秦曾煌电工学下册电子技术课后答案.pdf
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1、第 14 章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。2晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下:ICIBIE IBIC(1)IBICIBICIB3晶体管的特性曲线和三个工作区域(1)晶体管的输入特性曲线:晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时,IB和UBE之间的关系。晶体管的输入
2、特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现IB,且IB随UBE线性变化。(2)晶体管的输出特性曲线:IC随UCE变化的关系曲线。晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时,在不同的IB下,输出特性曲线是一组曲线。IB=0 以下区域为截止区,当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。(3)晶体管的三个区域:晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。此时,IC=Ib,IC与Ib成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。此时,I
3、B=0,IC=ICEO。晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即UCE很小时,晶体管工作在饱和区。此时,IC虽然很大,但ICIb。即晶体管处于失控状态,集电极电流IC不受输入基极电流IB的控制。14143 3典型例题例例 14141 1 二极管电路如例 141 图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压UD=0.7V。256ADB+ADR2V RUo10V5VUoB+-(a)(b)A1D1D1B1D2A2D2B+RUoB2A+RUo15V12V10V9V-(c)(d)例 14.1 图1图(a)电路中的二极管所加正偏压为 2V,大于U=0.7V,二极管处于导通状
4、态,解:D则输出电压U0=UAUD=2V0.7V=1.3V。2图(b)电路中的二极管所加反偏压为-5V,小于U,二极管处于截止状态,电路中电D流为零,电阻 R 上的压降为零,则输出电压U0=-5V。3图(c)电路中的二极管D所加反偏压为(-3V),二极管D2截止。二极管D1所加正2偏压为 9V,大于UD,二极管D1处于导通状态。二极管D1接在 B 点和“地”之间,则D1导通后将 B 点电位箝位在(-0.7V),则U0=UB=-0.7V。4如果分别断开图(d)电路中的二极管D和D,D处于正偏压为 15V,D处于正1212偏压为 25V,都大于UD。但是,二极管D2所加正偏压远大于D1所加正偏压,
5、D2优先导通并将 A 点电位箝位在UA=-10V+0.7V=-9.3V,实际上,二极管D1处于反偏压,处于截止状态。则输出电压U0=UA=-9.3V。例例 1414 2 2 电路如例 14 2 图所示,已知Ui=5sin(t)(V),二极管导通电压UD=0 7V,试画出Ui与Uo的波形,并标出幅值。解:在Ui正半周,当Ui大于 37V 时,二极管D1处于正偏压而导通,输出电压箝位在Uo=37V,此时的二极管D2 截止。当Ui小于 37V 时,二极管D1和D2均处于反偏压而截止,输出电压Uo=Ui。在Ui的负半周,当Ui小于(-37V),二极管D2处于正偏压而导通,输出电压Uo=-37V,二极管
6、D1截止。257当Ui大于(-37V)时,二极管D1和D2均处于反偏压而截止,输出电压Uo=Ui。Ui/V3V0t-3VRUo/V+D1UiD2+3.7VUo0t3V-3V-3.7V例 14.2 图例例1414 3 3 电路如例 143(a)图所示,设稳压管的稳定电压U2=10V,试画出0VUi30V 范围内的传输特性曲线Uo=f(Ui)。解:当UiU,UCBCB为正。2UU,UBEBE为正。3UU,UCECE为正。258PNP 管的各项结论同 NPN 管的各项结论相反。例 14145 5用直流电压表测量某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别如例145 图所示。试指出每只晶体管的C、B、E
7、极。6V 0V 6VT1T2T3-2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V例 14.5 图1为 C 级,2为 B 极,3为 E 极。解:T1管:1为 B 极,2为 E 极,3为 C 极。T2管:1为 E 极,2为 B 极,3为 C 极。T3管:例例14146 6在例 146 图中,晶体管T1、T2、T3的三个电极上的电流分别为:I1I1T1I1I1T2T3I2I3I2I3I2I3例 14.6 图1I=0.01mAI=2mAI=2.01mA1232I=2mAI=0.02mAI=1.98mA1233I=3mAI=3.03mAI=0.03mA123试指出每只晶体管的 B、C、E 极。1为 B 级,
