光电项目申请立项可行性研究报告.doc

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1、创新基金计划项目可行性报告项目名称：功率型超薄表面贴装LED 项目单位：*市*电子有限公司 （盖章） 通信地址：*市* 电子信箱：* 联 系 人： *联系电话：*市*电子有限公司目录一、申报企业情况.11.1申报企业基本情况 .11.2企业人员及开发能力论述.11.2.1 企业法定代表人简介及主要工作业绩.11.2.2 企业开发机构及人员简介.11.2.3 企业研发及成果情况.21.2.4 项目负责人的基本情况.21.2.5 企业生产情况、主要产品.21.3 企业财务经济状况.31.3.1 2003年末企业财务经济状况 .31.3.2 今后三年的财务预测.31.4 企业管理情况.41.4.1

2、企业管理制度、质量管理体系建设情况.41.4.2企业产权情况.41.4.3 营销体系建设.41.5 企业发展思路 .4二、项目情况.52.1 总论.52.1.1 项目简介.52.1.2 社会经济意义、目前的进展情况.52.1.3项目计划目标.72.1.4主要技术经济指标对比.82.2项目技术可行性分析.92.2.1项目的技术创新性论述.92.2.2 技术成熟性和项目产品可靠性论述.172.3项目产品市场调查和需求预测.182.3.1 产品的主要用途.182.3.2 产品经济寿命期.192.3.3 国内外市场目前需求量及未来市场预测.192.3.4 本项目产品主要生产厂家情况.202.3.5 本

3、项目产品的国内外市场竞争能力分析.202.4项目实施方案.212.4.1技术方案.212.4.2生产方案.242.4.3环境保护与劳动安全.252.4.4产品营销计划.252.5投资估算与资金筹措.262.5.1 投资估算.262.5.2资金筹措.272.5.3 资金使用计划.272.6 经济、社会效益分析.282.6.1 生产成本和销售收入估算.282.6.2财务分析.312.6.3社会效益分析.312.6.4项目的风险性及不确定性分析.3234一、申报企业情况1.1申报企业基本情况企业名称：*市*电子有限公司法定地址：*市*工厂地址：*省*市*注册时间：*年*月注册资金：*万元企业登记注册

4、类型：有限责任公司主管部门：*市科技局企业发展历程：1996年承担*省产学研联合开发项目，并于1998年顺利完成； 1997年被评为“*市高新技术企业”； 1998年与中科院联合承担国家级火炬计划项目*，并顺利完成；1999年通过ISO9002质量体系认证；2000年独自开发项目*，获得国家科委科技型中小企业技术创新基金的扶持；2001年创新基金项目*获得科技部的验收；2000年先后与LG、飞利浦、三星、三菱等国际知名企业建立配套关系；2002年相关产品通过美国UL认证；2002年通过ISO9001质量体系认证；2003年，独自开发项目*，获得国家科委科技型中小企业技术创新基金的扶持；2004

5、年，进入*市高新技术研发及产业化基地。2005年，被确认为“*半导体照明工程产业化基地骨干企业”1.2企业人员及开发能力论述1.2.1 企业法定代表人简介及主要工作业绩企业法定代表人、董事长*，1980年毕业于*。在中国科学院半导体研究所从事半导体器件的研发工作。自1990年在北京*电子有限公司工作。1994年投资入股合资兴办*市*电子有限公司，具有丰富的半导体技术研发经验，具有敏锐的观察力，创新意识及管理能力。主持实施“国家级火炬计划”项目，主持的*和*两个项目分别获得2000年、2003年度国家科技部中小企业科技创新基金的扶持，且*于2002年通过科技部的验收。1.2.2企业开发机构及人员

6、简介1.2.2.1 企业开发机构及人员企业现有员工360人，大专以上学历共119人，占总人数的33%。其中高层管理人员16人；从事研发人员共48人，占总人数13%；销售人员25人，占总人数7%；生产品管人员271人，占总人数75%。 公司非常注重“市场开发”和“产品开发”，在总经理的领导下，设有研发中心，配备人员48人，主要骨干具有丰富的经验和较强的技术开发能力。参加过国家火炬计划项目、科技部创新基金项目，并多次承担*市科技计划项目的开发和产业化工作。研发中心具有的良好技术开发能力，为本项目的开发完成提供良好的技术支持。1.2.2.2研发机构设备基础公司研发中心设有物理试验室、化学试验室、热工

