2023年低频复习重点.pdf

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1、学习必备 欢迎下载 CH1 本征半导体：纯净的、结构完整的半导体晶体，是制造半导体器件的基本材料。载流子的情况、特点：温度一定时，载流子的产生和复合将达到动态平衡，此时载流子的浓度为一热平衡值，温度升高，本征激发产生的载流子数目将增加，但同时复合作用也增加，载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值的基础上达到动态平衡本征激发中有_导电能力很弱。杂质半导体：在本征半导体中，掺入微量的杂质元素。（掺入极微量的五价元素，N型半导体；掺入极微量的三家元素，P型半导体）载流子的情况、特点:杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值，而少子浓度反比于掺杂浓度，正比于_，当温度上升时，多子浓度几乎不变，而少子浓度

2、迅速增大，少子浓度随温度的变化是影响半导体器件特性的主要因素 PN结:在 P区和 N区的交界处形成了一个空间电荷区，这个空间电荷区就是 PN结。（又称耗尽层，阻挡层，势垒层）动态平衡下的 PN结，结区内正负离子的数量相等。内建电位差：与杂质浓度，温度，材料有关。浓度越大，V愈大；温度升高，V d 随温度的上升而减小，通常温度升高 1 C，V d 约减小 2.5mv。击穿：反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，这种现象称为PN 结的反向击穿。（雪崩击穿，齐纳击穿，热击穿）学习必备 欢迎下载 雪崩击穿：与电场强度、阻挡层宽度、掺杂浓度有关 击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数（6）齐纳击

3、穿：与掺杂浓度，阻挡层宽度有关 击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数（6）二极管的电流特性方程_ 伏安特性曲线（如图一）稳压二极管 PN 结处于反向击穿状态时，通过的电流变化很大，而反偏断电压几乎不变，这一特性，被用来制作稳压二极管 三极管：分类（NPN、PNP）符号（如图二），各级电位大小_电 流 方向 和 电流 之 间的相 互 关系_ 场效应管 分类：金属绝缘栅半导体(增强型 MOS 场效应管、耗尽型 MOS 场效应管)、结型场效应管、金属半导体 FET、异质 FET 工作原理 增强型：3 个级（栅极 g、源极 s、漏极 d、衬底 b）开启电压：形成导电沟道的最小栅极电压用_ 表示。

4、栅极电压对漏极电流_有控制作用 CH2 放 大 器 的 直 流 通 路（如 图 三）求 静 态 工 作 点(共 发 射级)_ 利用图解分析法，结合共发射极放大器，理解 Q点的高低对放大器与失真的影响：如果静态工作点的位置不合适，信号又比较大，将会产生严重的线性失真，静态工作点选的太低，产生截止失真，静态工增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载 作点选的太高，会产生饱和失真（怎样判断高低？）_ 交流通路与微变等效电路（如图四）通过共

5、发射极放大器掌握微变等效电路，会计算各种发达指标，包括（各种 A,R i，R o）_ 线性失真：如果放大器的带宽不够，对输入信号中的各种频率成分的放大和相移不同，输出信号叠加后就会产生失真，这种失真成为频率失真和相位失真，是一种线性失真。非线性失真：放大器输入单一频率的正弦信号时，用于曲线的非线性，输出信号中产生了输入信号中所没有的新的频率成分，这种失真称为非线性失真。（主要是由半导体器件中伏安特性曲线的非线性产生的，其次也与静态工作点的位置及输入信号大小有关）三种组态放大器各自的特点(增益阻抗放大倍数)及应用场合 共基极放大器：_ 应用：适用于等效负载电阻（）变化时，要求此电阻上得到的电流较

6、稳定的场合，共基电路是较为理想的电流放大器，近似恒流源 共集电极放大电路：_ 应用：经常用作多级放大器的输入级，以减轻对前级电路的影响，适用于等效负载电阻（）变化时，要求负载上得到的输出电压较稳定增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载 的场合，是较为理想的电压放大器，近似恒压源输出。共发射极放大电路：_ 得到广泛应用 多级放大器 直接耦合放大电路 阻荣耦合放大电路 变压器耦合放 大 电 路 总 指 标 与 各 级 放 大 器 指

7、标 之 间 的 关 系：_ 多级放大器的总电压增益等于各级电压增益的乘积，总得相位移动等于各级相位移动之和。如果增益用分贝，则总的分贝数等于各级电压分贝数的代数和。CH3 集成电路运算放大器的组成，符号 组成：输入级，中间放大（兼电平移动）级，输出级和各级的偏置电路。符号（如图五）差 分 放 大 电 路 的 电 路 特 点 以 及 此 特 点 给 差 分 带 来 的 好处:_ 差分输入端对任意信号怎样处理：实际加到差分放大器两个输入端的电压信号可分解为一对大小相等、极性相同的共模信号和一对大小相等、极性相反的差模信号之和。为什么可以这样处理：_(式子)信号如何分解的：_(式子)增加但同时复合作

