晶体得到了提纯。然而，仅仅依靠酸洗并不能制备出高纯度的硅。还必须借助于其他的辅助提纯工艺才能生产出高纯度的硅。2 4造渣原理造渣去杂利用硅熔体中某些不易挥发性杂质与加1 7 2 3铸速技术j 庄铸飞F o u n d r yT e c h n o l o g y。o 旧C a s t,n g葶，嗣入硅熔体中的造渣剂发生化学反应，形成渣相上浮到硅熔体表面或下沉到硅熔体底部，凝固后与提纯硅结晶体分开，达到去杂效果。在定向凝固提纯工艺中，A l、F e、C a、B 等元素并不能通过一次定向凝固过程而达到太阳能级硅的

22、要求，虽然通过两次定向凝固能够达到要求，但是考虑到成本问题，最好只用一次定向凝固工艺。M o r i t aK 等口1 利用生成易于被酸洗掉的富含杂质的相来去除一些比较难处理的金属元素，得到了比较好的效果。但对于如何选择合适的造渣剂，既可以和硅熔体中的杂质有效反应形成渣相，又不带入新杂质，并容易在硅熔体定向凝固完成后进行切除，还需要进行大量实验和比较。2 5 吹气原理以氩气作为载气，将一定种类、数量的反应气体和反应物质粉末以一定流速和压力通入提纯炉，反应气体、反应物质粉末与坩埚中的硅熔体表面的杂质发生化学作用，生成挥发性气体或渣相，而真空系统不断抽走杂质气体。K i c h i y aS u

23、z u k l C 叼等对于氩气作为载体，氧气、二氧化碳气体以及水蒸气单独为反应气体或者彼此之间的混合气体作为反应气体的情况进行了系统的研究表明，反应气体中含有氧气和二氧化碳气体时，硅熔体的表面形成了一层S i O。薄膜，阻止了熔体内部的杂质元素与反应气体之间的相互作用，当反应气体中含有水蒸气的情况下，杂质去除的情况得到了明显的改善。因为水蒸气能够阻止S i O：薄膜的形成，所以能够使反应气体和熔体硅中的杂质元素进行充分的反应。在吹气过程中通入的气体不断搅动硅熔体，不仅加速杂质扩散，而且可以使硅熔体表面不断更新，提高化学反应速率。整个吹气过程中应严格控制反应气体成分、吹气速度，保持炉内的真空度

24、和热场温度分布等，使去杂效果达到最佳。3 冶金法制备太能级多晶硅的工艺制造太阳能级多晶硅的最直接和最经济的方法就是将金属级硅低成本地提纯，升级成可以用于太阳电池制造的太阳能级硅，而不是采用电子级高纯多晶硅的精细化学提纯工艺，其中最重要的就是将金属硅中的高浓度杂质降低到1p p m a 以下。在金属硅中，杂质含量通常在0 5 以上，其中B 和P 的浓度为2 0 6 0p p m a，F e 的浓度为16 0 0 30 0 0p p m a，A i 的浓度为12 0 0 40 0 0p p m a，T i 的浓度为1 5 0 2 0 0p p m a，C a 的浓度为6 0 0p p m a。在硅

25、中，除B 和P 以外，其他金属杂质的分凝系数都较小，在1 0-5 左右或者更小，所以能够通过定向凝固的方法进行去除如。但是B万方数据囊飞 孙。：。，i?。r。?，j。2。；_!。：；I I I R j|。降，ir 和P 在硅中的分凝系数比较大，分别是0 9 和0 3 5，很难通过定向凝固的方法将它们去除。虽然国际上已经发展多种方法制备太阳能级多晶硅，但是由于没有经济实惠的技术去除B 和P，导致到目前为止，还没有一种技术能够投入大规模的工业应用。在现有的技术中，金属硅的提纯技术主要有以下几种。(1)酸洗酸洗法是日本提出的一种把冶金级硅粉碎制成太阳能级多晶硅的方法 1。首先对冶金级工业硅进行熔盐精