7、研发组、电气特性研发组、光特性研发组，配备高阻计、高低温测试仪、波长测试仪、老化试验、光强测试仪等较为完备的的试验仪器设备，企业从国外进口的SMT生产设备、片状封装机、固晶机、焊线机，全自动直插式LED生产线为新产品、新技术、新工艺的研发提供必要的条件。1.2.2.3技术开发投入额2003年度技术开发投入额为149 万元，研究开发投入占企业销售收入的比例为 8.9%；2004年度技术开发投入额为286万元，占销售收入的比例为9.15%。1.2.3企业研发及成果情况公司于1997年被确认为“*市高新技术企业”。近三年来，先后开发了八个新产品。独立执行“*市重点新产品”开发项目及*市科技计划项目共

8、八项。与光电子国家工程研究中心合作开发的*列入“1998年国家级火炬计划项目”；独自开发项目*，获得2000年度国家科技创新基金的扶持，并于2002年通过科技部的验收。贴片超亮纯白色半导体发光二极管项目获2003年度国家科技创新基金的扶持，将于2005年6月份通过验收。1.2.4 项目负责人的基本情况*，1983年毕业于西北电信工程学院半导体物理器件专业，高级工程师，近20年的光电产品设计制造经验，擅长于接收头、光耦、光断续器等产品的工艺制造及生产管理，具有丰富的实践经验和极强的设计开发能力。一直从事光电子器件的开发工作，先后参加过国家级火炬计划和*市科技计划项目实施工作，是 2003年科技部

9、创新基金项目*的重要技术开发人员，现为总经理助理兼研发中心主任。1.2.5 企业生产情况、主要产品本企业是从事光电子器件后道封装的专业厂家，公司拥有先进的自动化生产设备，具有一支由既懂技术又懂管理的复合型人才组成的团结进取的员工队伍。主要产品有中大功率发光二极管、超高亮白光LED、红外发射管、*、片状发光二极管等, 先后执行“*市科技计划”和“*市重点新产品”项目计划八项，国家组项目4项，开发出十多种新产品。 1.3 企业财务经济状况 1.3.1 2003年末和2004年末企业财务经济状况 表1 财务状况表财务指标2003年末状况2004年末状况企业总资产17,011,651.97元34,15

10、2,706.69元总负债额11,854,452.25元21,970,483.23元资产负债率69.7%64.33%固定资产总额 3,831,996.73元5,529,426.58元产品销售收入16,711,211.60元31,294,468.17元净利润375,109.19元837,023.74元上交税费614,560.44 元1,820,879.81元流动比率1.491.41速动比率1.111.31总资产报酬率2.2%2.4%净资产收益率12.5%6.87%应收帐款周转率2.703.711.3.2 今后三年的财务预测 表2 企业今后三年的财务预测表 单位（万元）年份项目2005年2006年2

11、007年销售收入5000800010000利润总额350510650纳税总额350 520600企业具有健全的财务管理制度，依据国家会计总则和相关的法规对企业财务进行有效规划和监督。1.4 企业管理情况1.4.1 企业管理制度、质量管理体系建设情况公司经过十多年的运营发展，已建立了较完善的现代企业管理制度，公司已于1999年通过ISO9000质量管理体系认证，2002年部分产品通过UL认证，2003年全部产品通过SGS检测，获得进入欧洲市场的通行证。公司具有完善的品质保证体系，目前主要产品质量处于国内领先、国际先进水平。在众多国内外知名厂家的工厂实地评鉴中，公司均获得高分并一次性通过体系和现场

12、评鉴，并在后续供货中保持良好的品质服务。1.4.2企业产权情况公司为民营合资企业，实行独立核算，产权明晰。公司企业类型为有限责任公司，由*、*、*三人组建，其中*占股份的35%，*占股份的35%，*占股份的30%。1.4.3 营销体系建设l 销售体系 公司已建立完善的销售体系，在销售公司下设立：行销部，负责新品推广、为客户选择解决方案、引导客户需求、收集和分析市场信息、制定销售战略；销售部，负责制定并实施销售战术、为客户提供最佳解决方案、实现客户需求；客户部，实施销售和客户服务、管理客户财产、管理客户信息。另设有海外部，负责海外市场的开发。l 营销方案 公司一直坚持“市场开发”和“新品开发“两

