转换原理：.ppt

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1、转换原理：10.3.3 逐次渐近型A/D转换器 它由比较器、n位D/A转换器、n位寄存器、控制电路、输出电路等组成。原理框图：举例说明：5V 3.4V CP d3d2d1d0vO比较结果 处 理123410001100101010112.5V3.75V3.125V3.4375VvIvOvIvOvIvOvIvO（d3）1保留（d2）1不保留（d1）1保留（d0）1不保留101043210 vOt3.4V1 0 0 0 0三位逐次渐近型A/D转换器电路：寄存器控制电路输出电路小结：1、逐次渐近型A/D转换器输出数字量的位数越多转换精度越高；2、n位逐次渐近型A/D转换器完成一次转换所需时间为（n+

2、2）个时钟信号周期。！电路不太复杂！转换速度较快9.2.4 双积分式A/D转换器 双积分式A/D转换器的转换原理是：首先将输入的模拟电压转换成与之成正比的时间量T，然后在T内对固定频率的时钟脉冲计数，计数的结果就是一个正比于输入电压的数字量。原理框图：它由积分器、比较器、n位计数器、控制电路、固定频率时钟源CLK、开关S0和S1以及基准电压等组成。优点：转换精度高、抗干扰能力强1.由于转换结果与时间常数RC无关，从而消除了积分非线 性带来的误差。2.由于双积分A/D转换器在T1时间内采样的是输入电压的平均值，因此具有很强的抗工频干扰的能力。3.只要求时钟源在一个转换周期时间内保持稳定即可。缺点

3、：转换速度慢。10.3.5 A/D转换器的主要技术指标1.转换精度 分辨率：描述的是输出数字量对输入模拟量变化的敏感程度，用输出数字量的位数表示。在输入模拟量的范围一定时，A/D转换器输出数字量的位数越多，对输入模拟量的分辨能力也越强。但分辨率仅仅表示A/D转换器在理论上可以达到的精度。转换误差：描述实际能达到的转换精度。它表示A/D转换器实际输出的数字量和理想输出数字量的差别，通常用输出数字量最低位的倍数表示。转换误差是综合性误差，它是量化误差、电源波动以及转换电路中各种元器件所造成的误差的总和。2.转换速度 用完成一次转换的时间来表示。它是从接到转换控制信号起，到输出端得到稳定的数字输出所

4、需要的时间。DAC0832：8位数/模转换器ILE：允许数字量输入线XFER：传送控制输入线ADC0809：8位模/数转换器EOC：转换结束输出线OE：输出允许线第七章 半导体存储器7.1 概述7.2 只读存储器ROM7.3 随机存储器RAM7.4 存储器容量的扩展 7.1 概述 半导体存储器能存储大量二值信息，是数字系统不可缺少的部分。半导体存储器由大量存储单元组成，每个存储单元中存放一位二进制代码，称为位；一个或若干个存储单元构成一个字。半导体存储器采用公用的输入和输出引脚的电路结构，并为每个字分配一个地址代码。只有输入指定的地址代码时，才能通过输入和输出引脚访问该地址所对应的字中的存储单

5、元。存储器的主要指标（1）存储器的容量：存储器的容量=字数2n位数m(bit)字数2n表示有n位地址输入和2n个地址；m表示每个地址单元所访问二进制数据的位数；8位为一字节（Byte）。210=1024=1K,220=1024K=1M,230=1024M=1G，240=1024G=1T例：若访问容量为：2118的存储器需要多少条地址线和数据线？答：11条地址线，8条数据线。(2)存取时间按存取方式分随机存储器（RAM）静态RAM（Stantic RAM）动态RAM（Dynamic RAM）只读存储器(ROM)固定ROM（Mask ROM）可编程ROM（PROM）可擦可编程ROM（EPROM）现

6、场可改写的非易失性存储器（E2PROM，Flash Memory）按制造工艺分双极性型CMOS型 只读存储器ROM：用于存储固定信息的器件，在断电后所保存的信息不会丢失。把数据写入到存储器以后，正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能根据地址读出，不能写入。只读存储器主要应用于数据需要长期保留并不需要经常改变的场合，如各种函数表、需要固化的程序等。随机存取存储器RAM：能够随时根据给出的地址选择存储单元，对其中的数据进行“读”或“写”的操作（数据读出后原数据不变；新数据写入后，原数据自然丢失，并被新数据所替代）。但同时它也存在数据的易失性，一旦断电所存的数据便会丢失。因此RAM常用于存放系统中

7、经常变化的数据。在一些重要场合还需要与备用电源配合使用。7.2 只读存储器ROM电路结构地址译码器：将输入的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选 出，其数据送输出缓冲器输出缓冲器：采用三态门组成v提高存储器带负载的能力v实现对输出状态的三态控制，以便与系统总线连接存储矩阵：由许多存储单元排列而成，每个单元能存放1位二值代码，每一个或一组存储单元有一个对应的地址。输 输出 出缓 缓冲 冲器 器数据 数据输出 输出三态控制 三态控制例1：存储容量为224位的ROM。A1A0：两位地址代码，能指定四个不同地址地址译码器（二极管与门电路）：将四个地址译成W0W3四个高电平输出信号7.2.1 掩模

8、ROM根据用户要求专门设计的掩模板，把数据“固化”在ROM中地址线字线位线W0 W1 W2 W30 0 10 100010 0 0 1000 A1 A0 0 0 0 11 01 1存储矩阵：二极管编码器（二极管或门电路）输出缓冲器：提高带负载能力当EN=0时D3-D0才能输出。ROM的数据表为：d3=W1+W3d2=W0+W2d1=W0+W1+W3d0=W0 A1 A0D3 D2 D1 D0 0 0 0 11 0 01 0 0 011 1 10011 1 0101例2 MOS管ROM数据表为：D3 D2 D1D01 1 0 01 1 0 10 010110 1 W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 存储矩阵的每个交叉点是一个 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元 存储单元”，存储单元中有器件存，存储单元中有器件存入 入“1”1”，无器件存入，无器件存入“0”0”。存储器的容量：存储器的容量：“字数 字数 位数 位数”。无论哪一种结构的固定ROM，其电路结构都是由生产厂家在制造时固定下来的，使用时不能再更改。小 结掌握逐次渐近型、双积分型A/D转换器的工作原理及其特点。掌握掩模ROM的工作特点。作 业P266 10.5、10.7