26、制处理，把碳酸钡、氧化钡和氢氧化钡按一定比例加到熔体抬包中，通入氧化气体，并使熔体适当搅动。熔体的温度在15 5 0 20 0 0 之间，时间为1h以上。之后倒人金属模，冷却后成5 1 0m m 小块，用盐酸、氢氟酸、硝酸、硫酸或它们的混合酸浸出。酸的用量是硅量的1 5 5 倍，浸出的时间为2 0 5 0h，在室温下进行。处理前后杂质含量如表2。表2 处理前后杂质含量硼)T a b 2I m p u r i t yc o n t e n t sb e f o r ea n da f t e rt r e a t m e n t 伽()杂质处理前处理后杂质处理前处理后B2 6 14 0C r2

27、2 40 0 4A l2 2 60 1F e3 4 50 6P8 3 8O 1N i1 6 50 5T i1 4 10 0 1 8Z r9 0 30 0 7V9 3 80 0 1 5实验发现杂质在硅中的状态分3 类：B、P、A 1 以取代硅原子和充填硅原子的间隙为主，浸出时不易除去；F e、M g、C a、C 等多沉淀于硅的晶界上，主要以硅化物(F e-S i、F e A 1-S i、C a A l。S i 2)和氧化物(M g O、C a O 等)的形态存在；而碳化物(S i C、C a：C 等)沉积于晶粒界面处，此类杂质多溶于酸，在浸出时易于除去。(2)碳热还原反应先进的碳热还原工艺是由西

28、门子公司研发的，具体过程为：将高纯石英砂制团后，用压块的炭黑在电弧炉中进行还原。炭黑是用热H C I 浸出过，使其纯度和氧化硅相当，因而其杂质含量得到了大幅度的降低。目前存在的主要问题还是碳的纯度得不到保障，炭黑的来源比较困难。碳热还原方法如果能采用较高纯度的木炭、焦煤和S i O z 作为原材料，那将非常有发展前景。碳热还原方法的重点研究方向包括：优化碳热过程、多晶硅提纯技术和中间复合物S i O 的研究。荷兰能源研究中心(E R C N)正在开发硅石碳热还原工艺u 引，使用高纯炭黑和高纯天然石英粉末作原材料，使原材料的B、P 杂质含量降到了1 1 0“级以下，只是目前还处于实验室阶段。1

29、7 2 4”“t t心、i L j”。_ 寸、j，(3)定向凝固D e c 2 0 0 8从熔体硅中直接拉制晶体(例如切克劳斯基法或者区熔生长)或者熔体硅的定向凝固(例如区熔硅，铸锭生长多晶硅)过程中，在熔体中都存在杂质的分凝现象。在铸锭生长的最后阶段，杂质的大部分都分布在定向凝固硅锭的顶部附近，或者是集中在坩埚附近的薄层内。这种提纯方法可以用来改进多晶硅的纯度，来自硅中的杂质的去除效率取决于杂质的分凝系数的大小，对于浅搀杂剂来说金属杂质的分凝现象是更加显著的。(4)吹气通过吹气工艺能够获得纯度为9 9 9 9 的多晶硅。吹气是利用化学反应，使杂质形成挥发性物质，如在保护气体中加入含氧气、湿氢

30、气、氯气、硅烷气体、二氧化碳或者他们的混合气体，这些气体能够和硅熔体中的杂质发生反应，形成可挥发物质，达到去除杂质的目的；另外，在熔体中也可以加入一些化学物质粉末，同样可以使杂质形成挥发性物质。例如许多金属杂质的氯化物和B O H 都是易挥发物质，这种方法对于去除A l、C a、C、M g、F e、B、P 和T i 是比较有效的。(5)造渣或者钙洗该方法是添加与杂质有亲和力、能形成稳定化合物的物质，凝固时形成沉淀相，然后通过沉淀在坩埚壁上，利用“筛孔”进行过滤或者利用酸和溶剂进行滤取。例如，添加C a 可以成功的降低F e、T i 和P 的浓度。T a k a h i r oM i k i 和

