电磁学4-电介质电容.ppt
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1、2.电介质的价电子处于束缚状态,不导电。一、电介质模型:1.各向同性的绝缘体;二、电介质对电场的影响:+Q电介质使外电场减小r 1,相对介电常数真空 r=1空气(0,1atm)r=1.00059纯水(0,1atm)r=80.2玻璃 r=510钛酸钡 r=1031048.2 静电场中的电介质静电场中的电介质怎样解释?分子电偶极矩模型电偶极矩模型:分子有正、负电荷分布中心,根据它们是否重合划分为非极性分子 极性分子+三、电介质的极化:H2,CO2,CH4,He等 H2O,NH3,有机酸等 有外电场无外电场 极性 分子非极性 分子正负中心发生位移,产生 电偶极矩,发生位移极化。受力矩,向外电场方向转
2、动,发生取向极化。混乱取向1.定义:电介质极化后单位体积内电偶极矩矢量和2.与束缚电荷面密度 的关系(均匀极化):lS因此四、电极化强度:其中 为外法向单位矢量(从介质内指向外)。+各向同性电介质内部各处 相同 (均匀极化)电介质沿 方向均匀极化。取底面积为 S,长为 l 的细斜圆柱体,总电偶极矩为 p总=Sl,电极化强度3.电介质中 的与场强 的关系:其中 e 为电极化率,无量纲。例1 求均匀极化的电介质球表面上极化电荷的分布,并求束缚电荷在球心处的场强。已知电极化强度 。解:为 与 的夹角,由介质内指向介质外。实验表明,各向同性介质,不太强时,二者成正比细圆环包含的束缚电荷在球心处生成的电
3、场为dR所以总电场为方向向左均匀带电圆环轴线场强公式 在外加电场 的作用下,产生束缚电荷 和极化电场 ,则总电场一、电介质中的电场:+由场强叠加原理求得而且而且r 称为电介质的相对介电常数=0r 称为(绝对)介电常数此公式解释了电介质使外电场减小的实验结果,对其他形状各向同性电介质也适用。8.3 有电介质时的高斯定理有电介质时的高斯定理二、有介质时的高斯定理:S取柱形高斯面 S,有高斯定理由定义电位移矢量穿过任一闭合面的电位移矢量 的通量等于闭合面内所包围的自由电荷自由电荷的代数和。得 的高斯定律得电介质 由自由电荷 q 或 就可决定 ,无需再知道束缚电荷 q 或 ,而且由 q 或 能够求出
4、q 或 。无电介质时,空隙空隙导体导体+qqq+q注意 e 和 r 无单位,而 0 和 有单位。三、的总结:1.电场强度 的物理意义:单位正试验电荷的受力。真空中关于静电场的所有讨论都适用于介质,包括 高斯定理、电势的定义、电场的环路定理等。2.电极化强度 的物理意义:单位体积内的电偶极 矩的矢量和。在各向同性均匀电介质中 ,表面束缚电荷 ,由负束缚电荷指向正 束缚电荷,并且只分布于介质中,真空中无 。3.电位移矢量 无物理意义,只有一个数学上的定 义 。穿过任意闭合曲面的 的 通量只与面内自由电荷相联系。真空中 。d导体板导体板S解:(1)取如图所示柱形高斯面(上),应用高斯定律b电介质r例
5、1 如图,求(1)导体板与电介质板之间空隙中的电场强度 E0;(2)电介质中的电场强度 E;(3)两导体板间的电势差。(2)仍取柱形高斯面(下),(3)V=E0(d b)+Eb例2 一个带正电的金属球,半径为 R,电量为 q,浸在油中,油的相对介电常数为 r,求球外的电场分布以及贴近金属球表面上的束缚电荷 q。(书中例8-3)qqRr解:利用 的高斯定律可见,当带电体周围充满电介质时,场强减弱为真空时的 1/r 倍。高斯面r(1)按例 1 结果,由介质表面指向介质外例3 在两平行金属板之间以不同方式插入电介质,试讨论不同情况下的 。已知金属板带电量+Q 和 Q,面积 S,忽略边缘效应。(2)r
6、1r2rSS(3)每个金属板自身为等势体,所以左右侧电压 V1=V2,E1d=E2d,E1=E2,分别在左右两个同样的柱形高斯面上利用 的高斯定律因为两式左侧相等,所以由电荷守恒,有联立上面三个着色方程,解得铜球q油r空气例4 铜球的一半浸在相对介电常数为 r 的油中,球上带电 q,问上下半球各带电多少?解:在铜球外紧贴球面取同心高斯球面 S,利用 的高斯定律所以左侧高斯面由于铜球上下为等势体,故由对称性分析知 E1=E2,即铜球q油r空气在表面小柱体上利用高斯定律 D1S=1S D2S=2S所以解得S高斯面即 D1=1,D2=2 上下半球自由电荷密度不等;计入束缚电荷后,总电荷密度相等。S六
7、、电介质的击穿:当外电场不太强时,引起电介质的极化。当外电场很强时,电介质分子的正负电荷可能被拉开而变成自由电荷,电介质的绝缘性能遭破坏而变成导体。这种现象称为电介质的击穿。击穿强度:电介质恰好被击穿时的电场强度。当外电场为非均匀电场时,电介质承受电场最大的地方最先被击穿。电容是指导体储存电荷的能力。它依赖于导体的大小、形状,表示升高单位电势所需的电量。例如球状导体所以求得地球的电容仅为 0.71 mF。8.4 电容与电容器电容与电容器一、孤立导体的电容:对一块带电导体,其电势 V(取无穷远为电势零点)与电量 Q 成正比,其比值是一个常数。定义孤立导体的电容单位:C/V=F,F=10-6 F,
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