13、个中心，对重点客户进行技术支持与服务，力求尽快开拓市场，确保销售计划的完成。以现有客户为基础，积极拓展国内外企业资企业应用市场，以手机行业、数码相机和摄像机、手提电脑行业、显示器行业作为开发重点,建立良好的配套网络。 l 营销领域 产品运用广泛，市场潜力巨大，主要使用在手机、PDA、手提电脑、数码相机、超薄LCD显示器、照明、户外显示、汽车电子、军工产品上。l 营销对象 本公司原有客户群中，有三菱、philip、华宇、LG、Sumsung、夏新、厦华、Sony等国际知名企业应用到本项目产品。1.5 企业发展思路 公司自成立以来，以“不断求新、不断创新、不断更新”作为公司的发展宗旨。把“市场拓展

14、”和“人才培养”作为公司持续发展的基础。在新品开发方面，公司将大功率LED灯开发和超薄型片状LED灯开发作为主导方向。为了增强发展后劲，将加大科技投入力度，力争到2007年企业的销售收入达1亿元，利税超过1000万元，实现公司从小型企业跃入中型企业的行列。2004年9月，公司获准进入“*市高新技术研发与产业基地”（即*国家半导体照明工程产业化基地），总投资6600万元人民币，预计今年9月份动工，2006年12月完成10000平方米土地开发，兴建18000平方米的技术开发大楼和生产厂房，为公司的扩大规模化生产提供标准化的洁净厂房。二、项目情况2.1 总论2.1.1 项目简介本项目属电子信息领域新

15、型电子元器件，企业引进精密的表面贴片封装设备、选择高出光效率的倒装芯片、应用倒装焊接技术、探索以柔性电路板FPC为热沉基底、采用特殊的封装材料和工艺，开发超薄型、高光效、低热阻的发光二极管。项目技术创新的主要内容是表面贴装LED产品工程化封装技术，解决后道封装工序中把倒装芯片倒装焊接在柔性电路板上的热沉的结构创新，提高器件取光效率的光学设计技术，应用新型包封材料降低器件光衰的工艺开发，使光电器件提高光效、降低热阻、可在较大的电流密度下稳定可靠的工作。本项目LED芯片封装不再沿袭传统的设计技术与制造模式，产品按国际标准设计，封装成品率达98%以上，可达到国际同类产品的先进水平，可广泛应用于信息技

16、术、移动通讯、照明、汽车及军工等领域，市场竞争力强、具有经济社会效益显著等优点。2.1.2 社会经济意义、目前的进展情况2.1.2.1 社会经济意义l 符合国家重点扶持的政策：该项目的研究开发，符合国家科技部科技型中小企业技术创新基金若干重点项目指南中的电子信息领域“新型片式半导体器件”及“半导体发光二极管”条款，属国家产业、技术政策扶持的高新技术产业化项目。l 研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路，从某种意义上讲是链接产业与市场的纽带，只有封装好的器件才能成为终端产品。 l 促进电子信息产品的更新换代，提升应用产品的技术等级：该项目开发高合

17、格率、高可靠性、超小体积的片状半导体发光二极管，满足电子信息产品超小型化、超薄化、自动化生产和节能环保的要求，也是电子产品更新换代的基础，促进电子信息行业升级，提升光电行业的技术水平。l 填补国内空白，满足市场需求：该项目采用柔性电路板作为基板，开发超薄型半导体发光二极管，项目开发可以填补国内空白。l 该项目产品广泛应用于微型移动电话、移动通讯设备；手提电脑、膝上电脑、掌上电脑、传真机、液晶显示器等信息技术产品；超薄型大屏幕显示屏和点阵式照明器件；汽车仪表；精密仪器和军工产品等领域。l 可以代替进口产品，节省外汇支出，还可以出口创汇，提高我国电子信息产品的国际竞争力。l 可以节约能源，符合环境

18、保护的要求，为2008年奥运提供新型装饰产品和光源。2.1.2.2 目前的进展情况（1）收集市场信息，预测未来市场对本项目产品的需求量，规划产品开发的系列与方向，收集国内外同行开发和生产超薄型、高光效、低热阻、表面贴装片状半导体发光管的技术资料，了解目前超薄型片状半导体发光管的国际先进水平。（2）规划本项目研究开发的总体方案，确定超薄型、高光效、低热阻、表面贴装半导体发光管的性能指标；剖析器件光衰加速、热特性不良和取光效率降低的原因和寻求改善的方法；提出该类型LED产业化封装技术开发途径，探讨芯片倒装焊技术的基本原理。（3）确定样品试制的技术方案和对试验样品进行检测的方法。（4）购置检测分析仪