31、K M o r i t a 等报道m 3 熔融时C a 的添加，在17 3 2K 下有效降低影响载流子寿命的F e、T i 这两种杂质元素浓度可能性。T o m o h i t o等 1 4 用化学平衡的方法研究17 3 2K 下熔融硅中C a与P 作用的性质，得出C a 的添加有利于减少P 在S i中的分凝系数，形成C a。P。沉积在第二相C a S i：附近，利用酸洗的方法能够洗去，C a 添加量为5 7 时，P 去除率达8 0。另一个例子是将粉碎的硅埋在具有低熔点的金属里，例如铝、银或者锌m ，在低于硅的熔点以下(11 0 0)，硅可以以S i A l 共晶的形式被完全液化。在冷却过程中

32、，硅在铝中的固溶度降低，同时硅的沉淀物形成，可以通过“筛孔”进行过滤，使其与熔融的A 1 分离，然后再通过酸洗硅颗粒就得到了提纯。值得注意的是，加入的添加剂不要给硅材料增添新的杂质，以致在其后的过程中需要附加的处理。(6)等离子体精炼铸吣压一一本拽一遵一每鬻。万方数据D e c 2 0 0 8溉i、i巴、m。i o、A。：罗大俸等：冶金法制备太阳熊级硅的原理及研究进展。、，。一、。，赵等离子体冶炼作为一种新型的硅粉提纯技术已引起人们的重视L l6|。它利用辉光放电产生的冷等离子体中的活性反应粒子(如氯、氢、氧等原子或离子)与硅粉表面的杂质发生气一固反应。生成气态物质后被真空系统抽走，从而达到将

33、硅粉提纯的目的。它具有工艺简单、能耗低、效率高的特点。特别是它可以把硼、磷等非金属杂质去掉9 0 以上，这是湿法冶金难以做到的。等离子弧热量集中，炉料加热不均匀，结合电磁连铸搅拌技术，保持液态硅在电磁连铸过程中表面与本体的液体流动与传质 1“，吹人氢气、氧气以及水蒸气，让液态硅中的B 形成挥发性的B O H，可将B 含量从1 5 1 0“降低到2 1 0 一。(7)电子束精炼电子束提纯是在真空下进行的熔炼过程，具有很高的真空度，能强化所有气态生成物的冶金反应，使熔炼过程中脱气、分解、挥发和脱氧过程进行得更充分，能获得更好的提纯效果。电子束真空熔炼能将在17 0 0K 下蒸气压高于0 0 6 8

34、9P a 的杂质(A I、P)挥发出去，控制真空度在1 1 0 叫1 0 2 P a 范围内，能将硅的纯度从9 9 9 2 提高到9 9 9 9 9 8 18|。上述的每一种技术并不能同时去除所有的杂质。往往只能对其中的几种杂质有效。因此，在硅的提纯过程中，上述技术不是独立使用的，而是组合使用。在实际工艺中，既可以产生挥发性物质，也可以产生炉渣。同时，这些技术也和保护气的应用结合起来。通常，保护气被用一定的速度吹人反应炉，并被迅速抽走，这些气体可以携带反应气体、反应粉末和反应液体，和硅中杂质起化学作用，生成挥发性物质或炉渣，如氧气和氢气可以和硅中的B 反应，生成挥发性的B O H；另外，吹气可

35、以增加熔体的搅动，导致杂质扩散加快，化学反应加剧，有利于杂质的去除。4 结语进入2 1 世纪，随着光伏产业对多晶硅需求的迅速增长，全球光伏产业面临前所未有的机遇和挑战。近来不断涌现出多种专门用于太阳能级多晶硅生产的低成本新工艺，如汽一液沉积法、无氯技术、熔融电解法、铝热还原法、重掺硅废料提纯法、以及常压碘化学气相传输净化法等。虽然国外研究开发的相关工艺技术为我国自行研究低成本提纯冶金硅至太阳能级硅提供了宝贵经验，但是，目前太阳能级多晶硅制备技术工艺主要掌握在美国、日本、德国以及挪威等国家的几个主要生产厂商中，形成技术封锁和垄断。我国的多晶硅生1 7 2 5产厂家大多采用的是改良西门子技术。为满

