[精选]太阳能电池生产工艺原理31566.pptx
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1、 太阳电池工作原理及制造 无锡尚德太阳能电力有限公司 无锡尚德太阳能电力有限公司(SUNTECH POWER CO.LTD.SUNTECH POWER CO.LTD.)气候变暖、南极空洞、生态失衡、环境恶化过度排放的废水、废气、废渣让我们的地球不堪重负。全球变暖是一个毋庸置疑的事实,而且正在加速变暖。研究发现,全球平均温度已升高0.30.6摄氏度,其中11个最暖的年份发生在80年代中期以后。全球变暖已经带来冰川消退、海平面上升、荒漠化等等非常严重的后果,还给生态和农业带来严重影响。漫画:明天我们去哪里?产品介绍太阳电池结构正电极铝背场负电极主栅线 负电极子栅线航天技术远距离工业应用远距离工业应
2、用边远地区居民边远地区居民太阳能电池并网发电系统太阳能电池并网发电系统目录 引言 太阳能辐射 太阳电池的设计和制造 太阳电池结构和工作过程 太阳电池的电性能一、引言 太阳电池 将太阳光能直接转换为电能的 半导体器件种类硅太阳电池1)Si太阳电池1)单晶硅片2)GaAs太阳电池(砷化镓)2)多晶硅片3)染料敏化电池3)非晶硅薄膜4)Cu2S电池4)多晶硅薄膜二、太阳能辐射1、太阳辐射能的来源电磁辐射 大气层对太阳辐射的影响大气质量太阳光线通过大气层的路程对到达地球表面的太阳辐射的影响AM0地球大气层外的太阳辐射AM1穿过1个大气层的太阳辐射(太阳入射角为0)AM1.5太阳入射角为48的太阳辐射
3、太阳辐射穿过大气层的情况AM0AM1.5 Junction 太阳电池的工作过程 光生伏特效应光生伏特效应Scell-吸收光子,产生电子空穴对-电子空穴对被内建电场分离,在PN结两端产生电势-将PN结用导线连接,形成电流-在太阳电池两端连接负载,实现了将光能向电能的 转换太阳电池等效电路图串联电阻(Rss)硅材料体电阻 金属电极电阻金属与硅的接触电阻并联电阻(Rshsh)边缘漏电 体内杂质和微观缺陷 PN结局部短路温度对太阳电池的影响电流温度系数:0.1%电压温度系数:-0.4%(-2.3mV/)曲线125 曲线235 12光强对太阳电池的影响 12曲线11 个太阳曲线20.5 个太阳太阳电池电
4、性能参数Isc,Uoc,Eff,FF,Rs,Rsh,Isc:电池面积、光强、温度Voc:光强、温度FF:串联电阻、并联电阻电性能测试光强:1000W/m2光谱分布:AM1.5电池温度:25太阳电池的设计 光生载流子的收集几率 结深 电极设计(使电阻损耗最小)减反射膜的厚度和折射率太阳电池的光谱响应ABSDEPTHABSDEPTH 被收集的载流子数与入射光子数之比被收集的载流子数与入射光子数之比太阳电池性能和质量分析短路电流减反射膜、基区扩散长度、结的质量、损伤层开路电压边缘腐蚀不够、PN结不良填充因子方块电阻、欧姆接触硅片的制造过程Scrnprt 硅片尺寸 103103()单晶 125125(
5、)单晶 125125()多晶 150150()多晶 156156()单晶 156156()多晶在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。电池片生产流程装片制绒化学清洗扩散刻蚀去磷硅玻璃PECVD 丝网印刷烧结分类检测包装单晶电池片生产过程制绒清洗甩干扩散刻蚀和去磷硅玻璃PECVD丝网印刷背电极丝网印刷背电场丝网印刷正面电极分类检测包装原始硅片多晶电池片生产过程原始硅片制绒清洗和甩干 扩散刻蚀和去磷硅玻璃PECVD丝网印刷背电极丝网印刷正电极分类检测包装丝网印刷背电场清洗间制绒 制绒甩干 甩干观察绒面检验硅片尺寸测厚度 测厚度称重
6、 称重 清洗 清洗 装片 装片装片 1 1、检验职责:、检验职责:懂得各确认硅片包装是否破损、确认在制品数量、确认硅片内包装是否破损 懂得各确认硅片包装是否破损、确认在制品数量、确认硅片内包装是否破损 及包装盒数、确认包装标签信息与配料单信息是否一致、硅片外观检测。及包装盒数、确认包装标签信息与配料单信息是否一致、硅片外观检测。、装片要点:、装片要点:带一次性手套、承载盒下面垫海绵条、将硅片捻成扇形插片、区分不良品、带一次性手套、承载盒下面垫海绵条、将硅片捻成扇形插片、区分不良品、放置不良品、纪录表单 放置不良品、纪录表单 能发现生产过程中的各种问题,并及时向上级汇报,争取在第一时间内解决问题
