(中职)电子技术基础与技能模块1教学课件第二版().ppt
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1、YCF(中职)电子技术基础与技能模块1教学课件第二版章节目录章节目录模块模块1 1 晶体二极管及其应用晶体二极管及其应用模块模块2 2 晶体三极管及放大电路基础晶体三极管及放大电路基础模块模块3 3 集成运算放大电路集成运算放大电路模块模块4 4 直流稳压电源直流稳压电源模块模块5 5 数字电路基础数字电路基础模块模块6 6 组合逻辑电路组合逻辑电路模块模块7 7 触发器触发器模块模块8 8 时序逻辑电路时序逻辑电路模块模块9 9 数模转换和模数转换数模转换和模数转换 上一页 下一页 返回模块模块1 1 晶体二极管及其应用晶体二极管及其应用 电子技术基础与技能电子技术基础与技能上一页 下一页
2、返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用课题课题2 2 整流电路的应用整流电路的应用课题课题3 3 滤波电路的类型和应用滤波电路的类型和应用 课题课题4 4 晶闸管及应用电路晶闸管及应用电路 目录目录上一页 下一页 返回任务导入任务导入 随着科学水平的提高,新颖的电子产品不断涌现,如大随着科学水平的提高,新颖的电子产品不断涌现,如大家熟悉的随身听、随身家熟悉的随身听、随身CDCD机、快译通和数字调频收音机等。机、快译通和数字调频收音机等。它们的出现极大地丰富了我们的文化娱乐生活,这些电子产它们的出现极大地丰富了我们的文化娱乐生活,这些电子产品都要求电源提供稳定且符合规定数值要求的直
3、流电压。常品都要求电源提供稳定且符合规定数值要求的直流电压。常用的供电方式有两种:一种是使用市电的直流低压电源,另用的供电方式有两种:一种是使用市电的直流低压电源,另一种是使用干电池。干电池又有一次性干电池和可充式干电一种是使用干电池。干电池又有一次性干电池和可充式干电池之分。池之分。上一页 下一页 返回任务导入任务导入 可充式干电池具有可以重复使用的特点,学习本模块可充式干电池具有可以重复使用的特点,学习本模块内容后,我们可以制作充电器,既能对两节内容后,我们可以制作充电器,既能对两节5 5号或号或7 7号可充号可充干电池充电,又能在输出插口中输出一稳定的直流电压,干电池充电,又能在输出插口
4、中输出一稳定的直流电压,电压的范围为电压的范围为1.51.56V6V,可自由选择,最大输出电流约为,可自由选择,最大输出电流约为200mA200mA。导入图。导入图1-11-1所示为充电器的实物图。所示为充电器的实物图。上一页 下一页 返回 半半导导体体器器件件是是2020世世纪纪中中期期开开始始发发展展起起来来的的,具具有有体体积积小小、重重量量轻轻、使使用用寿寿命命长长、可可靠靠性性高高、输输入入功功率率小小和和功功率率转转换换效效率率高高等等优优点点,因因而而在在现现代代电电子子技技术术中中得得到到广广泛泛的的应应用用。半半导导体体器器件件是是构构成成电电子子电电路路的的基基础础。半半导
5、导体体器器件件和和电电阻阻、电电容容、电电感感等等电电子子元元器器件件连连接接起起来来,可可以以组成各种电子电路。组成各种电子电路。顾顾名名思思义义,半半导导体体器器件件都都是是由由半半导导体体材材料料制制成成的的,因此必须先对半导体材料的特点有一定的了解。因此必须先对半导体材料的特点有一定的了解。课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用一、半导体及一、半导体及PNPN结结 上一页 下一页 返回1.1.半导体的基本特性半导体的基本特性 在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性能的不同大体可分为能的不同大体可分为导体导体、绝缘体绝缘体和和半
6、导体半导体三大类。三大类。通常将很容易导电、电阻率小于通常将很容易导电、电阻率小于1010-4-4cmcm的物质,的物质,称为称为导体导体;将很难导电、电阻率大于;将很难导电、电阻率大于1010 10 10cmcm的物质,的物质,称为称为绝缘体绝缘体;将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻;将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在率在1010-4-4 cm cm 1010 10 10 cm cm范围内的物质,称为范围内的物质,称为半导半导体体。下一页上一页返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用 (1 1)热敏性)热敏性 所谓所谓热敏性热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高就是半导
