数字电路基础之门电路和组合逻辑电路.pptx
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1、 数字电路的基础知识数字电路的基础知识 数字信号和模拟信号数字信号和模拟信号电子电路中的信号电子电路中的信号(xnho)模拟信号模拟信号数字信号数字信号时间时间(shjin)连续连续的信号的信号时间和幅度时间和幅度(fd)都是离都是离散的散的1第一页,共149页。模拟信号:模拟信号:tu正弦波信号正弦波信号(xnho)t锯齿锯齿(jch)波信号波信号u2第二页,共149页。研究模拟信号时,我们注重电路研究模拟信号时,我们注重电路输入、输出信号间的大小、相位关系。输入、输出信号间的大小、相位关系。相应的电子电路就是相应的电子电路就是(jish)模拟电模拟电路,包括交直流放大器、滤波器、信路,包括
2、交直流放大器、滤波器、信号发生器等。号发生器等。在模拟电路在模拟电路(dinl)中,晶体管一般中,晶体管一般工作在放大状态。工作在放大状态。3第三页,共149页。数字信号:数字信号:数字信号数字信号产品数量的统计产品数量的统计(tngj)。数字表盘数字表盘(biopn)的读的读数。数。数字电路信号数字电路信号(xnho):tu4第四页,共149页。研究数字电路时注重电路输出、输研究数字电路时注重电路输出、输入间的逻辑关系,因此不能采用入间的逻辑关系,因此不能采用(ciyng)模拟电路的分析方法。主模拟电路的分析方法。主要的工具是逻辑代数,电路的功能要的工具是逻辑代数,电路的功能用真值表、逻辑表
3、达式及波形图表用真值表、逻辑表达式及波形图表示。示。在数字电路中,三极管工作在数字电路中,三极管工作(gngzu)在开关状态,即工作在开关状态,即工作(gngzu)在饱和和截止状态。在饱和和截止状态。5第五页,共149页。第二章第二章 门电路和组合门电路和组合(zh)逻逻辑电路辑电路 2.1 概述概述(i sh)2.2 分离分离(fnl)元件门电元件门电路路 2.3 TTL集成门电路集成门电路 2.4 MOS门电路门电路2.5 逻辑代数逻辑代数 2.6 组合逻辑电路分析组合逻辑电路分析2.7 利用小规模集成电路设计组合电路利用小规模集成电路设计组合电路2.8 几种常用的中规模组件几种常用的中规
4、模组件6第六页,共149页。2.1 概述概述(i sh)在数字电路中,门电路是最基本的逻在数字电路中,门电路是最基本的逻辑元件。门电路的输入信号于输出辑元件。门电路的输入信号于输出(shch)信号之间存在一定的逻辑关系,信号之间存在一定的逻辑关系,所以门电路又称逻辑门电路。门电路是用所以门电路又称逻辑门电路。门电路是用以实现逻辑关系的电子电路,与基本逻辑以实现逻辑关系的电子电路,与基本逻辑关系相对应,门电路主要有:与门、或门、关系相对应,门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。与非门、或非门、异或门等。在数字电路中,门电路的输入输出信号在数字电路中,门电路的输入输出信号都是用电位(
5、电平)的高低来表示。一般都是用电位(电平)的高低来表示。一般(ybn)用高电平代表用高电平代表1、低点平代表、低点平代表0,即,即所谓的正逻辑系统。所谓的正逻辑系统。7第七页,共149页。ViVoKVccR100VVcc只要只要(zhyo)能判断高低电能判断高低电平即可平即可K开开-Vo=1,输出输出(shch)高电平高电平K合合-Vo=0,输出输出(shch)低电平低电平可用三极可用三极管代替管代替(dit)8第八页,共149页。R1R2AF+uccuAtuFt+ucc0.3V三极管的开关特性(截止三极管的开关特性(截止(jizh)区区饱和区)饱和区):截止截止(jizh)饱和饱和(boh)
6、9第九页,共149页。2.2 分离分离(fnl)元件门元件门电路电路 一、二极管与门一、二极管与门FD1D2AB+12V10第十页,共149页。“与与”逻辑逻辑(lu j)A、B、C都具备时,事件都具备时,事件(shjin)F才发生。才发生。EFABC&ABCF逻辑逻辑(lu j)符号符号11第十一页,共149页。F=ABC逻辑逻辑(lu j)式式逻辑乘法逻辑乘法逻辑与逻辑与AFBC00001000010011000010101001101111真值表真值表12第十二页,共149页。二、二极管或门二、二极管或门FD1D2AB-12V13第十三页,共149页。“或或”逻辑逻辑(lu j)A、B、