36、足社会经济日益发展的需求，急需进一步扩大多晶硅生产的规模和加强低成本新技术与新工艺的研究。参考文献 1 屈平，白木，周洁中国多晶硅发展处于起步阶段 J 电器工业，2 0 0 8，(5)：2 4 2 9 2 3AF BB r a g a，SPM o r e i r a，PRZ a m p i e r i，e ta 1 N e wp r o c e s s e sf o rt h ep r o d u c t i o no fs o l a r-g r a d ep o l y c r y s t a l l i n es i l i c o n：Ar e v i e w J S o l a rE

37、 n e r g yM a t e r i a l s S o l a rC e l l s，2 0 0 8，9 2：4 1 8-4 2 4 3 3 吴亚萍。张剑，高学鹏，等多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究 J 特种铸造及有色金属，2 0 0 6，(1 2)：7 9 2 7 9 4 4 3吴亚萍太阳能级多晶硅的冶金制备研究 D 大连：大连理工大学，2 0 0 6 5 3Y u g eN，H a n a z a w aK，N i s h i k a w aK，e ta 1 R e m o v a lo fp h o s p h o r u s，a l u m i n u ma n dc a l

38、 c i u mb ye v a p o r a t i o ni nm o l t e ns i l i c o n(i nJ a p a n e s e)j-I J a p a nI n s tM e t a l s，1 9 9 7，6 1：10 8 6-10 9 3 6 3P i r e sJC&，O t u b oJ，B r a g aAFB，e ta 1 T h ep u r i f i c a t i o no fm e t a l l u r g i c a lg r a d es i l i c o nb ye l e c t r o nb e a mm e l t i n g

39、 J J o u r n a lo fM a t e r i a l sP r o c e s s i n gT e c h n o l o g y，2 0 0 5，1 6 9：2 1-2 5 7 S a k a t aT，M i k iT，M o r i t akR e m o v a lo fI r o na n dT i t a n i u mi nP o l y-C r y s t a l l i n eS i l i c o nb yA c i dL e a c h i n g J J p nI n s tM e t a l s2 0 0 2，6 6：4 5 9 4 6 5 8 3M

40、 o r i t aK，M i k i T T h e r m o d y n a m i c so fS o l a r G r a d e S i l i c o nR e f i n i n g c R o m e：I n t e r n a t i o n a lM e e t i n go nT h e r m o d y n a m i c so fA l l o y s，2 0 0 2，(9)：8-1 3 9 3K i c h i y aS u z u k i l，T o m o n o r iK u m a g a，N o b u oS a n o R e m o v a l

41、o fB o r o nf r o mM e t a l l u r g i c a lg r a d eS i l i c o nb yA p p l y i n gt h eP l a s m aT r e a t m e n t J I S I JI n t e r n a t i o n a l。1 9 9 2，3 2：6 3 0 6 3 4 1 0 JC SP i r e s a，AF BB r a g a，PRM e i P r o f i l eo fi m p u r i t i e si np o l y c r y s t a l l i n es i l i c o ns

42、 a m p l e sp u r i f i e di na ne l e c t r o nb e a mm e l t i n gf u r n a c e J S o l a rE n e r g yM a t e r i a l s&S o l a r C e l l s 2 0 0 3，7 9：3 4 7 3 5 5 1 1 何允平工业硅熔炼 M 沈阳：东北工学院出版社，1 9 8 8 1 2 3G e e r l i g sLJ，W y e r sG P，J e n s e nR，e ta 1 s o l a r-g r a d es i l i c o nb yad i r e

43、 c tr o u t eb a s e do nc a r b o t h e r m i cr e d u c t i o no fs i l i c o nR e q u i r e m e n t sa n dp r o d u c t i o nt e c h n o l o g y M E C NR e p o r t，T h eN e t h e r l a n d s，2 0 0 2 1 3 T a k a h i r oM i k i T h e r m o d y n a m i cP r o p e r t i e so fT i t a n i u ma n dI r