8、2为 C 极,3为 E 极。解:T1管:1为 E 极,2为 B 极,3为 C 极。T2管:1为 C 极,2为 E 极,3为 B 极。T3管:14.414.4 练习与思考练习与思考259答:电子导电是指在外电场的作用下,自由电子定向运动形成的电子电流。空穴导电是指在外电场作用下,被原子核束缚的价电子递补空穴形成空穴电流。由此可见,空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的。练习与思考练习与思考 14.1.214.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半导体中少数载流的子的浓度比本征载流子的浓度小?答:杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由本征激发产生的。本征
9、激发产生电子空穴对,其中有一种载流子和多数载流子相同,归于多数载流子,所以少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。练习与思考练习与思考 14.1.314.1.3N 型半导体中的自由电子多于空穴,而 P 型半导体的空穴多于自由电子,是否 N 型半导体带负电,而P 型半导体带正电?答:整个晶体呈电中性不带电,所以不能说 N 型半导体带负电和 P 型半导体带正电。练习与思考练习与思考 14.3.114.3.1二极管的伏安特性曲线上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压典型值约为多少?答:当二极管正向偏压很小时,正向电流几乎为零,当正向偏压超过一定数值后,电流随电压增长很快。这个一定数值的
10、正向电压称为死区电压。硅管死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。练习与思考练习与思考 14.3.214.3.2为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?答:当二极管加反向电压时,通过PN 结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。在常温下,由于少数载流子数目极少,在不太大的反向电压下已全部通过PN结,因而,即使反向电压再升高,反向饱和电流仍保持很小的数值不变。当环境温度升高时,少数载流子迅速增多,电流也明显增大。练习与思考练习与思考 14.3.314.3.3用万用表测量二极管的正向电阻时,用R*100 挡测出的电阻值小,而用 R*1k挡测
11、出的大,这是为什么?答:万用表测电阻是通过测量电阻中的电流而获得其电阻值。指针式万用表测电阻,指针偏转角度越大,读出电阻值越小。在使用 R*100 挡时,万用表内阻小,加到二极管两端的正偏压大,流过二极管的正向电流大,指针向右偏转角度大,测得的电阻小。在使用 R*1k挡时,万用表内阻大,加到二极管两端的正向偏压小,流过二极管的正向电流小,指针向右偏转角度小,测得的电阻大。练习与思考练习与思考 14.3.414.3.4怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏?答:将万用表旋到电阻挡,表笔接在二极管两端,以阻值较小的一次测量为260准,黑表笔所接的为正极,红表笔接的一端为负极。当正接时电阻
12、较小,反接时电阻很大表明二极管是好的。练习与思考练习与思考 14.3.514.3.5把一个 1.5V 的干电池直接接到(正向接法)二极管的两端,会不会发生什么问题?答:产生大的电流,烧坏电源。练习与思考练习与思考 14.3.614.3.6在某电路中,要求通过二极管的正向平均电流为80mA,加在上面的最高反向电压为110V,试从附录 C 中选用一合适的二极管。答:选择 2CZ52D练习与思考练习与思考 14.4.114.4.1为什么稳压二极管的动态电阻愈小,则稳压愈好?答:动态电阻是指稳压二极管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值,动态电阻越小,反向击穿特性曲线越陡,稳压效果越好。练习与思考练
13、习与思考 14.4.214.4.2利用稳压二极管或者普通的二极管的正向压降,是否也可以稳压?答:也具有一定的稳压作用,硅管两端保持0.60.8V,锗管两端保持 0.20.3V,其实际意义不大。练习与思考练习与思考 14.5.114.5.1晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用,为什么?答:晶体管结构主要特点是:E 区的掺杂浓度高,B 区的掺杂浓度低且薄,C 区结面积较大,因此 E 极和 C 极不可调换使用。练习与思考练习与思考 14.5.214.5.2晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大?答:不一样大,在饱和区,IB的变化对IC影响较小,两者不成正比,放
