2023年模电知识要点全面汇总归纳-期末复习用-较全面[适合考前时间充分的全面复习].pdf

《2023年模电知识要点全面汇总归纳-期末复习用-较全面[适合考前时间充分的全面复习].pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2023年模电知识要点全面汇总归纳-期末复习用-较全面[适合考前时间充分的全面复习].pdf（22页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、学习必备 精品知识点 模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性

2、*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN 结 *PN结的接触电位差-硅材料约为 0.60.8V，锗材料约为 0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管 0.60.7V，锗管 0.20.3V。*死区电压-硅管 0.5V，锗管 0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 V阴(正偏)，二极管导

3、通(短路);若 V阳 V 阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V 阳 u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零:i+=i-=0 有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为学习必备 精品知识点 第七章 放大电路中的反馈 一.反馈概念的建立 开环放大倍数 闭环放大倍数 反馈深度 环路增益：1当时，下降，这种反馈称为负反馈。2当时，表明反馈效果为零。3当时，升高，这种反馈称为正反馈。4当时，。放大器处于“自激振荡”状态。二

4、反馈的形式和判断 1.反馈的范围-本级或级间。2.反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3.反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs 越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。Rs 越小反馈效果越好。反馈信号反馈到非输入端）5.反

5、馈极性-瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号 的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用+表示，降低用 表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据 Xi 与 X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。三.反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为学习必备 精

6、品知识点 联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带 4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加 1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小 1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小 1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加 1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为：第八章 信号的运算与处理 分析依据-“虚断”和“虚短”一.基本运算电路 1.反相比例运算电路 R2=R1/Rf 2.同相比例运算

7、电路 R2=R1/Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1/R2/R3/Rf 4.同相求和运算电路 R1/R2/R3/R4=Rf/R5 有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为学习必备 精品知识点 5.加减运算电路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5 二.积分和微分运算电路 1.积分运算 2.微分运算 第九章 信号发生电路 一.正弦波振荡电路的基本概念 1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件:即幅值平衡条件：相位平衡条件：2

8、.起振条件:幅值条件：相位条件:3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成(1)放大电路-建立和维持振荡。(2)正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-以选择某一频率进行振荡。(4)稳幅环节-使波形幅值稳定，且波形的形状良好。*正弦波振荡器的分类(1)RC振荡器-振荡频率较低,1M 以下;(2)LC振荡器-振荡频率较高,1M 以上;(3)石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。二.RC正弦波振荡电路 1.RC串并联正弦波振荡电路 有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种

9、杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为学习必备 精品知识点 2.RC移相式正弦波振荡电路 三.LC正弦波振荡电路 1.变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法：断回路、引输入、看相位 2.三点式LC振荡器*相位条件的判断-“射同基反”或“三步曲法”(1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)(2)电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为学习必备 精品知识点(3)串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）(4)并联改进型电

10、容反馈三点式振荡器（西勒电路）(5)四.石英晶体振荡电路 1.并联型石英晶体振荡器 2.串联型石英晶体振荡器 第十章 直流电源 一.直流电源的组成框图 有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为学习必备 精品知识点 电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路：自动保持负载电压的稳定。二.单相半波整流电路 1输出

11、电压的平均值UO(AV)2输出电压的脉动系数S 3正向平均电流ID(AV)4最大反向电压URM 三.单相全波整流电路 1输出电压的平均值UO(AV)2输出电压的脉动系数S 3正向平均电流ID(AV)4最大反向电压URM 四.单相桥式整流电路 UO(AV)、S、ID(AV)与全波整流电路相同，URM与半波整流电路相同。五.电容滤波电路 1 放电时间常数的取值 2.输出电压的平均值UO(AV)3.输出电压的脉动系数S 有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料

12、约为学习必备 精品知识点 4.整流二极管的平均电流I D(AV)六.三种单相整流电容滤波电路的比较 七.并联型稳压电路 1.稳压电路及其工作原理*当负载不变，电网电压 变化时的稳压过程:*当电网电压不变，负载变化时的稳压过程:2.电路参数的计算*稳压管的选择 常取UZ=UO；IZM=(1.53)IOmax *输入电压的确定 一般取UI(AV)=(23)UO *限流电阻R的计算 R的选用原则是：IZminIZ IZmax。R的范围是：有单晶体结构的半导体两种载流子带有正负电荷的可移动的空穴和电子是电子型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子少子是质半导体可以改型为另外一种杂质半导体结结的接触电位差硅材料约为