电力电子器件介绍.pptx
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1、1.1 半导体基础知识导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属 一般都是导体。绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。1.1.1 本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。一、半导体 导电特性处于导体(低价元素构成)和绝缘体(高价元素构成)之间,称为半导体,如锗、硅等,均为四价元素。共价键价电子共有化,形成共价键的晶格结构1.1.1 本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。一、半导体二、本征半导体的导电情况金属导电是由于其内部有自由电
2、子存在(载流子),在外电场的作用下,自由电子定向移动,形成电流.半导体中有两种载流子:自由电子和空穴自由电子空穴在外电场作用下,电子的定向移动形成电流+-在外电场作用下,空穴的定向移动形成电流+-1.本征半导体中载流子为电子和空穴;2.电子和空穴成对出现,浓度相等;3.由于热激发可产生电子和空穴,因此半导体的导电性和温度有关,对温度很敏感。1.1.2 杂质半导体一、N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。电子-多子;空穴-少子.converteam 作者:周宇1.1.2 杂质半导体二、P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使
3、之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。空穴-多子;电子-少子.注意杂质半导体中,多子的浓度决定于掺杂原子的浓度;少子的浓度决定于温度。converteam 作者:周宇1.1.3 PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。一、PN结的形成P区N区converteam 作者:周宇一、PN结的形成在交界面,由于两种载流子的浓度差,出现扩散运动。converteam 作者:周宇一、PN结的形成在交界面,由于扩散运动,经过复合,出现空间电荷区 空间电荷区耗尽层converteam 作者:周宇一、PN结的形成当扩散电流等
4、于漂移电流时,达到动态平衡,形成PN结。PN结converteam 作者:周宇1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场;2.内电场阻碍多子扩散,有利于少子漂移;3.当扩散电流等于漂移电流时,达到动态平衡,形成PN结。converteam 作者:周宇二、PN结的单向导电性 1.PN结外加正向电压时处于导通状态加正向电压是指P端加正电压,N端加负电压,也称正向接法或正向偏置。converteam 作者:周宇 内电场外电场外电场抵消内电场的作用,使耗尽层变窄,形成较大的扩散电流。converteam 作者:周宇2.PN结外加反向电压时处于截止状态外电场和内电场的共同作用,使耗尽层变宽,形成很小的漂移电
5、流。converteam 作者:周宇三、PN结的伏安特性 正向特性反向特性反向击穿PN结的电流方程为其中,IS 为反向饱和电流,UT26mV,converteam 作者:周宇1.2 半导体二极管converteam 作者:周宇1.2 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极(A),由N区引出的电极为阴极(K)。二极管的符号:P N阳极 阴极 converteam 作者:周宇converteam 作者:周宇 功率二极管的工作原理 由于PN 结具有单向导电性,所以二极管是一个正方向单向导电、反方向阻断的电力电子器件。converteam 作者
6、:周宇1.功率二极管的特性(1)功率二极管的伏安特性 二极管具有单向导电能力,二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压 Uth(又称死区电压),当外加电压小于门坎电压时,正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V,当外加电压大于 Uth后,电流会迅速上升。当外加反向电压时,二极管的反向电流IS是很小的,但是当外加反向电压超过二极管反向击穿电压 URO后二极管被电击穿,反向电流迅速增加。伏安特性UI导通压降:硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。反向击穿电压UBR死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。converteam 作者:周宇 环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线
7、下移。在室温附近,温度每升高1C,正向压降减小22.5mV;温度每升高10C,反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。converteam 作者:周宇稳压二极管及应用1.稳压管的工作原理稳压管的符号converteam 作者:周宇2.稳压管的主要参数稳定电压UZUZ是指击穿后在电流为规定值时,管子两端的电压值。稳压电流IZ额定功耗PZM IZ是稳压二极管正常工作时的参考电流。工作电流小于此值时,稳压二极管将失去稳压作用。PZM 等于稳定电压UZ与最大稳定电流IZM(或 IZmax)的乘积。converteam 作者:周宇3.稳压管的稳压条件稳压管正向工作时和二极管的特性完全相同。必须工作
8、在反向击穿状态;流过稳压管的电流在IZ和IZM之间。注意!converteam 作者:周宇特殊二极管1.光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件,其结构与普通二极管相似,只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。converteam 作者:周宇2.发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN 结构成,当发光二极管正偏时,注入到N 区和P 区的载流子被复合时,会发出可见光和不可见光。converteam 作者:周宇1.3 双极型晶体管converteam 作者:周宇1.3 双极型晶体管 一、晶体管的结构和类型NPN型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极bec发射极箭头的方向为
9、电流的方向converteam 作者:周宇bPNP集电极基极发射极cePNP型converteam 作者:周宇converteam 作者:周宇 双极型功率晶体管BJT 的容量水平已达1.8kV lkA,频率为20kHz。converteam 作者:周宇 双极型功率晶体管的工作原理 以NPN 型双极型功率晶体管为例,若外电路电源使 UBC0,则发射结的PN 结处于正偏状态。此时晶体管内部的电流分布为:(1)由于 UBC0,发射结处于正偏状态,P 区的多数载流子空穴不断地向N 区扩散形成空穴电流 IPE,N 区的多数载流子电子不断地向P 区扩散形成电子电流 INE。converteam 作者:周宇
10、 单个BJT 电流增益较低,驱动时需要较大的驱动电流,由于单级高压晶体管的电流增益仅为10 左右,为了提高电流增益,常采用达林顿结构,如每级有10 倍的增益,则3级达林顿结构的电流增益可达1000 左右。converteam 作者:周宇BJT 的开关特性 在开关工作方式下,用一定的正向基极电流 IB1去驱动BJT 导通,而用另一反向基极电流 IB2迫使BJT 关断,由于BJT 不是理想开关,故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。converteam 作者:周宇 BJT 的开关响应特性二、晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件,它能够控制能量的转换,
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