19、器，封装设备的选型和比较。2.1.3项目计划目标2.1.3.1总体目标项目执行的起始时间为2005年8月，完成时间为2007年8月；计划投资总额为1000万元，新增投资800万元；2007年8月项目完成验收时可进入批量生产阶段。项目验收时，实现年生产能力1500万只，年销售收入1650万元。企业资产规模可达7500万元；企业人员总数为460人，因项目实施而新增就业人数100人，其中技术、管理人员28人，工人72人。2.1.3.2经济目标2007年8月项目完成时，预计实现年工业总产值1980万元，。预计2007年项目完成时，年销售收入1650万元，年交税总额212万元，年净利润346万元；年创汇

20、20万美元。2.1.3.3 技术、质量指标l 技术指标项目完成时，产品达到的主要技术指标如下：1. 光学参数平均光效（以白光为基准）：10 lm/W2. 电学参数正向电流IF： 75mA200mA功率PO：0.30.6 W反向漏电流IR：100A3. 尺寸内热沉厚度35m4. 热学参数外热沉(铝基板) 导热系数：162-236 W/(m.K)内热沉(FPC) 导热系数：315W/(m.K)热阻：10/Wl 质量指标 本项目的技术按国际标准设计，质量指标基本达到2004年国际同类产品的水平。2.1.3.4 阶段目标表3 项目执行过程各阶段目标 序号起始时间完成时间项目进度指标技术开发指标生产建设

21、情况12005.82005.10芯片选型、复合型柔性基板线路设计方案，选购生产和检测设备， 实现体积超薄化22005.102006.2样品试制，封装模具设计，封装材料选型，工程车间净化、动力系统安装工艺试验，技术参数验证、新产品开发实现采用柔性电路板为基板封装技术的产品通过质量检测 32006.32006.10新产品试产、产品质量检验、检测仪器检定,产品生产定型、小批量生产安装调试生产设备检测仪器,小批量生产42006.112007.6生产定型、批量生产产品的各项技术指标达到国际水平；成品合格率98%52007.8项目验收2.1.4主要技术经济指标对比2.1.4.1主要技术指标对比本项目实施后

22、的产品为超薄型低热阻高亮度片状半导体发光管，具体的参数对比见表4 。 表4 项目主要技术指标对比表项目光学参数电学参数结构热学参数平均光效（以白光为基准）正向电流IF(TPY)反向漏电IR（MAX）功率PO内热沉厚度导热系数热阻本项目10 lm/W75mA200mA100A0.3W0.6W35m内热沉(FPC):315W/(m.K)外热沉(铝基板):162-236 W/(m.K)10/WOsram10lm/W75mA200mA100A0.3W0.6W1000mSi衬底:145 W/(m.K)10/W2.1.4.2主要经济指标对比 表5 项目主要经济指标对比表 单位：万元经济指标项目实施前金额项

23、目实施后金额增减金额产品销售收入032803280净利润0691691缴税总额04314312.2项目技术可行性分析2.2.1项目的技术创新性论述2.2.1.1基本原理及主要技术内容l 基本原理：半导体发光二极管LED是可直接将电能转化为光信号的发光器件，具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，响应时间短，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小，成本低等一系列特性。LED的核心是由p型和n型半导体构成的p-n结管芯，当注入p-n结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但p-n结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射的概率不相同，p-n结管芯产生的光能

24、不可能全部释放出来，因为这还取决于半导体材料质量、LED的内、外部量子效率的提高、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料。由于芯片输入功率的不断提高，为获得LED较佳的光电性能和可靠性，对封装技术提出更高的要求。LED芯片与封装技术向大电流、大功率方向发展，光通量比传统形式的LED大10-20倍，因此，采用先进的封装技术至关重要。功率型LED将倒装管芯倒装焊接在具有焊料凸点的载体上，然后把完成倒装焊接的载体装入热沉与管壳中进行封装。这种封装对于取光效率，散热性能，加大工作电流密度的设计都是最佳的，它使其输出光功率，外量子效率等性能优异、辐射图样可控和光学效率最高，将LED固体光源发展到一个

