硅单晶电阻率的测试优秀课件.ppt

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1、硅单晶电阻率的测试第1 页，本讲稿共11 页目录：一、采样及样品处理 二、检测依据及设备 三、检测原理及作业指导书 四、检测环境及影响因素 五、检测数据分析 六、检测报告书第2 页，本讲稿共11 页一、采样及样品处理 1、采样:单晶片：取单晶棒头部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、样品处理：（1）、试样待测面用320#（2842m）或W28(2028m)金刚砂研磨或喷砂。（2）、对圆片试样，用514m 氧化铝或金刚砂研磨上下表面。第3 页，本讲稿共11 页二、检测依据及设备 1、检测依据：第4 页，本讲稿共11 页2、检测设备：第5 页，本讲稿共11 页三、检测原理及作业指导书 1、工作原

2、理：样品内部的电位分布为：式中 为距离点电流半径为r 的半球面上任何一点的电位，I 是电流大小，是样品的电阻率。电流流入，取正号；电流流出，取负号。经计算推导得：第6 页，本讲稿共11 页2、作业指导书：（一）方法原理：四探针法（二）仪器设备 1.7075（7071）型数字电压表 2.四探针测试仪 3.样品检测工作台（二）操作步骤 1.接通7075 或7071 数字电压表 2.测试电流选择：根据样品电阻率范围选择测量电流档位：3.校样 用已知电阻率样块检查测量系统并作好记录。若测量数据落在样块标称数据范围之内，则该系统可以投入使用。如有出入，应请有关人员检查。4.电阻率的测试 5.硅单晶电阻率

3、测试的规定第7 页，本讲稿共11 页四、检测环境及影响因素 检测环境：常温即可 影响因素：1、测试样品的探针到边缘及厚度的距离大于三倍针距以上，样品的几何尺寸必须近似满足半无限大。2、四探针与试样应有良好的欧姆接触，针尖比较尖，与样品接触点为半球形，四探针应处于同一条直线上且间距相等。3、电流I 在测量期间应保持恒定，特别是压力不够时，接触电阻很大并且不稳定，造成测试电阻率值不断波动。（以不压坏晶体为前提）。第8 页，本讲稿共11 页五、检测数据分析编号1 2 3 4 5平均值电阻率0.65 0.61 0.61 0.63 0.6编号6 7 8 9 10电阻率0.6 0.62 0.62 0.6

4、0.61 0.615第9 页，本讲稿共11 页六、检测报告书检验报告检测项目 直拉单晶片电阻率的检测 规格型号直径：50mm 厚度：8.1mm 单晶片委托单位及地址乐山职业技术学院 产品等级 优等品乐山市市中区肖坝路108 号抽样基数 单晶棒头中尾各三片生产单位 乐山嘉源有限公司 样品数量3 片抽/送样日期2013-9-14检验状态 符合检验要求检验日期2013-9-16检验类别 委托检验检验依据国标GB/T1552-1995检验结果平均电阻率为0.615-cm 检验结论 符合合同要求主检人员：陈莉、何霞 质检机构（公章）审核人员：徐航、赵仕海批准人员：签发日期：2013 年9 月16 日第10 页，本讲稿共11 页谢谢观赏!第11 页，本讲稿共11 页