7、体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。而迅速增加。半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。例如纯净的半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。例如纯净的锗从锗从2020升高到升高到3030时,它的电阻率几乎减小为原来的时,它的电阻率几乎减小为原来的1 12 2。而一般的金属导体的电阻率则变化较小,比如铜,。而一般的金属导体的电阻率则变化较小,比如铜,当温度同样升高当温度同样升高1010时,它的电阻率几乎不变。时,它的电阻率几乎不变。上一页 下一页 返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用 (2 2)光敏性)光敏性 半导体的导电能力随光照的变化有
8、显著改变的特性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做叫做光敏性光敏性。一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的1%1%。自。自动控制中用的光电二极管和光敏电阻,就是利用光敏特动控制中用的光电二极管和光敏电阻,就是利用光敏特性制成的。而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般性制成的。而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。没有什么变化。下一页上一页返回 (3 3)杂敏性)杂敏性 所谓所谓杂敏性杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而就是半导体的
9、导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。发生很大的变化。在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之下降到原来的几万分之。所以,利用这一特性,可以制。所以,利用这一特性,可以制造出不同性能、不同用途的半导体器件。而金属导体即使造出不同性能、不同用途的半导体器件。而金属导体即使掺入千分之一的杂质,对其电阻率也几乎没有什么影响。掺入千分之一的杂质,对其电阻率也几乎没有什么影响。下一页上一页返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用 2.2.本征半导体本征半导体 本征半导体本征半导体是指完全是指完全纯净纯净的,具有晶体的,
10、具有晶体结结构(既原构(既原子排列按一定子排列按一定规规律排得非常整律排得非常整齐齐)的半)的半导导体。如常用半体。如常用半导导体材料硅(体材料硅(SiSi)和)和锗锗(GeGe)。在常温下,其)。在常温下,其导电导电能力能力很弱;在很弱;在环环境温度升高或有光照境温度升高或有光照时时,其,其导电导电能力随之增能力随之增强强。下一页上一页返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用请看看动画画下一页上一页返回3.3.杂质半导体杂质半导体 在本征半在本征半导导体中,人体中,人为为地地掺掺入少量其他元素入少量其他元素(称称杂质杂质),可以使半,可以使半导导体的体的导电导电性能性能发发生生显
11、显著的著的变变化。利用化。利用这这一特一特性,可以制成各种性能不同的半性,可以制成各种性能不同的半导导体器件,体器件,这样这样使得它的使得它的用途大大增加。用途大大增加。掺掺入入杂质杂质的本征半的本征半导导体叫体叫杂质杂质半半导导体。体。根据根据掺掺入入杂质杂质性性质质的不同,可分的不同,可分为为两种:两种:N N型半型半导导体和体和P P型型半半导导体。体。(1 1)N N型半导体(型半导体(图图1-1-1a1-1-1a)课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用返回多余电子多余电子SiPSiSiN N型半导体型半导体+上一页 下一页课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用(2
12、 2)P P型半导体(型半导体(图图1-1-1b1-1-1b)在本征半导体中掺入正三价杂质元素(如硼、镓)在本征半导体中掺入正三价杂质元素(如硼、镓)时,就形成时,就形成P P型半导体。型半导体。P P型半导体中,空穴数量多,型半导体中,空穴数量多,自由电子数量少,参与导电的主要是带正电的空穴,自由电子数量少,参与导电的主要是带正电的空穴,如图如图1-21-2所示。所示。下一页上一页返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用返回P P型半导体型半导体 SiSiSiB硅原子硅原子上一页 下一页课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用4.PN4.PN结结 当把一当把一块块P P型
