电力电子技术课件第1章b.ppt
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1、1.3 晶闸管晶闸管v晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管,也称为可控硅(SCR)。v晶闸管是一种具有开关作用的半导体器件,工作可靠,在大容量场合具有重要地位。v目前,晶闸管的容量水平已达8kV/6kA。小电流塑封式小电流塑封式小电流螺栓式小电流螺栓式大电流螺栓式大电流螺栓式大电流平板式大电流平板式1.3.1 晶闸管的结构和工作原理晶闸管的结构和工作原理1.晶闸管的外形晶闸管的外形2.晶闸管的结构晶闸管的结构v晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。合S,IG03.晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理v欲使晶闸管导通须具备两个条件:应在晶闸管的阳极与阴极之间加正向电压
2、。应在晶闸管的门极与阴极之间也加正向电压和电流。v晶闸管一旦导通,门极即失去控制作用,故晶闸管为半控型器件。v为使晶闸管关断,必须使其阳极电流减小到一定数值以下,这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。Ib2Ic2(Ib1)Ic11.3.2 晶闸管的特性和主要参数晶闸管的特性和主要参数1.晶闸管的特性晶闸管的特性(1)晶闸管的伏安特性v当IG=0时,UA 0,处于阻断状态,漏电流很小;v当UA正向转折电压Ubo时,IA急剧,开通,UA1V;v IG越大,Ubo越小;v若IG0,且IA至IH(维持电流),则回到正向阻断状态;v当UAIG1IGv由于实际产品的门极伏安特性分散性很大,常以一条
3、典型的极限低阻门极伏安特性OD和一条极限高阻门极伏安特性OG之间的区域来代表所有器件的伏安特性。vOABCO为不可靠触发区,ADEFGCBA(阴影)为可靠触发区。其中,PG为门极允许的最大平均功率。(2)晶闸管的门极伏安特性v门极伏安特性是指门、阴极间PN结的正向门极电压UG(UGK)与门极电流IG之间的关系。(3)晶闸管的开关特性v开通过程 开通时间ton包括延迟时间td与上升时间tr,即ton=td+tr。延迟时间td:门极电流阶跃时刻开始,到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。上升时间tr:阳极电流从稳态值的10%上升到90%的时间。普通晶闸管延迟时间为0.51.5s,上升时间为0.53
4、s。v关断过程关断时间toff包括反向阻断恢复时间trr与正向阻断恢复时间tgr,即toff=trr+tgr。反向阻断恢复时间trr:从正向电流降为零到反向恢复电流减为零的时间。正向阻断恢复时间tgr:从恢复反向阻断能力开始到恢复正向阻断能力的时间。普通晶闸管的关断时间约几百微秒。2.晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数(1)断态重复峰值电压UDRM在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的 正向峰值电压。(2)反向重复峰值电压URRM 在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压。(3)额定电压断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小的那个数值标作器件型号上
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