第四章-数字X线成像-DR.pptx
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1、医学影像设备学第四章 数字X线成像第一节 DR成像基本条件第二节 DR成像原理与工作流程第三节 DR影像质量标准与影响因素第四节 数字图像打印原理学习目标1.掌握 直接和间接探测器的结构;非晶硒和非晶硅DR的工作流程。2.熟悉 非晶硒和非晶硅DR的成像理论;影响DR图像质量的因素。3.了解 CCD探测器和多丝正比电离室摄影设备 的工作理论。数字X线摄影(Digital Radiography,DR)DR的影像接收器为平板探测器(Flat Panel Detector,FPD)1990年开始认识并研发,1995年硒材料的直接转换静态影像X线平板探测器。1997年出现了静态的间接转换平板探测器。(
2、一)基本结构一、FPD 型DR1 X 线发生装置 2 X 线探测器3 检查床/台 4 计算机系统第一节 DR成像基本条件7DR系统的组成DR设备DR设备(探测器)模数转换器Computer数模转换器显示器照像机对比增强器数字式X射线摄影DR分为:直接数字X射线摄影(DDR)直接数字化X射线摄影系统是由电子暗盒、扫描控制器、系统控制器、影像监示器等组成。间接数字X射线摄影(IDR)11DR的接收装置主要有:直接数字X射线摄影(DDR)间接数字X射线摄影(I DR)电荷耦合器件(CCD)利用闪烁体和光电二极管组合间接转换只使用X线的光电导特性的直接转换 DR的探测器分类:探测方法X线转换为数字图像
3、的过程直接转换a-Se 平板探测器 X线 图像MWPC X线 图像间接转换闪烁体+光电二极管X线 光 图像I.I.+TV 摄像机 X线 光 图像 闪烁体+CCD X线 光 图像DR常用的数字探测器 一、直接转换型探测器(DDR)(一)非晶硒平板探测器(1)结构:产生电子空穴对硒为光敏材料(一)DDR的组成1.电子暗盒主要由集电矩阵、硒层、电介质、顶层电极和保护层等构成。硒层厚约0.30.6,有很高的解像能力,对X射线较敏感。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管器件(TFT)组成。TFT的每个像元具有电荷接收电极、信号存储电容及信号传输器,通过数据网线与扫描电路连接。TFT像元大小直接决定图像的
4、空间分辨率。17(2)DDR的基本原理1.透过人体后衰减的X射线作用于电子暗盒的硒层。2.硒层按吸收X射线量的大小产生成正比例的正负电荷对。3.顶层电极与集电矩阵间高压在硒层产生电场,正负电荷分离。18非晶态硒型平板检测器工作原理:入射X线光子在硒层中产生“电子-空穴”对;电子-空穴在极间电场的作用下向相反的方向移动形成电流并储藏在极间电容;储藏的电荷在读出控制信号的作用下被顺序读出并送放大电路;非晶态硒型平板检测器X线转换单元 探测元阵列单元 高速信号处理单元 数字影像传输单元(一)非晶硒平板探测器功能单元X线转换单元:作用:将X线转换成电子信号光电材料:非晶硒(a-Se)像素矩阵探测器阵列
5、单元:结构:玻璃基层上的探测元阵列,每个探测元包括一个电容和一个TFT,对应一个像素 电容:储存聚集的电荷TFT:开关,由高速处理单元的地址信号激活信号传输单元 高速信号处理单元 作用:产生地址信号并激活探测元阵列中的TFT 作用:对数字信号的固有特性进行补偿,并将数字信号传送到主计算机。二、间接转换型探测器(一)非晶硅平板探测器(IDR)(二)CCD探测器非晶态硅型平板探测器原理图IDR24非晶态硅型平板探测器工作原理:X线入射闪烁晶体被转换为可见光;由光电二极管将可见光转换为电信号,并将此电信号储藏在光电二极管自身电容上;在读出信号的控制下将储藏电荷读出并加以放大。非晶态硅型平板探测器原理
6、图IDR荧光材料层 探测元阵列层 高速信号处理单元 数字影像传输单元(一)非晶硅平板探测器荧光材料层 材料:闪烁体CsI(碘化铯),可将X线转换为可见光CsI晶体呈细针状或柱状排列,提高的分辨率CsI晶体掺入铊,发出550nm的光,正是非晶硅接收光的峰值。每个探测元包括一个非晶硅光电二极管和TFT 探测元阵列层 数字影像传输单元 高速信号处理单元 作用:产生地址信号并激活探测元阵列中的TFT 作用:对数字信号的固有特性进行补偿,并将数字信号传送到主计算机。DDR采用X线信息直接转换,没有能量信息的中间环节,减少了原始信号的损失,保证原始信息量最大化。DDR对温度敏感;IDR工作性能稳定,适合大