13、半型半导导体和一体和一块块N N型半型半导导体用特殊工体用特殊工艺紧艺紧密密结结合合时时,在二者的交界面上会形成一个具有特殊,在二者的交界面上会形成一个具有特殊现现象的薄象的薄层层,这这个薄个薄层层被称被称为为PNPN结结。而。而PNPN结结具有具有单单向向导电导电的特性。二极管的特性。二极管的核心正是的核心正是PNPN结结。在。在实际应实际应用中的二极管种用中的二极管种类类很多,用途也很多,用途也十分广泛,掌握二极管的特性和十分广泛,掌握二极管的特性和应应用常用常识识是本章的重点。是本章的重点。下一页上一页返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用PNPN结结的形成的形成课题课题1
14、 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用1 1二极管的结构二极管的结构 图图1-1-21-1-2所示是用于家用电器、稳压电源等电子产品的各所示是用于家用电器、稳压电源等电子产品的各种不同外形的晶体二极管(简称二极管)。种不同外形的晶体二极管(简称二极管)。二、晶体二极管的结构、类型及符号二、晶体二极管的结构、类型及符号上一页 下一页 返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用 在在一一个个PNPN结结的的两两端端加加上上电电极极引引线线并并用用外外壳壳封封装装起起来来,就就构构成成了了半半导导体体二二极极管管。由由P P型型半半导导体体引引出出的的电电极极,称称做做正正极极(或或阳阳极
15、极),由由N N型型半半导导体体引引出出的的电电极极,称称做做负负极极(或或阴阴极极)。二二极极管管的的内内部部结结构构示示意意图图及及电电路路图图形形符符号如图号如图1-1-31-1-3所示。所示。上一页 下一页 返回上一页 下一页 返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用 按照结构工艺的不同,二极管有按照结构工艺的不同,二极管有点接触型点接触型和和面接触型面接触型两类。两类。点接触型点接触型二极管的结构如图二极管的结构如图1-1-41-1-4(a a)所示。这类)所示。这类二极管的二极管的PNPN结面积和极间电容均很小,不能承受高的反向结面积和极间电容均很小,不能承受高的反向电
16、压和大电流,因而适用于制作高频检波和脉冲数字电路电压和大电流,因而适用于制作高频检波和脉冲数字电路里的开关元件,以及作为小电流的整流管。里的开关元件,以及作为小电流的整流管。面接触型面接触型二极管又称面结型二极管,其结构如图二极管又称面结型二极管,其结构如图1-1-1-1-4 4(b b)所示。这种二极管的)所示。这种二极管的PNPN结面积大,可承受较大的电结面积大,可承受较大的电流,其极间电容大,因而适用于整流,而不宜用于高频电流,其极间电容大,因而适用于整流,而不宜用于高频电路中。路中。如图如图1-1-41-1-4(c c)所示是硅工艺平面型二极管的结构图。)所示是硅工艺平面型二极管的结构
17、图。它们的管芯结构如它们的管芯结构如图图1-1-41-1-4所示。所示。上一页 下一页 返回返回(a)(a)点接触型点接触型 (b)(b)面接触型面接触型 PN结面积小,结电容小,结面积小,结电容小,用于高频电路和开关电路。用于高频电路和开关电路。PN结面积大,用结面积大,用于工频大电流整流电于工频大电流整流电路等低频电路中。路等低频电路中。上一页 下一页课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用2.2.二极管的类型二极管的类型 半导体二极管的半导体二极管的种类种类和和型号型号很多,我们用不同的符号很多,我们用不同的符号来代表它们,例如来代表它们,例如2AP92AP9,其中,其中“2”2
18、”表示二极管,表示二极管,“A”A”表表示采用示采用N N型锗材料为基片,型锗材料为基片,“P”P”表示普通用途管表示普通用途管(P(P为汉语为汉语拼音字头拼音字头),“9”9”为产品性能序号;又如为产品性能序号;又如2CZ82CZ8,其中,其中“c”c”表示由表示由N N型硅材料作为基片,型硅材料作为基片,“z”z”表示整流管。国表示整流管。国产二极管的型号命名方法如表产二极管的型号命名方法如表1-1-11-1-1所示。所示。下一页上一页返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用表表1-1-1 1-1-1 国国产二极管的型号命名方法二
19、极管的型号命名方法上一页 下一页 返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用 电路符号中表示了二极管两根引脚极性,指示了流电路符号中表示了二极管两根引脚极性,指示了流过二极管的电流方向,这些识图信息对分析二极管电路过二极管的电流方向,这些识图信息对分析二极管电路有着重要的作用。例如,电流方向表明了只有当电路中有着重要的作用。例如,电流方向表明了只有当电路中二极管正极电压高于负极电压足够大时,才有电流流过二极管正极电压高于负极电压足够大时,才有电流流过二极管,否则二极管无电流流过。如二极管,否则二极管无电流流过。如图图1-1-51-1-5所示。所示。3 3图解普通二极管电路符号图解普通
