2022高三物理知识点归纳总结.docx

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1、2022高三物理知识点归纳总结高三物理知识点归纳1.光的直线传播(1)光在同一种均匀介质中沿直线传播.小孔成像，影的形成，日食和月食都是光直线传播的例证。(2)影是光被不透光的物体挡住所形成的暗区.影可分为本影和半影，在本影区域内完全看不到光源发出的光，在半影区域内只能看到光源的某部分发出的光.点光源只形成本影，非点光源一般会形成本影和半影.本影区域的大小与光源的面积有关，发光面越大，本影区越小。(3)日食和月食:人位于月球的本影内能看到日全食，位于月球的半影内能看到日偏食，位于月球本影的延伸区域(即伪本影)能看到日环食;当月球全部进入地球的本影区域时，人可看到月全食.月球部分进入地球的本影区

2、域时，看到的是月偏食。2.光的反射现象-:光线入射到两种介质的界面上时，其中一部分光线在原介质中改变传播方向的现象。(1)光的反射定律:反射光线、入射光线和法线在同一平面内，反射光线和入射光线分居于法线两侧。反射角等于入射角。(2)反射定律表明，对于每一条入射光线，反射光线是的，在反射现象中光路是可逆的。3.平面镜成像像的特点平面镜成的像是正立等大的虚像，像与物关于镜面为对称。光路图作法根据平面镜成像的特点，在作光路图时，可以先画像，后补光路图。充分利用光路可逆在平面镜的计算和作图中要充分利用光路可逆。(眼睛在某点A通过平面镜所能看到的范围和在A点放一个点光源，该电光源发出的光经平面镜反射后照

3、亮的范围是完全相同的。)4.光的折射-光由一种介质射入另一种介质时，在两种介质的界面上将发生光的传播方向改变的现象叫光的折射。光的折射定律折射光线，入射光线和法线在同一平面内，折射光线和入射光线分居于法线两侧。入射角的正弦跟折射角的正弦成正比，即sini/sinr=常数。(3)在折射现象中，光路是可逆的。5.折射率光从真空射入某种介质时，入射角的正弦与折射角的正弦之比，叫做这种介质的折射率，折射率用n表示，即n=sini/sinr。某种介质的折射率，等于光在真空中的传播速度c跟光在这种介质中的传播速度v之比，即n=c/v，因cv，所以任何介质的折射率n都大于1.两种介质相比较，n较大的介质称为

4、光密介质，n较小的介质称为光疏介质。6.全反射和临界角(1)全反射:光从光密介质射入光疏介质，或光从介质射入真空(或空气)时，当入射角增大到某一角度，使折射角达到90时，折射光线完全消失，只剩下反射光线，这种现象叫做全反射。(2)全反射的条件光从光密介质射入光疏介质，或光从介质射入真空(或空气)。入射角大于或等于临界角(3)临界角:折射角等于90时的入射角叫临界角，用C表示sinC=1/n7.光的色散:白光通过三棱镜后，出射光束变为红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫七种色光的光束，这种现象叫做光的色散。(1)同一种介质对红光折射率小，对紫光折射率大。(2)在同一种介质中，红光的速度，紫光的速度最小。(

5、3)由同一种介质射向空气时，红光发生全反射的临界角大，紫光发生全反射的临界角小高三物理知识点梳理1.电磁感应现象：利用磁场产生电流的现象叫做电磁感应，产生的电流叫做感应电流。(1)产生感应电流的条件：穿过闭合电路的磁通量发生变化，即0。(2)产生感应电动势的条件：无论回路是否闭合，只要穿过线圈平面的磁通量发生变化，线路中就有感应电动势。产生感应电动势的那部分导体相当于电源。(2)电磁感应现象的实质是产生感应电动势，如果回路闭合，则有感应电流，回路不闭合，则只有感应电动势而无感应电流。2.磁通量定义：磁感应强度B与垂直磁场方向的面积S的乘积叫做穿过这个面的磁通量，定义式：=BS。如果面积S与B不

6、垂直，应以B乘以在垂直于磁场方向上的投影面积S，即=BS，国际单位：Wb求磁通量时应该是穿过某一面积的磁感线的净条数。任何一个面都有正、反两个面;磁感线从面的正方向穿入时，穿过该面的磁通量为正。反之，磁通量为负。所求磁通量为正、反两面穿入的磁感线的代数和。3.楞次定律(1)楞次定律：感应电流的磁场，总是阻碍引起感应电流的磁通量的变化。楞次定律适用于一般情况的感应电流方向的判定，而右手定则只适用于导线切割磁感线运动的情况，此种情况用右手定则判定比用楞次定律判定简便。(2)对楞次定律的理解谁阻碍谁-感应电流的磁通量阻碍产生感应电流的磁通量。阻碍什么-阻碍的是穿过回路的磁通量的变化，而不是磁通量本身