7、C只有一个只有一个(y)具备时,事件具备时,事件F就发生。就发生。1ABCF逻辑逻辑(lu j)符号符号AEFBC14第十四页,共149页。F=A+B+C逻辑逻辑(lu j)式式逻辑加法逻辑加法逻辑或逻辑或AFBC00001001010111010011101101111111真值表真值表15第十五页,共149页。R1DR2AF+12V+3V三、三极管非门三、三极管非门嵌位二极管嵌位二极管16第十六页,共149页。“非非”逻辑逻辑(lu j)A具备时具备时,事件,事件(shjin)F不发生;不发生;A不具备时,事件不具备时,事件(shjin)F发生。发生。逻辑逻辑(lu j)符号符号AEFRA
8、F17第十七页,共149页。逻辑逻辑(lu j)式式逻辑非逻辑非逻辑反逻辑反真值表真值表AF011018第十八页,共149页。R1DR2F+12V+3V三极管非门三极管非门D1D2AB+12V二极管与门二极管与门与非门与非门19第十九页,共149页。几种几种(j zhn)常用的逻辑关常用的逻辑关系逻辑系逻辑“与与”、“或或”、“非非”是三种基本的逻是三种基本的逻辑关系,任何其它的逻辑关系都可以以它们辑关系,任何其它的逻辑关系都可以以它们为基础为基础(jch)表示。表示。与非:条与非:条件件A、B、C都具备都具备(jbi),则则F 不发生。不发生。&ABCF20第二十页,共149页。或非:条件或
9、非:条件A、B、C任任一具备一具备(jbi),则则F 发生。发生。1ABCF异或:条异或:条件件A、B有有一个一个(y)具备,具备,另一个另一个(y)不具备不具备则则F 发生。发生。=1ABCF21第二十一页,共149页。1、体积、体积(tj)大、工作不可靠。大、工作不可靠。2、需要、需要(xyo)不同电源。不同电源。3、各种门的输入、输出电平不匹配。、各种门的输入、输出电平不匹配。22第二十二页,共149页。2.3 TTL集成集成(j chn)门电路门电路 一、一、TTL与非门的基本原理与非门的基本原理与分离元件与分离元件(yunjin)电路相比,集成电路相比,集成电路具有体积小、可靠性高、
10、速度快的特电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点,而且输入、输出电平匹配,所以早已点,而且输入、输出电平匹配,所以早已广泛采用。根据电路内部的结构,可分为广泛采用。根据电路内部的结构,可分为DTL、TTL、HTL、MOS管集成门电路。管集成门电路。23第二十三页,共149页。+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABCTTL与非门的内部结构与非门的内部结构&ABCF24第二十四页,共149页。+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC1、任一输入、任一输入(shr)为低电平为低电平(0.3V)时)时“0”1V不足以让不足以让T2、T5导通导通三个三
11、个PN结结导通需导通需2.1V25第二十五页,共149页。+5VFR4R2R13kR5T3T4T1b1c1ABC1、任一输入、任一输入(shr)为低电平为低电平(0.3V)时)时“0”1Vuouo=5-uR2-ube3-ube4高电平!高电平!26第二十六页,共149页。+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC2、输入、输入(shr)全为高电平全为高电平(3.4V)时)时“1”全导通全导通电位电位(din wi)被嵌被嵌全反偏全反偏 1V截止截止27第二十七页,共149页。2、输入、输入(shr)全为高电平全为高电平(3.4V)时)时+5VFR2R13kT2R3T1T
12、5b1c1ABC全反偏全反偏“1”饱和饱和uF此电路此电路(dinl)28第二十八页,共149页。1、电压传输、电压传输(chun sh)特性特性二、二、TTL与非门的特性与非门的特性(txng)和技术参和技术参数数测试测试(csh)电电路路&+5Vuiu029第二十九页,共149页。u0(V)ui(V)123UOH(3.4V)UOL(0.3V)传输特性传输特性(txng)曲线曲线u0(V)ui(V)123UOH“1”UOL(0.3V)阈值阈值(y zh)UT理想的传输理想的传输(chun sh)特性特性输出高电平输出高电平输出低电平输出低电平30第三十页,共149页。(1)输出)输出(shc
