传感器原理及其应用第五章磁电式传感器.ppt
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1、第五章 磁电式传感器6.1 6.1 磁电感应式传感器磁电感应式传感器 磁磁电电感感应应式式传传感感器器又又称称电电动动势势式式传传感感器器,是是利利用用电电磁磁感感应应原原理理将将被被测测量量(如如振振动动、位位移移、转转速速等等)转转换换成成电电信信号号的的一一种种传传感感器器。它它是是利利用用导导体体和和磁磁场场发发生生相相对对运运动动而而在在导导体体两两端端输输出出感感应应电电动动势势的的。它它是是一一种种机机-电电能能量量变变换换型型传传感感器器,不不需需要要供供电电电电源源,电电路路简简单单,性性能能稳稳定定,输输出出阻阻抗抗小小,又又具具有有一一定定的的频频率率响响应应范范围围(一
2、一般般为为10101000Hz)1000Hz),所以得到普遍应用。,所以得到普遍应用。磁磁电电感感应应式式传传感感器器是是以以电电磁磁感感应应原原理理为为基基础础的的。由由法法拉拉第第电电磁磁感感应应定定律律可可知知,N N匝匝线线圈圈在在磁磁场场中中运运动动切切割割磁磁力力线线或或线线圈圈所所在在磁磁场场的的磁磁通通变变化化时时,线线圈圈中中所所产产生生的的感感应应电电动动势势E E(V)(V)的的大大小小取取决决于于穿穿过过线圈的磁通线圈的磁通 的变化率,即的变化率,即磁磁通通量量的的变变化化可可以以通通过过很很多多办办法法来来实实现现,如如磁磁铁铁与与线线圈圈之之间间作作相相对对运运动动
3、;磁磁路路中中磁磁阻阻的的变变化化;恒恒定定磁磁场场中中线线圈圈面面积积的的变变化化等等,一般可将磁电感应式传感器分为一般可将磁电感应式传感器分为恒磁通式恒磁通式和和变磁通式变磁通式两类。两类。6.1.1 6.1.1 恒磁通式磁电感应传感器结构与工作原理恒磁通式磁电感应传感器结构与工作原理恒磁通式磁电感应传感器结构中,工作气隙中的磁通恒定,感恒磁通式磁电感应传感器结构中,工作气隙中的磁通恒定,感应电动势是由于永久磁铁与线圈之间有相对运动应电动势是由于永久磁铁与线圈之间有相对运动线圈切割线圈切割磁力线而产生。这类结构有动圈式和动铁式两种,如图所示。磁力线而产生。这类结构有动圈式和动铁式两种,如图
4、所示。磁铁与线圈相对运动使线圈切割磁力线,产生与运动速度磁铁与线圈相对运动使线圈切割磁力线,产生与运动速度d dx/x/d dt t成正比的感应电动势成正比的感应电动势E E,其大小为,其大小为式中:式中:N N为线圈在工作气隙磁场中的匝数;为线圈在工作气隙磁场中的匝数;B B为工作气隙磁感应为工作气隙磁感应强度;强度;l l为每匝线圈平均长度。为每匝线圈平均长度。当传感器结构参数确定后,当传感器结构参数确定后,N N、B B和和l l均为恒定值,均为恒定值,E E与与d dx/x/d dt t成正成正比,根据感应电动势比,根据感应电动势E E的大小就可以知道被测速度的大小。的大小就可以知道被
5、测速度的大小。由由理理论论推推导导可可得得,当当振振动动频频率率低低于于传传感感器器的的固固有有频频率率时时,这这种种传传感感器器的的灵灵敏敏度度(E E/v v)是是随随振振动动频频率率而而变变化化的的;当当振振动动频频率率远远大大于于固固固固有有频频率率时时,传传感感器器的的灵灵敏敏度度基基本本上上不不随随振振动动频频率率而而变变化化,而而近近似似为为常常数数;当当振振动动频频率率更更高高时时,线线圈圈阻阻抗抗增增大大,传传感感器器灵灵敏敏度度随随振动频率增加而下降。振动频率增加而下降。不不同同结结构构的的恒恒磁磁通通磁磁电电感感应应式式传传感感器器的的频频率率响响应应特特性性是是有有差差