8、用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载 差模：差模输入信号就是指差分放大器的输入信号为一对大小相等、极性相反的电压信号 共模：共模输入信号就是指差分放大器的两个输入端分别输入大小相等、极性相同的电压信号 差分放大器有哪些交流指标，如何定义 差模信号：_ 共模信号：_ 总输出电压：_差模电压增益：（）共模电压增益（）共 模抑 制比（）共模：_ 什么是长尾电路，此电路的好处，实用调零电路的作用，两种调零电路电位器接入时对放大器有什么好处：两种调零电路

9、：（如图六）_ 恒流源的作用与特点：作用可提高共模抑制比，又可维持两管的正常工作电流 特点 直流电阻较小而动态电阻极大 交越失真：当输入信号低于门坎电压（硅管约 0.60.8，锗管约0.20.3）时，T1 和 T2 都截止，负载上没有电流通过，出现一段死区，这种现象称为交越失真。克服方法：给 T1 和 T2 加入一定的偏置。此电路叫做准互补对称推挽输出级。工作原理：（如图七）在图中 T3 组成前置放大级，T1T2 组成互补对称级。静态时，通常 K点电位_，为了提高工作点的稳定性，电压_ 通过增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近

10、似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载 电阻_ 的分压与前置放大器的基极相连接，引入负反馈是 Vk稳定，从而使放大器的性能得到改善。此时各个晶体管的工作状态：_ 功率放大器的分类以及在各种工作状态下晶体管的电压电流状态 分类：1 三极管在信号的整个周期内都有电流流通的的工作状态为甲 类工作状态 2 在信号的半个周期内有电流流通的状态称为乙类 3 电流流通时间小于半个周期的工作状态称为丙类 甲类工作状态：_ 乙类工作状态：_ 丙类工作状态：_ 互补推挽输出电路的基本工作原理及各管工作状态与电压电流情况会计算此管的直流功率，输出效率（3

11、-20）电路图（如图八 ab）直流功率_ 输出效率_ CH4 反馈：是通过反馈网络取出输出量的变化实施对输出信号的稳定控制 分类 电压串联反馈，电压并联负反馈，电流串联负反馈，电流并联负反馈 如何判断？做题！基本反馈方程式 开环增益：_ 传输函数：_ 反馈系数：_ 闭环增益：_环路增益：_反馈深度：_ 增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载（如题4-1）ABAB1+AB的含义_ 负反馈对放大器性能的影响：提高了放大器增益的稳定性

12、可展宽放大器的频带宽度（只对特性增益而言）可减小放大器（由放大器内部引起）的非线性失真 串联负反馈提高输入电阻 并联负反馈减小输入电阻 电压负反馈放大器的输出电阻比基本放大器的输出电阻小 电流负反馈放大器的闭环输出电阻比基本放大器的输出电阻提高 CH5 上下限频率的定义，如何采用折线法求 fH fL（结合共发射极放大器），增 益、相 位 在fH fL 处 的 情 况（一 阶！）_会用折线法（一阶），求一阶电路的传输函数（上下限频率）：_ 阻容耦合放大器的频率响应是（如图十一）放 大 器 中 有 哪 些 因 素 会 影 响 上 下 限 频 率：_影 响 单 级 与 多 级 放 大 器 的 带 宽

13、 的 因 素 有增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载 _，可以采用负反馈：牺牲增益来换取更宽的带宽 补偿法：利用电容电感元件对放大器的高频特性进行补 偿，在不损失增益的情况下扩展放大器的频带 在多级放大器中采用不同组态的电路的组合，互相取长 补短，从而展宽频带 增益与带宽的关系：_ 自激：当反馈信号增大到一定值时就会产生自激。当放大电路同时达到自激振荡的振幅条件和相位条件，电路才会自激 振幅条件：_（与反馈深度有关）相位条件：_

14、（决定于反馈系统的附加相移）如何在频率特性上判断一个系统是否稳定：（PPT 5.4.2.3）CH6 会用叠加原理、节点原理分析电路，Vi Vo 之间的关系 Avf Ri 并注意 Rp（如图九 a b c d e f g如题 6-8,6-12）单门限比较器电路的工作原理、传输特性函数、并根据输入函数画出输出波形 CH7 三种整流电路的输入输出 VI 波形，平均 V及各种状态下二极管的工增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层学习必备 欢迎下载 作情况，

15、I 以及所承受的反偏电压（如图十）单相半波整流电路（图 a）在 v2 的正半周，D导通，其最大值为 v2的峰值电压22V 在 v2 的负半周，D截止，此时二极管承受一定的反偏电压，即 vD=-v2，其反偏电压 Vrm=22V 单相全波整流电路（图 b）在 v1 的正半周，v2 的极性为上证下浮，D1导通，D2截止。在 v1 的负半周，D1截止，D2导通，在负载上得到一个单方向的脉动电压 vL 平均值应是半波整流电路的两倍（）单相桥式整流电路（图c）_ 整流与电容滤波各自的作用（PPT）此时的 Vo，Io 以及二极管的 V、I的工作状态_ 增加但同时复合作用也增加载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值导体载流子的情况特点杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值而少形成了一个空间电荷区这个空间电荷区就是结又称耗尽层阻挡层势垒层