25、新水平。就标准SMT工艺而言，焊膏倒装芯片组装工艺是最常见的，且已证明完全适合SMT，可满足以下要求：一是要有高的取光效率，二是尽可能低的热阻，三是延缓器件光衰。其不足是由于散热系统体积大，无法实现超小型化，不能满足现代超小型产品的要求。本项目应用光电子技术、芯片倒装焊接技术、片式器件制造技术、柔性板线路技术，开发超薄型、高光效、低热阻的功率型发光二极管，实现了功率型器件的超小型化。l 主要技术内容：本项目的设计和工艺技术理念，首先是采用倒装芯片焊接技术，将倒装的半导体芯片粘结在基板或Si材料的作业器件内上，通过焊接在厚度很薄的柔性电路印制板上，采用透明度高、不易碳化变黄的材料塑封。其次，这种

26、结构增大了管芯发光的表面积，提高了器件的取光效率；具有热电分离的特点，改善导热性能与降低热阻、增强了散热特性，因而可在较高的驱动电流下稳定可靠的工作；延缓光衰现象和减小结构尺寸。 （1）光电子技术倒装管芯的倒装焊接技术传统的LED芯片，电极刚好位于芯片的出光面，光从最上面的PGaN层中取出。PGaN有限的电导率要求在PGaN层表面现沉淀一层电流扩散的金属层。这个电流扩散层由Ni和Au组成，会吸收部分光，从而降低芯片的出光效率。为减少发射光的吸收，电流扩散层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在PGaN层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了LED芯片

27、工作功率。同时这种结构PN结的热量通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长，由于蓝宝石的热导系数较金属低（为35W/Mk），因此，这种结构的LED芯片热阻会较大。此外，这种结构的P电极和引线也会挡住部分光线进入器件封装。为了提高器件功率，获得高出光效率和优良的热特性，本项目采用FLIP CHIP（倒装芯片）倒装焊接在10Z（35m）的柔性电路板上，兼顾LED的功率型和器件的超薄化。正装焊接示意图Lumileds功率型SMD LED结构示意图本项目产品倒装焊接结构示意图采用特制的柔性线路板（FPC）替代原有的热沉和引线框架基板，实现同一基板的多功能化，将FLIP CHIP（倒装芯片）倒装焊接于复合基板

28、上，因没有了P电极和引线的阻碍，对提高亮度有一定的帮助。而且，电流流通的距离缩短，电阻减低，产生的热量也相对降低。所以，当此工艺应用于SMD LED上，不但提高光输出，更可以使产品整体体积缩小，扩大产品的应用市场。 采用FLIP CHIP，把SiC型或GaN型的芯片，倒装在集内热沉与引线框架功能为一体的FPC上；通过芯片的倒装技术（FLIP CHIP）可以比传统的LED芯片封装技术得到更多的有效出光。 同时采用沉金的FPC作为热沉板，沉金光洁度好，具有良好的反射效果，增加了出光率。 在倒装芯片的蓝宝石衬底部分与环氧树脂导光结合面上加上一层特殊有机材料以改善芯片出光的折射率。（2）热工控制技术L

29、ED正在向着高功率、高光通的方向发展，随着单管输入功率的增加，产品应用中的热工控制技术和散热问题逐渐突出。温度可以影响器件的性能和可靠性，因此对于产品设计的热工控制是非常关键的技术，合理的热工控制.可以有效提高其光效、光通量和使用寿命。LED工作时产生的热阻，导致器件输出的光通量与输入的电流具有一定的关系。对于具有较低热阻的LED，光通量随输入电流的增长近似成线形关系，对于热阻较高的LED，光通量甚至会随输入电流的增长出现下降的情况；高热阻LED器件中，热量导致结温显著升高，结温升高抑制了输出光通的增加，与增加输入电流带来的光通量增加二者相互抵消。因此，合理的热工控制和驱动电流选择对于充分发挥

30、LED的性能非常重要。散热是器件制造中的一个关键问题，而传统的结构已无法成功地解决散热问题。传统的指示灯型LED封装结构，一般是用导电胶将芯片装在中尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接合用环氧树脂封装面面，其热阻高达250300/W，新的功率型芯片若采用传统式的LED封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温度迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直致失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路面失效。因此，对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型LED器件的技术关键。下面是功率型片状LED的典型热特性图：根据热阻的定义，可以得出如