14、大区的放大系数不适用于饱和区。练习与思考练习与思考 14.5.314.5.3晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?答:外部条件:晶体管的偏置电压必须满足发射结正向偏置,集电结反向偏置。内部条件:发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度低,集电结面积大,且集电压掺杂浓度低。练习与思考练习与思考 14.5.414.5.4为什么晶体管基区掺杂浓度小且做得很薄?答:只有这样才可以大大减少电子与基区空穴复合的机会,使绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘,形成集电极电流IC=Ib,使晶体管成为电流控制器件。261261练习与思考练习与思考 14.5.514.5.5将一 PNP 型晶体管接成共发
15、射极电路,要使它具有电流放大作用,EC和EB的正、负极应如何连接,为什么?画出电路图。答:电路如图所示,这样连接才能保持发射结正向偏置,集电结么向偏置,三极管具有电流放大作用。RcCBERbEcEb练习与思考 14.5.5 图练习与思考练习与思考 14.5.614.5.6有两个晶体管,一个管子=50,ICBO=0.5A;另一个管子=150,ICBO=2A的晶体管由于ICBO比较大,受温度影响大,影响静态工作点的稳定性。练习与思考练习与思考 14.5.714.5.7使用晶体管时,只要 1)集电极电流超过ICM值;2)耗损功率PCM值;3)集一射极电压超过U(BR)CEO值,晶体管就必然损坏。上述
16、几种说法是否都是对的?答:1)会损坏;2)会损坏;3)会损坏,以上几种说法都正确。练习与思考练习与思考 14.5.814.5.8在附录 C 中查出晶体管 3DG100B 的直流参数和极限参数。答:直流参数:ICBO=0.1A,IEBO=0.1A,ICEO=0.1A,UBE(sat)=1.1V,hFE()=30极 限 参 数:U(BR)CBO=40V,U(BR)CEO=30V,U(BR)EBO=4V,ICM=20mA,PCM=100mV,TjM=150C练习与思考练习与思考 14.5.914.5.9测得某一晶体管的IB=10A,IC=1mA,能否确定它的电流放大系数?什么情况下可以,什么情况下不
17、可以?答:=ICIC,两者的含义是不同的,但在输出特性曲线近于平行等距,IBIB并且ICEO较小的情况下,两者数值较为接近,在这种情况下,可以利用IB和IC的值确定,否则不行。练习与思考练习与思考 14.5.1014.5.10晶体管在工作时,基极引线万一断开,为什么有时会导致管子损坏?答:当基极断开,加在C 极,E 极之间的电压UCEU(BR)CEO时,管子会被损坏。145 习题讲解习题习题 14.3.114.3.1题 14.3.1 图是二极管组成的电路和输入电压UI的波形,试画出262输出电压u0和电阻 R 上电压UR的波形。二极管的正向压降可忽略不计。DUi/V10+Ud-+5UiRUrU
18、o_35v0t-_-2(a)(b)分析:在二极管正向压降可忽略不计的条件下,UI5V 时,二极管导通,u0=5V+uR。当UIE,D 导通,当uiE,D 截止,uiE,D 导通;ui为负半周时,ui0;对于 PNP 型:发射极电位最高,集电极电位最低,Ube3V 时,输出发生跳变u02 6V,当u01u时输出+UOM,当uu时输出UOM,故要u03为正,则u01uB。又由5uAUAUBUB5可得UA=1V,UB=1V。R1R2R1所以u011V,又因u01=ui,且运放输出电压动态范围为10V10V,则10Vui1V要使D1、D2都不发亮,则要u020,u030,即要u01UB,即:1Vu01
19、1V,由RR20RWw=20k,有uiR Ru01u01=(1+)ui=(1)ui=5uiWR5故1V5ui1V,得0.2Vui1V 且u011V 且u011V,故取u011V;u02=-10V,u03=10V 时,u0=-20V,此时u011V 且u011V,故取u01-1V;u02=-10V,u03=-10V 时,u0=0V,此时u011V,故1Vu01u时,u0+U0(sat);当uUR时,红色发光二极管亮当输入电平uiUR时,绿色发光二极管亮。-+URui+RG练习与思考 16.3.3 图16.5习题详解习题详解习题习题 16.1.116.1.1已知 F007 运算放大器的开环电压放大
20、倍数Au0=100dB,差模输入电阻rid 2M,最大输出电压UOPP=13V.为了保证工作在线性区,试求:u和u的最大允许误差;输入端电流的最大允许值。5解:解:Au0100dB,即Au0=10uuUOPP135 130VAuo10Iduurid13105 0.065nA6210习题习题 16.1.216.1.2在题 16.1.2 图中,正常情况下四个桥臂电阻均为R。当某个电阻受温度或应变等非电量的影响而变化R时,电桥平衡即将被破坏,输出电压u0反映此非电量的大小。RAu0U试证明:u0R。R412R+UR+RRRR-+U0+习题 16.1.2RUU RR(RR)2RRuU 0.5U uR
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