7、批量的X线摄影。IDR成像过程有光电转换环节。DDR和IDR的对比电荷耦合器件(CCD)是一种半导体器件。(二)CCD探测器 CCD探测器的结构是由数量众多的光敏像元排列组成,光敏元件排列成一行的称为线阵CCD,光敏元件排列一个由若干行和若干列组成的矩阵称为面阵CCD。光敏像元的数量决定了CCD的空间分辨率。(CCD的基本结构 用于成像的CCD摄像器件有两类:线阵式CCD,它的光敏单元有序地排成一行或一列,常用于传真机、扫描仪和高分辨率的静态照相机等。面阵式CCD,它的光敏单元以行列方式排成矩阵,常用于摄像机、数码相机等31CCD的基本结构 CCD单元的基本工作有效结构,即MOS电容阵列结构的
8、感光单元由感光区、信号暂存区和信号读出寄存器构成。每个感光单元是参杂多晶硅-二氧化硅-硅的MOS结构,(即金属-绝缘层-半导体)结构单元。32(三)CCD的工作原理 CCD器件是利用信号电压在半导体之中建立势阱,在形成后的势阱中储存光生信号电荷(图10-22b所示),再以适当时序的控制脉冲驱动下,把半导体表面上存储的电荷以电荷包的形式定向依次从一个电极(势阱)转移到另一个电极(势阱),直到CCD的输出端为止,也叫做电荷耦合器件。3334 1电位阱与电荷包v 当MOS结构金属电极加上正电压(称为栅压VG)时,图中在P型半导体内部空穴被排斥,在绝缘层界面下形成一个空间电荷区(耗尽层)。随着VG增高
9、,耗尽层深度增加,半导体内电子势能变低,电子有向电子势能低处移动的特点,因此耗尽层对电子像一个陷阱一样,称之为电位阱。35电位势阱可以用来存放电子,外来信号电荷通过光注入或电注入方式注入电位势阱。电荷量大小由外来信号决定,与栅压VG无关。势阱内存储的电子电荷通常称为电荷包。其特点是:VG增加,势阱变深;VG减小,势阱变浅,浅势阱中的电子有向势阱深处移动的特点。2、信号电荷的注入、转移和输出(1)信号电荷的注入v势阱内的电荷包是由光敏材料受光照射后激发,产生电子空穴对,空穴被排斥后,电子则作为反映光强的载体-电荷包被收集、注入到势阱中,这就是CCD摄像器件的光电变换过程。势阱中电荷包内电荷数量的
10、多少与对应像素的亮度和积累的时间成正比。36电荷注入方法电荷注入方法(a)背面光注入;(b)电注入37(2)信号电荷的转移v势阱内电荷包转移是通过相邻MOS单元结构上VG的变化来实现的。相邻的VG上所加的有规律的脉冲电压,称之为时钟驱动。利用势阱内电荷包有浅向深移动的属性,有规律的改变驱动电压的高低,可使电荷包按要求转移。通常有三相时钟驱动、二相时钟驱动和四相时钟驱动等几种方式,都是依靠相应的时钟脉冲序列控制电压高低来实现。我们以三相时钟驱动为例:38信号电荷的转移v每三个势阱为一组,对它们的VG加上三相时钟脉冲V1、V2、V3、。由于每个时刻上三个栅压只有一个为高电平,其余两个为低电平,所以
11、只有一个为深势阱,其余两个为浅势阱。浅势阱中的电荷包向深势阱中转移。随着时钟脉冲的推移,深势阱中的电荷包随之向前移动。每经过一个半时钟周期,电荷包便顺序转移三个势阱。如果改变三个电压的高低顺序,可以改变电荷的移动方向,所以三相时钟驱动可以实现电荷包的双向移动。39CCD芯片的构造 41电荷转移原理vCCD器件基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS光敏元,这些光敏元使用同一半导体衬底;氧化层均匀、连续;相邻金属电极间隔极小。v电荷在势阱内可以流动,它总是从相邻浅阱里流进深阱中,这种电荷流动称为电荷转移。v为了保证信号电荷按确定的方向和路线转移,在MOS光敏元阵列上所加的各路电压脉冲要求严格满足相位
12、要求。42(3)信号电荷的输出v每个像素下面势阱内的电荷包转移后,需顺序向外电路输出,并转换成信号电流或电压,再由外电路放大和处理。常用的电路结构为反偏二极管CCD输出方式。结构见图10-27,在一个作为负载的电容上可得到相应的离散的负极性脉冲电压,形成负极性图像信号。4344光滴小桶光敏元动画演示CCD 的工作过程1.有一个光电转换装置把入射到每一个感光像素上的光子转化为电荷。CCD 的工作过程2.这些电荷可以被储存起来。当一个CCD芯片感光完毕后,每个像素所转换的电荷包就按照一行的方向转移出CCD感光区域,以为下一次感光释放空间。(3)信号电荷的转移(耦合)为实现信号电荷的转换:1、必须使
13、MOS 电容阵列的排列足够紧密,以致相邻MOS 电容的势阱相互沟通,即相互耦合。2、控制相邻MOS 电容栅极电压高低调节势阱深浅,使信号电荷由势阱浅处流向势阱深处。3、在CCD 中电荷的转移必须按照确定的方向。CCD 的工作过程3.电荷可以被有秩序地转移出感光区域。CCD 的工作过程4.信号电荷输出,转化成电流或电压信号。(三)CCD的工作过程(三)DR的主要特点(1)DDR由于成像环节明显减少,避免了图像信息的丢失。(2)DDR图像具有较高的分辨率(3.6LP/)能满足临床常规X射线摄影的需要。DDR图像可较其它成像方式更清晰,细节显示清楚。DDR图像由于采用14bit以上的图像数字转换,图
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