31、下公式：Tj=RJA*PD+TaRJA= RJC+ RCARJC= RDie + RAttach + RHCRCA = RCB + RBoard + RBATj 、Ta分别对应LED器件PN结和器件周围环境温度；RJA是LED器件PN结到环境温度之间的热阻；PD是器件的热耗散功率，在此约等于器件的电输入功率，即PD=VF*VFORJC是器件的内部热阻；RCA是器件的外部热阻；RDie是倒装芯片的热阻；RAttach是芯片Si衬底粘接焊料热阻；RHC是器件内部热沉的热阻；RCB是器件内部热沉与金属线路板之间的接触热阻；RBoard是金属线路板的热阻；RBA是金属线路板至环境温度之间的热阻。由上述

32、特性原理可知，要降低产品热阻，可以通过降低器件的内部热阻即倒装芯片的热阻、芯片Si衬底粘接焊料热阻、器件内部热沉的热阻来实现。本项目采用低热阻的倒装芯片、高导热系数的FPC热沉及高导热系数的焊接材料，来降低器件的热阻，提高片状LED的出光效率和可靠性。本项目采用在芯片下部加FPC板作为热沉，在FPC的正面铜上沉金，其厚度为10Z（35m），导热系数为315W/（M.K）,热阻为0.65/W。根据需要，可把FPC的背面（沉金），直接加上铝基板上，实现二次散热。（3）封装工艺技术管壳的封装也是发光管制造中解决光衰问题的关键技术之一。为此，采用有效的散热与优化的封装材料，传统的LED由光学透明的环氧

33、树脂封装，温度升高到环氧树脂玻璃转换温度时，环氧树脂由刚性的、类似玻璃的固体材料转换成有弹性的材料，环氧树脂透镜变黄，引线框架也因氧化而玷污。新型有机包封材料具有许多特点，与环氧树脂灌封材料相比，具有优越得多的性能，包括抗高低温变化、抗紫外线、抗老化、更快的固化速度、更优的整体固化性能和对元器件、器壁和导线更优异的粘接性，可有效防止水份的渗入，从而增强密封性能，特别适用于无外壳的电子器件的包封。由于使用有机硅灌封材料，认真选择凸点类型、焊剂、底部填充材料等组装材料，器件获得较佳的光电性能和可靠性。本项目为增加器件的出光率，在倒装芯片的蓝宝石衬底部分与环氧树脂导光结合面上加上一层特殊材料，以改善

34、芯片出光的折射率。2.2.1.2 项目的关键技术及创新点论述常规的LED封装是将管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。本项目LED芯片和封装不再沿用传统的设计理念与制造生产模式，首先，为增加芯片的光输出，采用FLIP CHIP芯片，而且更关注项目的技术创新：增强功率型片状LED内部发光效率，改进散热性能，解决散热问题，同时采用独特FPC作为热沉和引线框架的集成体，减少了产品的面积和厚度，为实现超薄型功率器件提供了基础。l 关键技术1. 如何可靠地将FLIP CHIP芯片焊接在FPC热

35、沉上2. 如何解决独特的塑封工艺3. 如何解决功率型片状LED的热工及光学特性。l 创新点论述1主要结构创新常见FLIP CHIPLED封装采用传统PCB板或FE合金作为引线框架，采用铜或硅衬底作为内热沉，体积大，结构复杂；本项目采用正反双面铜铂焊盘均沉金的FPC作为内热沉和引线框架的集成体，替代原引线框架及PCB板，减少了产品的体积和厚度：体积减少约1/4，厚度减少215m。填充了国内空白，拓展了产品的应用领域，为项目成功提供了技术保障。2. 生产工艺创新（1） 采用新颖的基板柔性电路板的制造技术，替代普通环氧树脂覆铜板及引线框架，实现了产品厚度的超薄化，采用热沉基板以提升产品的散热性（2） 采用FLIP CHIP独特的装焊接工艺，研究焊接的最佳温度曲线及不同焊膏材质，实现片式LED产品的高出光效率和良好散热性。3. 使用效果创新本项目开发多种功率的系列化产品，以适应不同领域客户的需求。项目产品基板厚度为35m，产品具有总厚度薄、散热性好、发光效率高、不易在大电流下发热的优点，使产品能适应电子信息产品体积小型化和功率化的趋势。且采用柔性电路板作为基板，耐热性好，隔热效果好，可供军工和高温等特殊环境下使用。以柔性电路板为基板的多芯片功率型SMD LED，可要据需求进行二次散热设置，形成独特的绿色环保的照明单元，可广泛应