低频电子线路学习重点.ppt

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1、第一章 小结一、二极管1、特性(1)单向导电特性(2)电容特性(3)击穿特性(4)温度特性2、伏安特性3、分析方法（1）图解法（2）折线近似法 理想二极管模型 恒压降模型 4、关于门限电压UrUD0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才明显增长。硅管Ur0.6V，锗管Ur0.2V，二、晶体三极管1、工作状态（1）放大状态（2）截止状态（2）饱和状态2、放大状态时电流分配关系同一个电流传输过程，不同的描述方式。三、场效应管1、工作状态（1）恒流状态（2）截止状态（2）可变电阻状态2、场效应管类型（1）N沟道、P沟道(2)结型、增强型、耗尽型3、恒流区的伏安关系（1）增强型（2）耗尽型(3)

2、结型或 1-5 判断管脚、管型及材料解：已知工作在放大状态：根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电极。电极 电极晶体管 晶体管 VT1 VT1 7V 7V 1.8V 1.8V 2.5V 2.5V VT2 VT2-2.9V-2.9V-3.1V-3.1V-8.2V-8.2V VT3 VT3 7V 7V 1.8V 1.8V 6.3V 6.3V（1）VT1 是集电极，电位最高，NPN型。发射极，电位最低，基极。发射结电压0.7V，硅材料。电极 电极晶体管 晶体管 VT1 VT1 7V 7V 1.8V 1.8V 2.5V 2.5V VT2 VT2-2.9V-2.9V-3.1V-3.1V-8.2V-

3、8.2V VT3 VT3 7V 7V 1.8V 1.8V 6.3V 6.3V（2）VT2 集电极，电位最低，PNP型发射极，电位最高，基极 发射结电压0.2V，锗材料（3）VT3集电极 电位最低，PNP型发射极，电位最高，基极 发射机电压0.7V,硅材料例1-1填空题在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的到基区，成为基区的，它们在基区由于_引起它们在基区，直到集电结边界，由于集电结的作用，而被集电区。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的宽窄受_极电压控制，从而控制了_极的电流。当D极一端导电沟道消失，称为_夹断，这时_极电流只受_电压控制

4、，场效应管实现正向受控。例1-2 测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作状态。管号管号U UGS(th)GS(th)/V/V 或 或U UGS(off)GS(off)/V/VUUss/V/VUUGG/V/VUUDD/V/V管型管型工作状态工作状态结结型型VT1 VT1 3 3 1 133-10-10VT2 VT2-3-3 3 3-1-11010MOS MOSVT3 VT3-4-4 5 500-5-5VT4 VT4 4 4-2-233-1.2-1.2VT5 VT5-3-3 0 0001010解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止，

5、解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止，根据根据UUDSDS判断导电沟道，判断导电沟道，UUDSDS 0,N 0,N沟道，沟道，UUDSDS 0,P 0,P沟沟道。道。管号 管号 U UGS(th)GS(th)/V/V 或 或U UGS(off)GS(off)/V/VU Us s/V/V U UG G/V/V U UD D/V/V管型 管型 工作状态 工作状态结型 结型 VT1 VT1 3 3 1 1 3 3-10-10VT2 VT2-3-3 3 3-1-1 10 10MOS MOSVT3 VT3-4-4 5 5 0 0-5-5VT4 VT4 4 4-2-2 3 3-1.2-1.2VT5 VT5-3-3 0 0 0 0 10 10IDVGSOVGS(th)IDVGSO VGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSO VGS(th)VGS(off)ID/mAVGS/V OIDSS(N 沟道 JFET)ID/mAVGS/V OIDSSVGS(off)(P 沟道 JFET)例1-3判断结型场效应管的工作状态1-23IDUGSO-3V 没有夹断，不在截止区。UGD=3V，已经预夹断，工作在放大区。IDUGSO2V UBS0，正常工作。没有夹断，不在截止区。UGD=6V，没有预夹断，工作在可变电阻区。