7、。与组员团结协作,空闲时帮助其他组员完成工作,共创有意义的工作环境。制绒岗位须知与步骤 制绒须知:了解清洗间使用的各种原辅料的特性(包括:硅片、HF酸、HCL酸、铬酸、酒精、硅酸钠),做到能正确辨别、正确使用。懂得各种溶液的配备及生产过程中的正确防护。保证送入扩散间的硅片与相应的流程卡一一对应,而且数据准确。懂得各操作记录及工序流程卡的正确填写,确保生产过程中的统计准确。制绒步骤:佩带防护眼镜、口罩、手套花篮准备将硅片防入花篮机器上料开始制绒制绒分钟开启制绒槽盖抽检一片目视制绒效果(有无白斑)将硅片放入槽中关闭槽盖放入水槽抽检一片氮气枪吹干电子显微镜观察绒面将硅片放入水槽开启制绒槽化学品加液关
8、闭制绒槽盖制绒完毕填写表单 单晶制绒:用碱腐蚀 多晶制绒:用酸腐蚀制绒作用:减少反射,增强对太阳光的吸收减少反射,增强对太阳光的吸收。单晶制绒的原理:硅的各向异性腐蚀,在不同的晶向上的腐蚀速度不一致,在100面上的腐蚀速率与111面上的腐蚀速率R111的比值R100:R111在一定的弱碱溶液中可以达到500 反应方程式:2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2太阳电池制造过程-化学清洗 HCL去除硅片表面的金属离子 HF去除硅片表面的氧化物P P型半导体硅 型半导体硅单晶的各种形貌 单晶原始形貌(500倍)单晶绒面(500倍)单晶绒面(SEM)多晶绒面(SEM)扩散间取片 取片拿石英舟
9、 拿石英舟上桨 上桨装片 装片进炉 进炉 设置参数 设置参数测 测片 片取片 取片流入下道工 流入下道工序传递箱 序传递箱 太阳电池制造过程-扩散在P型半导体表面掺杂五价磷元素在硅片表面形成PN结外层:磷硅玻璃中间:N型半导体硅P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)PN结太阳电池的心脏 扩散的目的:形成PN结扩散装置示意图四探针测量方块电阻 四探针测量方块电阻电位差计单晶硅1 2 3 4 扩散原理化学方程式 扩散原理化学方程式:懂得石英管、SIC 桨及其它石英器件的拆卸、清洗和安装。懂得石英管清洗机的使用及相应清洗液的配备。懂得在手动及自动状态下对扩散舟及扩散管进行TCA 和饱和。懂得装片
10、、卸片的正确方法,并确保扩散舟及钝化舟的正确使用。懂得四探针测试仪的正确使用及方块电阻的正确测量。懂得生产过程中方块电阻的正确控制,确保方块电阻处于要求范围。扩散操作重点扩散原理及检测刻蚀间夹片 夹片取片 取片 去 去PSG PSG刻蚀 刻蚀上料 上料整理 整理插片 插片取片 取片甩干 甩干检测 检测 运行 运行太阳电池制造过程-等离子体刻蚀刻蚀目的:去除边缘PN 结,防止上下短路等离子体刻蚀原理:等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。刻蚀方
11、法:干法刻蚀:湿法刻蚀P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)等离子体刻蚀检验检验操作及判断:确认万用表工作正常,量程置于200mV。冷探针连接电压表的正电极,热探针与电压表的负极相连。如果经过检验,任何一个边沿没有刻蚀合格,则这一批硅片需要重新 装片,进行刻蚀。检验方法:检验方法:冷热探针法刻蚀机原理化学方程式去PSG原理化学方程式OO2 2是作用:是作用:加快 加快CF4 CF4与硅片边缘 与硅片边缘PN PN结的反应速率 结的反应速率等离子体刻蚀反应太阳电池制造过程-去磷硅玻璃 用HF酸把表面的磷硅玻璃去除P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃什么是磷硅玻璃?在扩散过程中发生如下反应:POC
12、l3分解产生的P2O5淀积在硅片表面,P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子。这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。氢氟酸是无色透明的液体,具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性。但氢氟酸具有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅,因此不能装在玻璃瓶中。在半导体生产的清洗和腐蚀工艺中,主要就利用氢氟酸的这一特性来除去硅片表面的二氧化硅层。PECVD插片 插片放入洁净柜 放入洁净柜检查 检查推入上料区 推入上料区取料 取料卸片 卸片运行程序 运行程序送入下道工序 送入下道工序填写表单 填写表单太阳电池制造过程-PECVD 在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜 可以充分吸收太阳
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