现代分析测试技术.ppt
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1、q AESAES分析分析方法原理方法原理q AESAES谱仪谱仪基本构成基本构成q AESAES谱仪谱仪实验实验技术技术q AESAES谱图分析技术谱图分析技术 俄歇电子能谱(俄歇电子能谱(AESAES)大本讲义大本讲义qSIMSSIMS基本结构及基本结构及技术特点技术特点qXPS/AES/SIMSXPS/AES/SIMS方法比较方法比较二次离子质谱分析技术二次离子质谱分析技术二次离子质谱分析技术二次离子质谱分析技术q离子溅射过程离子溅射过程:一定能量的离子打到固体表面一定能量的离子打到固体表面引起表面原子、分子或原子引起表面原子、分子或原子团的二次发射团的二次发射溅射离子溅射离子;溅射的粒子
2、一般以中性为主,;溅射的粒子一般以中性为主,有有1%1%的带有正、负的带有正、负电荷电荷二次离子;二次离子;q二次离子质谱:利用质量分析器接收分析二次离子质谱:利用质量分析器接收分析二次离子二次离子质量质量电荷比值(电荷比值(m/Zm/Z)获获得得二次离子质二次离子质谱谱,判断试样表面的元素组成和化学状态;,判断试样表面的元素组成和化学状态;q溅射产额溅射产额:影响二次离子产额因素:影响二次离子产额因素与入射离子能量、入射角度、原子序数与入射离子能量、入射角度、原子序数均有一定关系,并与靶原子的原子序数、晶格取向有关;均有一定关系,并与靶原子的原子序数、晶格取向有关;离子溅射与二次离子质谱离子
3、溅射与二次离子质谱离子溅射与二次离子质谱离子溅射与二次离子质谱聚苯乙烯的二次离子质谱聚苯乙烯的二次离子质谱 离子源离子源质量分析器质量分析器检测器检测器二次离子质谱二次离子质谱二次离子深度分析二次离子深度分析二次离子分布图像二次离子分布图像二次离子质谱系统结构示意图二次离子质谱系统结构示意图二次离子质谱系统结构示意图二次离子质谱系统结构示意图1 12 23 34 45 5q初级离子枪初级离子枪:热阴极电离型离子源,双等离子体离子源,液态金属场离:热阴极电离型离子源,双等离子体离子源,液态金属场离子源;离子束的纯度、电流密度直接影响分析结果;子源;离子束的纯度、电流密度直接影响分析结果;q二次离
4、子分析器二次离子分析器:分析质荷比:分析质荷比磁偏式、四极式磁偏式、四极式(静态(静态SIMSSIMS )、)、飞行飞行时间式时间式(流通率高,测量高质量数离子)质量分析器;分析能力取决于(流通率高,测量高质量数离子)质量分析器;分析能力取决于分析器的穿透率及质量解析能力;分析器的穿透率及质量解析能力;q离子探测器离子探测器:离子流计数:离子流计数高离子电流采用法拉第杯;低离子电流采用高离子电流采用法拉第杯;低离子电流采用电子倍增管;电子倍增管;q数据采集和处理系统数据采集和处理系统:控制分析工作的进行与数据处理;:控制分析工作的进行与数据处理;q主真空室主真空室:1010-7-7 PaPa保
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