6、异异的的,但但一一般般频频响响范范围围为为几几十十赫赫至至几几百百赫赫。低低的的可可到到10Hz10Hz左左右右,高高的的可达可达2kHz2kHz左右。左右。6.1.2 6.1.2 变磁通式磁电感应传感器结构与工作原理变磁通式磁电感应传感器结构与工作原理变变磁磁通通式式磁磁电电感感应应传传感感器器一一般般做做成成转转速速传传感感器器,产产生生感感应应电电动动势势的的频频率率作作为为输输出出,而而电电动动势势的的频频率率取取决决于于磁磁通通变变化化的的频频率率。变磁通式转速传感器的结构有开磁路和闭磁路两种。变磁通式转速传感器的结构有开磁路和闭磁路两种。如如图图所所示示开开磁磁路路变变磁磁通通式式
7、转转速速传传感感器器。测测量量齿齿轮轮4 4安安装装在在被被测测转转轴轴上上与与其其一一起起旋旋转转。当当齿齿轮轮旋旋转转时时,齿齿的的凹凹凸凸引引起起磁磁阻阻的的变变化化,从从而而使使磁磁通通发发生生变变化化,因因而而在在线线圈圈3 3中中感感应应出出交交变变的的电电势势,其其频频率率等等于于齿齿轮轮的的齿齿数数Z和和转转速速n的的乘乘积积,即即式式中中:Z为为齿齿轮轮齿齿数数;n为为被被测测轴轴转转速速(v/min);f为为感感应应电动势频率电动势频率(Hz)。这样当已知。这样当已知Z,测得,测得f就知道就知道n了。了。开开磁磁路路式式转转速速传传感感器器结结构构比比较较简简单单,但但输输
8、出出信信号号小小,另另外外当当被被测测轴轴振振动动比比较较大大时时,传传感感器器输输出出波波形形失失真真较较大大。在在振振动动强强的的场场合往往采用闭磁路式转速传感器。合往往采用闭磁路式转速传感器。被被测测转转轴轴带带动动椭椭圆圆形形测测量量轮轮5 5在在磁磁场场气气隙隙中中等等速速转转动动,使使气气隙隙平平均均长长度度周周期期性性地地变变化化,因因而而磁磁路路磁磁阻阻和和磁磁通通也也同同样样周周期期性性地地变变化化,则则在在线线圈圈3 3中中产产生生感感应应电电动动势势,其其频频率率f与与测测量量轮轮5 5的的转转速速n(r/min)成成正正比比,即即f=n/30。在在这这种种结结构构中中,
9、也也可可以以用用齿齿轮轮代代替替椭椭圆圆形形测测量量轮轮5 5,软软铁铁(极极掌掌)制制成成内内齿齿轮轮形形式式,这这时时输输出出信号频率信号频率f 同前式。同前式。变变磁磁通通式式传传感感器器对对环环境境条条件件要要求求不不高高,能能在在-150-150+90+90的的温温度度下下工工作作,不不影影响响测测量量精精度度,也也能能在在油油、水水雾雾、灰灰尘尘等等条条件件下下工工作作。但但它它的的工工作作频频率率下下限限较较高高,约约为为50Hz50Hz,上上限限可可达达100kHz100kHz。振动测量振动测量(p84p84图图6-76-7)工作频率工作频率1010500Hz500Hz最大可测
10、加速度最大可测加速度5g5g精度精度1010固有频率固有频率12Hz12Hz可测振幅范围可测振幅范围0.10.110001000 外形尺寸外形尺寸45mm160mm45mm160mm灵敏度灵敏度604mVs604mVscmcm-1-1工作线圈内阻工作线圈内阻1.91.9质量质量0.7kg0.7kg1 1、88圆圆形形弹弹簧簧片片;22圆圆环环形形阻阻尼尼器器;33永永久久磁磁铁铁;44铝铝架架;55心轴;心轴;66工作线圈;工作线圈;77壳体;壳体;99引线引线6.1.3 6.1.3 磁电感应式传感器的应用磁电感应式传感器的应用3扭矩测量扭矩测量 当当转转轴轴不不受受扭扭矩矩时时,两两线线圈圈
11、输输出出信信号号相相同同,相相位位差差为为零零。当当被被测测轴轴感感受受扭扭矩矩时时,轴轴的的两两端端产产生生扭扭转转角角,因因此此两两个个传传感感器器输输出出的的两两个个感感应应电电动动势势将将因因扭扭矩矩而而有有附附加加相相位位差差 。扭扭转转角角 与与感感应应电电动动势势相相位位差差的的关关系为系为式式中中:z z为为传传感感器器定定子子、转转子子的的齿齿数。数。6.2 6.2 霍尔式传感器霍尔式传感器 霍霍尔尔式式传传感感器器是是基基于于霍霍尔尔效效应应而而将将被被测测量量转转换换成成电电动动势势输输出出的的一一种种传传感感器器。霍霍尔尔器器件件是是一一种种磁磁传传感感器器,用用它它们