44、o ni nM o l t e nS i l i e o n J M e t a l l u r g i c a la n dM e t e r a l sT r a n s a c t i o n sB，1 9 9 7，2 8：8 6 1-8 6 7 1 4 3T o m o h i t oS h i m p o，T a k e s h iY o s h i k a w a，K a z u k iM o r i t a。蟹l藩罐妒铸咻渥一智r术拽一连一，_ 哥，一事万方数据辨铸连救术jh 压铸F o u n d r yT e c h n o l o g yO eC a s t i n g评T

45、 h e r m o d y o a m i eS u d yo ft h eE f f e c tC a l c i u mo nR e m o v a lo fP h o s p h o r u sf r o mS i l i c o nb yA c i dL c a c h i n gT r e a t m e n tE J M e t a l l u r g i c a la n dM a t e r i a l sT r a n s a c t i o n sB2 0 0 4，3 5：2 7 7 2 8 4 1 5 3P SK o t v a l，HBS t r o c k，P r

46、o c e s sf o rt h ep r o d u c t i o no fi m p r o v e dr e f i n e dm e t a l l u r g i c a ls i l i c o n P U SP a t e n t，4 1 9 3 9 7 5(1 9 8 0)1 6 3S a n g e e t aDR，Z h e n g k u iX，D a v i dAP N a n o m e t e r S i z e dZ r 0 2P a r t i c l e sP r e p a r e d b yaS o l E m u l s i o n-G e l招D

47、e c 2 0 0 8M e t h o d J JA mC e r a mS o c，1 9 9 0，7 3(9)：27 6 0 27 6 3 1 7 YD e l a n n o y，CA l e m a n y，L iK I，e ta 1 P l a s m ar e f i n i n gp r o e e s st op r o v i d es o l a rg r a d es i l i c o n-j S o l a rE n e r g yM a t e r i a l s S o l a rC e l l s，2 0 0 2，7 2：6 9 7 5 1 8 3JcSP i

48、 r e s，AF BB r a g a，PRM e i P r o f i l eo fi m p u r i t i e si np o l y c r y s t a l l i n es i l i c o ns a m p l e sp u r i f i e di na ne l e c t r o nb e a mm e l t i n gf u r n a c e J S o l a rE n e r g yM a t e r i a l s s o l a rC e l l s 2 0 0 3，7 9：3 4 7 3 5 5 聘慈溪市汇丽机电有限公司地处浙江省慈溪市匡堰镇，占

49、地面积8万多平方米，年产铸件3 万吨、电机5 万台，2 0 0 7 年实现销售总额4 亿元。公司日前有员工1 3 0 0 多人，主要从事生产加工各类灰铸铁、球墨铸铁及合金铸铁零件。公司内各种铸造、加工、检测和测试设备齐全，具有自主开发、设计、研制、生产和检测的雄厚实力。公司拥有自营出r 丁权利，铸件出口的世界各地，如美国、加拿大、日本、法国、瑞典、以色列等等。公司的主要客户有美国的马拉松电器，爱默生电器，罗克韦尔，日本的东芝公司和安川电机等。公司始终遵循“我所做的一切都是为了使您满意”的企业宗旨和质量方针，以“六两格玛”为指导进行生产和质量管理控制，通过并贯彻执行I S 0 9 0 0 1 2

50、 0 0 0 幽际质量管理体系认证标准。公司以卓越的质量、合理的价格、完善的服务、可靠的信誉，赢得-r 世界各地新老客户的赞许。公司被评为中国铸件出口龙头企业、浙江省高新技术企业、宁波市劳动关系和谐企业、宁波市成长之星企业、慈溪市劳动保障管理三星级企业、慈溪市百强企业。我们热诚欢迎业界精英和各类人才的加盟。因生产需要，谶聘下列人员：铸造工程l J f f j 3 名，铸造专业大专以上学历，年龄3 0 5 0 岁，从事铸造工艺设计工作5 年以上，精通灰铸铁、球墨铸铁件的工艺、工装设计，能熟练使用C A D。现场指导师傅3 名，助理工程师以上职称，年龄5 5 岁以下，从事铸造现场生产工作1 0 年