晶体管元件认识及测量优秀课件.ppt

《晶体管元件认识及测量优秀课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《晶体管元件认识及测量优秀课件.ppt（13页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、晶体管元件认识及测量第1页，本讲稿共13页2、用数字万用表鉴别晶体三极管（1）晶体管的管脚和类型的识别：先判断基级 判别类型 集电极和发射极的判断（2）晶体管性能好坏的检查eeecbcbbbecNPNcPNP90153DD01B3AX31B2763LM324CD4100第2页，本讲稿共13页Ib（A）OVBE（V）0.220VCE=0V0.40.6VCE1V4080603、运用晶体管特性曲线求参数(1)晶体二极管正反向V-I特性A、正向特性B、反向特性C、反向击穿特性vDovziDvBR(2)晶体三极管输入特性曲线硅管输入特性曲线Ib（A）OVBE（V）0.0520VCE=0V0.100.15

2、VCE1V4080600.20锗管输入特性曲线第3页，本讲稿共13页QIC（mA）VCE (V)OUCE (V)IBIC(3)晶体三极管输出特性曲线 A、工作区域饱和区：VCE小到一定程度，而是放大区：截止区：I IB B=0=0而I IC C00 过损耗区：不大于 其中如何一项安全工作区：小于 其中如何一项饱和区饱和区截止区截止区放大区放大区IC（mA）VCEOOUCE (V)过过 损损 耗耗 区区安安全全工工作作区区第4页，本讲稿共13页B、主要参数电流放大系数：集电极-基极反向饱和电流 （发射极开路）集电极-发射极反向饱和电流 （基极开路）集电极最大允许电流集电极最大允许功率损耗反向击穿

3、电压 （集电极开路）（发射极开路）（基极开路）uAICEOuAICBOIBICV（BR）EBOV（BR）CBOV（BR）CEOICEO=常数OVBE（V）102030 243561ICE（mA）7060508040VCEO=常数ICEO、VCEO特性曲线第5页，本讲稿共13页4、三极管输出特性曲线及其逐点测量法示意图AAvvRBECRCEBOICIB0IB1IB2IB3UCEO5、三极管特性图示仪组成方框图tIbY轴放大器RC功耗限制电阻RB集电极扫描信号RF取样电阻阶梯波信号X轴放大器OtUS示波管UCEOIC第6页，本讲稿共13页UCOIbteUR（Ic）bRLcUsaOtUSIb1Ib2

4、Ib0Ib36、图示法测三极管输出特性基本原理OICIb0Ib1Ib2Ib3t3t2t1tIbt4第7页，本讲稿共13页7、XJ4810型半导体管特性图示仪 辅助聚焦辅助聚焦X轴选择轴选择Y轴选择轴选择聚焦聚焦电源电源指示指示亮度亮度电源电源开关开关显示开关显示开关Y轴位移轴位移X轴选择轴选择电容电容平衡平衡辅助电辅助电容平衡容平衡功耗电功耗电阻选择阻选择扫描电扫描电压范围压范围保险保险丝丝扫描扫描电压电压%极性极性选择选择极极性性调调零零级级/簇簇单簇单簇按开按开关关串联串联电阻电阻开关开关阶梯阶梯信号信号选择选择测试测试选择选择重复重复/关关开关开关第8页，本讲稿共13页实验内容1、用万用

5、表鉴别晶体三极管的性能（1）先判断晶体管的基极；（2）判断晶体管的集电极；（3）判断晶体管的类型；（4）利用数字万用表测晶体管hfe值。将实验结果记录于下列表中.晶体管型号晶体管型号类类型判断型判断管脚判断管脚判断晶体管晶体管hfe值值90149015第9页，本讲稿共13页2、用XJ4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的特性曲线与参数 （1）测稳压管 2CW4正反向伏安特性，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线，并记录稳定电压VZ。（2）晶体三极管输出特性测量 测出9014共发射极连接的输出特性曲线族，并用方格纸记下曲线分别估算线性区的值。分别求出当VCE3V时，IC5mA情况下管子的值。（3

6、）晶体三极管输入特性测量 测出3AX31和9014两管共发射极连接的输入特性曲线，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线族。从输入特性曲线上求取IB=20uA时，9014、3AX31的VBE值。（4）晶体三极管反向击穿电压V（BR）CEO的测量 测出3AX31和9014两管（取 ICEO=2mA）的V（BR）CEO将击穿曲线记录于方格纸上，并求取V（BR）CEO的值。（5）晶体管穿透电流的测量（VCEO=10 V）测出3AX31的ICEO曲线，用方格纸记录图示仪的ICEO曲线。第10页，本讲稿共13页9013(NPN)半导体管测试条件 输输出特性出特性输输入特性入特性I ICEOCEO（基极开路

7、）（基极开路）BVBVCBOCBO（基极开路）（基极开路）峰峰值电压值电压范范围围0 010V10V0-100V0-100V极性极性正正(+)(+)功耗功耗电电阻阻250-2K250-2KX X轴轴V VCECE：1V/1V/度度V VBEBE0.1V/0.1V/度度V VCECE：10V/10V/度度Y Y轴轴I IC C：1mA/1mA/度度基极基极电电流流I IC C：0.1mA/0.1mA/度度阶阶梯信号梯信号重复重复极性极性正正(+)(+)阶阶梯梯选择选择10A/10A/级级第11页，本讲稿共13页3AX81(PNP)半导体管测试条件输输出特性出特性输输入特性入特性I ICEOCEO

8、（基极开路）（基极开路）BVBVCBOCBO（基极开路）（基极开路）峰峰值电压值电压范范围围0 010V10V0-100V0-100V极性极性正正(-)(-)功耗功耗电电阻阻250-2K250-2KX X轴轴V VCECE：1V/1V/度度V VBEBE0.05V/0.05V/度度V VCECE：10V/10V/度度Y Y轴轴I IC C：1mA/1mA/度度基极基极电电流流I IC C：10A/10A/度度阶阶梯信号梯信号重复重复极性极性正正(-)(-)阶阶梯梯选择选择10A/10A/级级第12页，本讲稿共13页注意事项1、注意晶体管引脚。2、集电极扫描电压不能加的太高，一般小功率管在几十伏。以免击穿晶体管。3、基极电流不能太大，一般小功率管在微安级。4、注意晶体三极管导电类型实验报告要求1、整理实验数据，画出被测各类特性曲线（共7条曲线）。2、从实验结果分析锗、硅管的不同点。评分标准整齐度,规范化 5+10分用数字万用表测判别管脚，10分稳压管曲线及稳压值，15分9013输出特性曲线及，15分3AX81、9013输入特性曲线及VBEO，15分9013 V（BR）CEO，5分3AX81 ICEO，5分总结锗管与硅管、普通二极管与稳压二极管的特点。20分下次实验预习内容实验教材（电子技术基础实验-陈大钦主编）P59-P63，单级共射放大电路。第13页，本讲稿共13页