12、们可可以以检检测测磁磁场场及及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍霍尔尔器器件件具具有有许许多多优优点点,它它们们的的结结构构牢牢固固,体体积积小小,重重量量轻轻,寿寿命命长长,安安装装方方便便,功功耗耗小小,频频率率高高(可可达达1MHz)1MHz),耐耐振振动动,不不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。按按照照霍霍尔尔器器件件的的功功能能可可将将它它们们分分为为:霍霍尔尔线线性性器器件件和和霍霍尔尔开开关关器件器件,前者输出模拟量,后者输出数字量。,前者输出模拟量,后者输出数字量。霍霍尔尔线线性性器器
13、件件的的精精度度高高、线线性性度度好好;霍霍尔尔开开关关器器件件无无触触点点、无无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达可达 级级)。采采用用了了各各种种补补偿偿和和保保护护措措施施的的霍霍尔尔器器件件的的工工作作温温度度范范围围宽,可达宽,可达-55-55+150+150。6.2.1 6.2.1 霍尔传感器的工作原理霍尔传感器的工作原理1 1霍尔效应霍尔效应 半导体薄片置于磁感应强度为半导体薄片置于磁感应强度为B B 的磁场中,磁场方向垂直于的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流薄片,当有电流I I 流过薄片时,在垂直于电流
14、和磁场的方向上流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势将产生电动势E EH H,这种现象称为霍尔效应。,这种现象称为霍尔效应。磁感应强度磁感应强度B B为零时的情况为零时的情况A AB BC CD D当有图示方向磁场当有图示方向磁场B B作用时作用时 作作用用在在半半导导体体薄薄片片上上的的磁磁场场强强度度B B越越强强,霍霍尔尔电电势势也也就就越越高高。霍尔电势霍尔电势E EH H可用下式表示:可用下式表示:EH=KH IB霍尔效应演示霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片侧偏移,在半导体薄
15、片A A、B B方向的端面之间建立起霍尔电方向的端面之间建立起霍尔电势。势。A AB BC CD D可以推出,霍尔电动势可以推出,霍尔电动势UH的大小为:的大小为:式式中中:kH为为灵灵敏敏度度系系数数,kH=RH/d,表表示示在在单单位位磁磁感感应应强强度度和和单单位位控控制制电电流流时时的的霍霍尔尔电电动动势势的的大大小小,与与材材料料的的物物理理特特性性(霍霍尔尔系系数数)和和几几何何尺尺寸寸d d有有关关;霍霍尔尔系系数数RH1/(nq),由由材材料料物物理理性性质质所所决决定定,q为为电电子子电电荷荷量量 ;n为为材材料料中中的的电电子子浓浓度度。为为磁磁场场和薄片法线夹角。和薄片法
16、线夹角。结论:结论:霍尔电势与输入电流霍尔电势与输入电流I I、磁感应强度、磁感应强度B B成正比,且当成正比,且当B B的的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率的交变电势。为交变磁场,则霍尔电势为同频率的交变电势。金金属属材材料料中中的的自自由由电电子子浓浓度度n很很高高,因因此此RH很很小小,不不宜宜作作霍霍尔尔元元件件。霍霍尔尔元元件件多多用用载载流流子子迁迁移移率率大大的的N型型半半导导体体材材料料制制作作。另另外外,霍霍尔尔元元件件越越薄薄(d越越小小),kH就就越越大大,所所以以通