13、h)高电平高电平UOH、输出、输出(shch)低电平低电平UOL UOH 2.4V UOL 0.4V 便认为便认为(rnwi)合格。合格。典型值典型值UOH=3.4V UOL 0.3V。(2)阈值电压阈值电压UT uiUT时,认为时,认为ui是高电平。是高电平。UT31第三十一页,共149页。2、输入、输出、输入、输出(shch)负载特性负载特性&?(1)前后)前后(qinhu)级之间电流的联级之间电流的联系系32第三十二页,共149页。+5VR4R2R5T3T4R1T1+5V前级输出前级输出(shch)为为 高高电平时电平时前级前级后级后级反偏反偏流出前级流出前级电流电流(dinli)IOH
14、(拉(拉电流电流(dinli))33第三十三页,共149页。前级输出前级输出(shch)为为 低低电平时电平时+5VR2R13kT2R3T1T5b1c1R1T1+5V前级前级后级后级流入前级的电流入前级的电流流(dinli)IOL 约约 1.4mA(灌灌电流电流(dinli)34第三十四页,共149页。关于关于(guny)电流的技术电流的技术参数参数35第三十五页,共149页。(2)扇出系数)扇出系数(xsh):与非门电路输出驱动与非门电路输出驱动(q dn)同类门同类门的个数的个数+5VR4R2R5T3T4T1前级前级T1T1IiH1IiH3IiH2IOH前级输出前级输出(shch)为为高电
15、平时高电平时例如:例如:36第三十六页,共149页。+5VR2R13kT2R3T1T5b1c1前级前级IOLIiL1IiL2IiL3前级输出前级输出(shch)为为 低电平时低电平时37第三十七页,共149页。输出输出(shch)低电平时,流入前级的电流(灌电低电平时,流入前级的电流(灌电流):流):输出输出(shch)高电平时,流出前级的电流(拉电流)高电平时,流出前级的电流(拉电流):与非门的扇出系数与非门的扇出系数(xsh)一般是一般是10。38第三十八页,共149页。1、悬空、悬空(xunkng)的输入端相当于接的输入端相当于接高电平。高电平。2、为了防止干扰,可将悬空、为了防止干扰,
16、可将悬空(xunkng)的输入端接高电平。的输入端接高电平。39第三十九页,共149页。(3)平均)平均(pngjn)传输时间传输时间tuiotuoo50%50%tpd1tpd2平均传输平均传输(chun sh)时间时间40第四十页,共149页。三、三、其它其它(qt)类型的型的TTL门电路(三路(三态门)+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5ABDEE-控制控制(kngzh)端端41第四十一页,共149页。+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5ABDE01截止截止42第四十二页,共149页。+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5ABDE10导通导通截止截止截止截
17、止高阻态高阻态43第四十三页,共149页。&ABF符号符号(fho)功能表功能表低电平起作用低电平起作用44第四十四页,共149页。&ABF符号符号(fho)功能表功能表高电平起作用高电平起作用45第四十五页,共149页。E1E2E3公用总线公用总线三态门主要作为三态门主要作为TTL电路与总线电路与总线(zn xin)间的接口电路间的接口电路用途用途(yngt):E1、E2、E3分时接入高分时接入高电平电平46第四十六页,共149页。2.4 MOS门电路门电路半导体集成门电路按导电类型分为:半导体集成门电路按导电类型分为:双极型(双极型(TTL)(双极型晶体管)双极型晶体管)MOS型(绝缘型(
18、绝缘(juyun)栅场效应管)(单极栅场效应管)(单极型晶体管)型晶体管)MOS型:型:优点:优点:制造工艺简单、集成度高、功耗低、抗制造工艺简单、集成度高、功耗低、抗 干扰能力强,便于向大规模集成电路发干扰能力强,便于向大规模集成电路发展。展。缺点:工作速度较低。缺点:工作速度较低。47第四十七页,共149页。一、场效应晶体管一、场效应晶体管场效应管与双极型晶体管不同,它是多场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电子导电(dodin),输入阻抗高,温度稳定,输入阻抗高,温度稳定性好。性好。结型场效应管结型场效应管JFET绝缘绝缘(juyun)栅型场效栅型场效应管应管MOS场效应管有两种场效应
19、管有两种:48第四十八页,共149页。1、绝缘绝缘(juyun)栅场效应栅场效应管管:(1)结构)结构(jigu)和电路和电路符号符号PNNGSDP型基底型基底(j d)两个两个N区区SiO2绝缘层绝缘层49第四十九页,共149页。PNNGSD金属金属(jnsh)铝铝导电导电(dodin)沟道沟道GSDN沟道沟道(u do)增强型增强型50第五十页,共149页。NPPGSDGSDP沟道沟道(u do)增强型增强型51第五十一页,共149页。P沟道沟道(u do)耗尽型耗尽型NPPGSDGSD予埋了导电予埋了导电(dodin)沟道沟道 52第五十二页,共149页。(2)MOS管的工作管的工作(g