7、。如何阻碍-原磁通量增加时，感应电流的磁场方向与原磁场方向相反;当原磁通量减少时，感应电流的磁场方向与原磁场方向相同，即“增反减同”。阻碍的结果-阻碍并不是阻止，结果是增加的还增加，减少的还减少。(3)楞次定律的另一种表述：感应电流总是阻碍产生它的那个原因，表现形式有三种：阻碍原磁通量的变化;阻碍物体间的相对运动;阻碍原电流的变化(自感)。4.法拉第电磁感应定律电路中感应电动势的大小，跟穿过这一电路的磁通量的变化率成正比。表达式E=n/t当导体做切割磁感线运动时，其感应电动势的计算公式为E=BLvsin。当B、L、v三者两两垂直时，感应电动势E=BLv。(1)两个公式的选用E=n/t计算的是在

8、t时间内的平均电动势，只有当磁通量的变化率是恒定不变时，它算出的才是瞬时电动势。E=BLvsin中的v若为瞬时速度，则算出的就是瞬时电动势：若v为平均速度，算出的就是平均电动势。(2)公式的变形当线圈垂直磁场方向放置，线圈的面积S保持不变，只是磁场的磁感强度均匀变化时，感应电动势：E=nSB/t。如果磁感强度不变，而线圈面积均匀变化时，感应电动势E=Nbs/t。5.自感现象(1)自感现象：由于导体本身的电流发生变化而产生的电磁感应现象。(2)自感电动势：在自感现象中产生的感应电动势叫自感电动势。自感电动势的大小取决于线圈自感系数和本身电流变化的快慢，自感电动势方向总是阻碍电流的变化。高三物理知

9、识点1.电流强度：I=q/tI:电流强度(A)，q:在时间t内通过导体横载面的电量(C)，t:时间(s)2.欧姆定律：I=U/RI:导体电流强度(A)，U:导体两端电压(V)，R:导体阻值()3.电阻、电阻定律：R=L/S:电阻率(m)，L:导体的长度(m)，S:导体横截面积(m2)4.闭合电路欧姆定律：I=E/(r+R)或E=Ir+IR也可以是E=U内+U外I:电路中的总电流(A)，E:电源电动势(V)，R:外电路电阻()，r:电源内阻()5.电功与电功率：W=UIt，P=UIW:电功(J)，U:电压(V)，I:电流(A)，t:时间(s)，P:电功率(W)6.焦耳定律：Q=I2RtQ:电热(

10、J)，I:通过导体的电流(A)，R:导体的电阻值()，t:通电时间(s)7.纯电阻电路中:由于I=U/R,W=Q，因三此W=Q=UIt=I2Rt=U2t/R8.电源总动率、电源输出功率、电源效率：P总=IE，P出=IU，=P出/P总I:电路总电流(A)，E:电源电动势(V)，U:路端电压(V)，：电源效率9.电路的串/并联串联电路(P、U与R成正比)并联电路(P、I与R成反比)电阻关系(串同并反)R串=R1+R2+R3+1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+电流关系I总=I1=I2=I3I并=I1+I2+I3+电压关系U总=U1+U2+U3+U总=U1=U2=U3功率分配P总=P1+P2+P

11、3+P总=P1+P2+P3+10.欧姆表测电阻(1)电路组成(2)测量原理两表笔短接后,调节Ro使电表指针满偏，得Ig=E/(r+Rg+Ro)接入被测电阻Rx后通过电表的电流为Ix=E/(r+Rg+Ro+Rx)=E/(R中+Rx)由于Ix与Rx对应，因此可指示被测电阻大小使用方法:机械调零、选择量程、欧姆调零、测量读数注意挡位(倍率)、拨off挡。(4)注意:测量电阻时，要与原电路断开,选择量程使指针在中央附近,每次换挡要重新短接欧姆调零。11.伏安法测电阻电流表内接法：电压表示数：U=UR+UA电流表外接法：电流表示数：I=IR+IVRx的测量值=U/I=(UA+UR)/IR=RA+RxR真

12、Rx的测量值=U/I=UR/(IR+IV)=RVRx/(RV+R)电压调节范围小,电路简单,功耗小便于调节电压的选择条件RpRx电压调节范围大,电路复杂,功耗较大便于调节电压的选择条件Rp注：(1)单位换算：1A=103mA=106A;1kV=103V=106mA;1M=103k=106(2)各种材料的电阻率都随温度的变化而变化,金属电阻率随温度升高而增大;(3)串_阻大于任何一个分电阻,并_阻小于任何一个分电阻;(4)当电源有内阻时,外电路电阻增大时,总电流减小,路端电压增大;(5)当外电路电阻等于电源电阻时,电源输出功率_,此时的输出功率为E2/(2r);(6)相关内容：电阻率与温度的关系半导体及其应用超导及其应用见第二册P127。