17、通常常霍霍尔尔元元件件都都较薄。薄膜霍尔元件的厚度只有较薄。薄膜霍尔元件的厚度只有1 1 左右。左右。2 2霍尔元件霍尔元件霍霍 尔尔 片片 是是 一一 块块 矩矩 形形 半半 导导 体体 单单 晶晶 薄薄 片片(一一 般般 为为4mm2mm0.1mm)4mm2mm0.1mm),经经研研磨磨抛抛光光,然然后后用用蒸蒸发发合合金金法法或或其其他他方方法法制制作作欧欧姆姆接接触触电电极极,最最后后焊焊上上引引线线并并封封装装。而而薄薄膜膜霍霍尔尔元元件件则则是是在在一一片片极极薄薄的的基基片片上上用用蒸蒸发发或或外外延延的的方方法法做做成成霍霍尔尔片片,然然后后再再制制作作欧欧姆姆接接触触电电极极
18、,焊焊上上引引线线最最后后封封装装。一一般般控控制制端端引引线线采采用用红红色色引引线线,而而霍霍尔尔输输出出端端引引线线则则采采用用绿绿色色引引线线。霍霍尔尔元元件件的的壳壳体用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。体用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。(a)(a)霍尔元件外形霍尔元件外形 (b)(b)电路符号电路符号 (c)(c)基本应用电路基本应用电路3 3霍尔元件的主要特性及材料霍尔元件的主要特性及材料 1)1)霍尔元件的主要特性参数霍尔元件的主要特性参数(1)(1)灵灵敏敏度度k kH H:表表示示元元件件在在单单位位磁磁感感应应强强度度和和单单位位控控制制电电流流下下所所得到的开路霍尔电动
19、势,单位为得到的开路霍尔电动势,单位为V/(AT)V/(AT)。(2)(2)霍尔输入电阻霍尔输入电阻R Rinin:霍尔控制电极间的电阻值。:霍尔控制电极间的电阻值。(3)(3)霍尔输出电阻霍尔输出电阻R Routout:霍尔输出电极间的电阻值。:霍尔输出电极间的电阻值。(4)(4)霍霍尔尔元元件件的的电电阻阻温温度度系系数数:表表示示在在不不施施加加磁磁场场的的条条件件下下,环境温度每变化环境温度每变化11时电阻的相对变化率,单位为时电阻的相对变化率,单位为%/%/。(5)(5)霍霍尔尔寄寄生生直直流流电电势势U U0 0:在在外外加加磁磁场场为为零零、霍霍尔尔元元件件用用交交流流激激励励时
20、时,霍霍尔尔电电极极输输出出除除了了交交流流不不等等位位电电动动势势外外,还还有有一一直直流流电电势势,称为寄生直流电势。称为寄生直流电势。(6)(6)霍霍尔尔最最大大允允许许激激励励电电流流I Imaxmax:以以霍霍尔尔元元件件允允许许最最大大温温升升为为限限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。2)2)霍尔元件的材料霍尔元件的材料锗锗(Ge)(Ge)、硅、硅(Si)(Si)、锑化铟、锑化铟(InSb)(InSb)、砷化铟、砷化铟(InAs)(InAs)和砷化镓和砷化镓(GaAs)(GaAs)是常见的制作霍尔元件的几种半导体材料。表是常见的制作霍尔
21、元件的几种半导体材料。表6-26-2所列所列为制作霍尔元件的几种半导体材料主要参数。为制作霍尔元件的几种半导体材料主要参数。电阻率电阻率电子迁移率电子迁移率 材料材料(单晶单晶)禁带宽度禁带宽度Eg/(eV)/(cm)/(cm/Vs)霍尔系数霍尔系数RH/(cmC-1-1)N型型锗锗(Ge)0.661.0350042504000N型硅型硅(Si)1.1071.5150022501840锑锑化化铟铟(InSb)0.170.005600003504200砷化砷化铟铟(InAs)0.360.0035250001001530磷砷磷砷铟铟(InAsP)0.630.08105008503000砷化砷化镓镓
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- 传感器 原理 及其 应用 第五 磁电
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