20、ngzu)原理原理以以N沟道沟道(u do)增强型增强型为例为例PNNGSDUDSUGS53第五十三页,共149页。PNNGSDUDSUGSUGS=0时时D-S间相当间相当于两个反接于两个反接的的PN结结ID=0对应对应(duyng)截止区截止区54第五十四页,共149页。PNNGSDUDSUGSUGS0时时UGS足够大时足够大时(UGSVT)感)感应出足够多电应出足够多电子,这里以电子,这里以电子导电为主出子导电为主出现现N型的导电型的导电沟道。沟道。感应感应(gnyng)出电子出电子VT称为称为(chn wi)阈值电压阈值电压55第五十五页,共149页。PNNGSDUDSUGSUGS较小时
21、,较小时,导电沟道导电沟道(u do)相当于电相当于电阻将阻将D-S连接起连接起来,来,UGS越大越大此电阻越小。此电阻越小。56第五十六页,共149页。PNNGSDUDSUGS当当UDS不太大时,不太大时,导电沟道在两个导电沟道在两个N区间区间(q jin)是均匀的。是均匀的。当当UDS较大较大时,靠近时,靠近D区区的导电的导电(dodin)沟沟道变窄。道变窄。57第五十七页,共149页。PNNGSDUDSUGSUDS增加,增加,UGS=VT时,时,靠近靠近D端的沟端的沟道道(u do)被被夹断,称为予夹断,称为予夹断。夹断。夹断后夹断后ID呈呈恒流特性。恒流特性。ID58第五十八页,共14
22、9页。(3)增强型)增强型N沟道沟道(u do)MOS管的特性管的特性曲线曲线转移特性转移特性(txng)曲线曲线0IDUGSVT59第五十九页,共149页。输出特性曲线输出特性曲线(qxin)IDU DS0UGS060第六十页,共149页。二、二、NMOS门电路门电路1、NMOS“非非”门电路门电路0UDSIDuiuoUCCR负载线负载线ui=“1”ui=“0”uo=“0”uo=“1”61第六十一页,共149页。uiuoUCCuiuoUCC实际实际(shj)结构结构等效等效(dn xio)结构结构62第六十二页,共149页。2、”与非与非”门电路门电路AYUCCB63第六十三页,共149页。
23、2、”或非或非”门电路门电路AYUCCB64第六十四页,共149页。三、三、CMOS反相器(互补反相器(互补(h b)对称)对称)UCCST2DT1AFNMOS管管PMOS管管CMOS电路电路65第六十五页,共149页。UCCST2DT1uiuoui=0截止截止ugs2=UCC导通导通u=“”1、“非非”门电门电路路66第六十六页,共149页。UCCST2DT1uiuoui=导通导通截止截止u=“”67第六十七页,共149页。2、“与非与非”门电路(略)门电路(略)3、“或非或非”门电路(略)门电路(略)68第六十八页,共149页。三、三、CMOS电路电路(dinl)的优点的优点、静态、静态(
24、jngti)功耗小。功耗小。、允许、允许(ynx)电源电压范围宽电源电压范围宽(3 18V)。)。3、扇出系数大,抗噪容限大。、扇出系数大,抗噪容限大。69第六十九页,共149页。2.5 逻辑逻辑(lu j)代数代数一、逻辑一、逻辑(lu j)代数运算法则代数运算法则在数字电路中,我们要研究的是电路在数字电路中,我们要研究的是电路的输入输出之间的逻辑关系,所以数字电的输入输出之间的逻辑关系,所以数字电路又称逻辑电路路又称逻辑电路(lu j din l),相应的研,相应的研究工具是逻辑代数(布尔代数)。究工具是逻辑代数(布尔代数)。在逻辑代数中,逻辑函数的变量只能取在逻辑代数中,逻辑函数的变量只
25、能取两个值(两个值(二值变量二值变量),即),即0和和1,中间值没,中间值没有意义,这里的有意义,这里的0和和1只表示两个对立的逻只表示两个对立的逻辑状态,如电位的低高(辑状态,如电位的低高(0表示低电位,表示低电位,1表示高电位)、开关的开合等。表示高电位)、开关的开合等。70第七十页,共149页。1、几种、几种(j zhn)基本的逻辑基本的逻辑运算运算从三种基本的逻辑关系,我们可以从三种基本的逻辑关系,我们可以(ky)得到以下逻辑运算:得到以下逻辑运算:0 0=0 1=1 0=01 1=10+0=00+1=1+0=1+1=171第七十一页,共149页。2、逻辑、逻辑(lu j)代数的基本定
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