20、二极管电路符号上一页 下一页 返回课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用图1-1-5二极管电路符号上一页 下一页 返回 把二极管接成如图把二极管接成如图1-4a1-4a所示电路,当开关所示电路,当开关S S闭合时,二闭合时,二极管阳极接电源正极,阴极接电源负极,这种情况称为二极管阳极接电源正极,阴极接电源负极,这种情况称为二极管极管(PN(PN结结)正向偏置。当开关正向偏置。当开关S S闭合时,灯泡亮,电流表闭合时,灯泡亮,电流表显示出较大电流,这时称二极管显示出较大电流,这时称二极管 (PN(PN结结)导通,流过二极导通,流过二极管电流管电流I ID D称作正向电流。称作正向电流。
21、(a)(a)二极管正向偏置二极管正向偏置 (b)(b)二极管反向偏置二极管反向偏置 课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用三、二极管的单向导电性三、二极管的单向导电性二极管的单向导电性上一页 下一页 返回 1 1加正向电压导通加正向电压导通 把二极管接成如图把二极管接成如图1-1-61-1-6(a a)所示的电路,当开关闭)所示的电路,当开关闭合时,二极管合时,二极管阳极接电源正极阳极接电源正极,阴极接电源负阴极接电源负极,这种情极,这种情况称为二极管(况称为二极管(PNPN结)正向偏置;当开关闭合时,灯泡亮,结)正向偏置;当开关闭合时,灯泡亮,这时称二极管(这时称二极管(PNPN结
22、)导通,流过二极管的电流称为结)导通,流过二极管的电流称为正向正向电流电流。课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用上一页 下一页 返回2 2加反向电压截止加反向电压截止 将二极管接成如图将二极管接成如图1-1-61-1-6(b b)所示的电路,二极管)所示的电路,二极管阳极(阳极(P P区)区)接电源负极接电源负极,阴极(阴极(N N区)接电源正极区)接电源正极,这时二极管(,这时二极管(PNPN结)称为结)称为反向偏置。开关闭合,灯泡不亮,电流几乎为零,这时称为二极反向偏置。开关闭合,灯泡不亮,电流几乎为零,这时称为二极管(管(PNPN结)截止,此时二极管中仍有微小电流流过,这个微
23、小电结)截止,此时二极管中仍有微小电流流过,这个微小电流基本不随外加反向电压变化而变化,故称为流基本不随外加反向电压变化而变化,故称为反向饱和电流反向饱和电流(亦(亦称反向漏电流),用称反向漏电流),用I Is s表示,表示,I Is s很小,但它会随温度上升而显著很小,但它会随温度上升而显著增加。因此,半导体二极管等半导体器件,热稳定性较差,在使增加。因此,半导体二极管等半导体器件,热稳定性较差,在使用半导体器件时,要考虑环境温度对器件和由它构成电路的影响。用半导体器件时,要考虑环境温度对器件和由它构成电路的影响。我我们们把二极管把二极管(PN(PN结结)正向偏置正向偏置导导通、反向偏置截止
24、的通、反向偏置截止的这这种特种特性称性称为为单单向向导电导电性性。课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用上一页 下一页 返回四、二极管的伏安特性四、二极管的伏安特性 二极管既然是一个二极管既然是一个PNPN结,结,它必然具有单向导电性。其伏它必然具有单向导电性。其伏安特性曲线如图所示。所谓安特性曲线如图所示。所谓伏伏安特性安特性,就是指加到二极管两,就是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流端的电压与流过二极管的电流的关系曲线。二极管的伏安特的关系曲线。二极管的伏安特性曲线可分为性曲线可分为正向特性正向特性和和反向反向特性特性两部分。两部分。下一页上一页返回UI导通压降导通压降:硅
25、管硅管0.60.7V,锗管锗管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗锗管管0.2V。反向漏电流反向漏电流(很小,(很小,A级)级)课题课题1 1 晶体二极管的使用晶体二极管的使用1.1.正向特性正向特性 当二极管加上很低的正向电压时,外电场还不能克服当二极管加上很低的正向电压时,外电场还不能克服PNPN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力,故正向结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力,故正向电流很小,二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定电流很小,二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值即数值即死区电压死区电压后,内电场被大大削弱,
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