某公司工作总结报告(PPT 30页)beto.pptx

《某公司工作总结报告(PPT 30页)beto.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《某公司工作总结报告(PPT 30页)beto.pptx（30页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、CompanyLOGO工作总结报告ContentsResolution limit AND DOF2工艺问题处理4光刻机的发展3 1RETMAN 程序设计3 3光 刻 机 的 发 展v 一.光刻机的发展主要从二十世纪70 年代到现在，从早期的线宽5 微米以上到现在的亚微米尺寸，从汞灯光源到KrF 等，按曝光方式大致将光刻机分为五代。五 代 光 刻 机Future步进重复光刻机分步重复光刻机扫描投影光刻机接触式光刻机接近式光刻机因为接触容易污染，每5 到25 次需要更换掩模版。二十世纪70 年代主要光刻手段。采用紫外光UV 光曝光。可以减小失真，能够在硅片表面形成高分辨率的图形。接触式光刻机光

2、刻 机 的 发 展光 刻 机 的 发 展工作能力下降减小了分辨能力，获得小的关键尺寸成问题接近式光刻机 接近式光刻机缓解了沾污问 缓解了沾污问题。题。机器容许偏差控制的要求，定位容差要求不超过几十纳米机器制造难度和镜头的制造难度大步进传动误差小于特征尺寸的1/10是一种混合设备 是一种混合设备融合了扫描和分 融合了扫描和分步光刻机 步光刻机解决了细线条下 解决了细线条下CD CD 的均一度 的均一度为了解决曝光场的限制和关键尺寸减小等问题20 20 世纪 世纪80 80 年代 年代后期，可以使用 后期，可以使用缩小透镜 缩小透镜提高了套刻均 提高了套刻均一度，提供了高 一度，提供了高分辨率 分

3、辨率因为采用1:1 的掩模版，若芯片中存在亚微米尺寸，掩模版不能做到无缺陷20 20 世纪 世纪80 80 年代初 年代初解决了沾污和 解决了沾污和边缘衍射 边缘衍射 接近式光刻机扫描投影光刻机分步重复光刻机步进扫描光刻机光刻机的发展所伴随的参数变化 数值孔径分辨率套准精度NA分步重复0.3 0.6步进扫描0.75-1.3分步重复光刻机步进扫描Resolution（微米）分步0.7 0.15步进扫描0.22 0.09套准精度从小于70 纳米到小于45 纳米影响光刻机的一些因素v 温度：温度对掩模版台、光学元件、承片台和对准系统产生影响。所以高温照明系统和电源通常放在远离设备主体的地方。v 湿度

4、：湿度能影响空气密度，不利于光通过；从而对干涉计定位、透镜数值孔径和聚焦产生不利影响。v 振动：振动的发生将给定位、对准、聚焦和曝光带来问题。可能产生定位错误、对准错误、离焦和不均匀曝光。v 大气压力：大气压力的变化可能影响投影光学系统中空气的折射率。将导致不均匀线宽控制和极差的套准精度。Resolution limit AND DOFv 一.Resolution Limit定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形的能力。图形的分辨率与设备的光学特性采用的光刻胶及光刻工艺环境有关ResolutionLIGHE SOURCEProcess/resist improvementsImproved

5、optical schemesLens design improvementsResolution limit AND DOF代价Lower k1High NASmaller 更换光源 光源的成本增加，准分子激光的输出功率较小，光刻胶也需要进行改进DOF 越小，意味着镜头的材料改变工艺改进的问题，Resolution limit AND DOFWavelength of Lithography System 390 450我们目前所用光刻机的曝光波长是390 450 纳米数值孔径NA 为0.315K1 的值在0.6 0.8 之间理论值 理论值Resolution Resolution 在 在0

6、.8 0.8 到 到1.2 1.2实际参考值为 实际参考值为1.25 1.25DiagramFOCUS AND DOF一.DOF 的定义焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续的保持清晰，这个范围被称为焦深或DOF。描述焦深的方程式是：K2 的数值范围在0.8 到1.2 之间FOCUS AND DOFRETMAN PROGRAM三.RETMAN Program DesignThe Reticle manager software program,designed for use in the HP9826 computer.The retman program performs some ma

7、in functions.The retman program which contain alignment mark locations,focus,and exposure information,is used by the main Stepper program to accurately the reticle image onto the wafer.添加主要参数 添加主要参数 初始化信息 初始化信息 显示所设计的图形 显示所设计的图形PARAMETERS INITIALIZE MODIFYRETMAN PROGRAMMain Main functions functionsO

8、ptimizing Optimizing die layout die layoutOutput wafer Output wafer layout data layout dataOptimizing Optimizing wafer layoutwafer layoutRETMAN PROGRAMRETMAN PROGRAMULTRATECHSTEPPER RETICLE MANAGERREAD FROM DISKSAVE TO DISK Wafer parametersInitialize waferModify waferCont dice/stepsReticle parameter

9、sInitialize reticleModify fieldList dwm 3696RETMAN 主操作界面RETMAN PROGRAMMIN.STREET WIDTHSTREET OUTSIDEFIELD ARRAY OFFSETXKEY TO REFERENCEY-OFFET0.1Y0.014.2410KeyROTAT/CHECKPE INTERMIXWAFER RADIUSROWS?AMSNN75.001LENSRETICLEAUTOSTACK?TITLE HEIGHTCOLUMNW3N0.0013 CHIP#TITLE X Y 1.CHIP2.OAT3.-UNDEFINED-4.-

10、UNDEFINED-2.1004.01.14.00.1Y0.00.1RETMAN PROGRAMINITIALIZE RETICLEFIELD FILL 99.5%DICE=5208STEP=63X FSTEP 26.4mmY FSTEP 10.8mmX CHIP 2.200mmY CHIP 1.200mmX SCRIBE 0.1mmY SCRIBE 0.1mmCOLS 12ROWS 9MODIFY RETICLE KEY DEFINITIONSC-CHANGE SINGLE CHIPA-CHANGE ALL CHIPK-ADD KEYS,LEFT,RIGHT,BOTH,NONEO-ENTER A CHIP OFFSETD-DELETE CHIP E-ENLARGE VIEWR-ROTATE CHIP 90 DEGREERETMAN PROGRAM