《电力电子技术第二版》课后习题及解答.pdf
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1、 电力电子技术习题及解答第1章思考题与习题1.1 晶闸管的导通条件是什么?导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压UA决定。1.2 晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流IA减小,IA下降到维持电流h 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压
2、UA决定。1.3 温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流IH会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。1.4 晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1)卜=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1)阳极电压上升率d u/d t 过高;(3)结温过高。1.5 请简述晶闸管的关断时间定义。答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即。+tg ro1.6 试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、
3、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。1.7 请简述光控晶闸管的有关特征。答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。1.8 型号为KP100-3,维持电流IH=4mA的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)T T(a)(b)(c)图题1.8答(a)因 为 =匚 匕=2 滔 ,所以不合理。A 5 0 K Q H2 0 0 V(b)因为,=-=2 0 A,K P 1 0 0 的电流额定值为1 0 0 A,裕量达51 0 Q倍,太大了。(C)因为=
4、竺=1 5 0 4,大于额定值,所以不合理。1 Q1.9 图 题 1.9中实线部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为Im,试计算各图的电流平均值.电流有效值和波形系数。解:图(a):IT(A V)=-f l,n s i n cotd cot)=-071IT=s i n 初)2(初)=才Kf=1.5 7T(AV)tot 0it 2J C0 X/3it 4it/3 2n 7x/3(ot 0 n/3 it 2n 7M30 7t/4图题1.901n图(b):IT(A V)=r Ifn s i n coid(cot)=71 s2-Im71IT=J:f (/w s i n 函)2 3)=若Kf=-=1
5、.1 1T(AV)图(c):3Im s i n cotdcot)=Im2乃1T(A V)=r汽3IT=(乙 s i n a)2 d(由)=%*0.6 3/,“=1.26图(d):T(AV)K尸x 0.52/,图(e):图:IT(AV)=21,ndcot=L T C J)4IT 也(加=gK 尸T=2/(A V)1.10上题中,如不考虑安全裕量,问额定电流100A的晶闸管允许流过的平均电流分别是多少?解:(a)图波形系数为 1.5 7,则有:1.5 7x/r(A V)=1.5 7x l 00A(IT(Av)=1 00A(b)图波形系数为 1.1 1,则有:l.l l x/r(x v)=1.5 7
6、x l 00A,IT(AV)=141.4A(c)图波形系数为 1.26,则有:1.26 x/r(A V)=1.5 7x l 00A,IT(Av)=1 24.6 A(d)图波形系数为 1.78,则有:1.78 x/r(A V)=1.5 7 x l O O A,IT(AV)=88.2A(e)图波形系数为 2.83,则有:2.83 x/./.(A V)=1.5 7x 1 00A,IT(AV)=55.5A图波形系数为 2,则有:2X/7.(4 V)=1.57X100A,IT(AV)=78.5A1.11 某晶闸管型号规格为KP200-8D,试问型号规格代表什么意义?解:K P 代表普通型晶闸管,200代
7、表其晶闸管的额定电流为200A,8 代表晶闸管的正反向峰值电压为800V,D代表通态平均压降为0.6 V Ur 2.22x 1 0071得:IT(A V)=1 1 1(A)取 1 00A。-200 V H K图题1.141.15 什么叫GTR的一次击穿?什么叫GTR的二次击穿?答:处于工作状态的G TR,当其集电极反偏电压UC E渐增大电压定额B UC E O时,集电极电流I c急剧增大(雪崩击穿),但此时集电极的电压基本保持不变,这叫一次击穿。发生一次击穿时,如果继续增大UC E,又不限制I c,I c上升到临界值时,UC E突然下降,而 I c继续增大(负载效应),这个现象称为二次击穿。1
8、.16 怎样确定GTR的安全工作区SOA?答:安全工作区是指在输出特性曲线图上G T R能够安全运行的电流、电压的极限范围。按基极偏量分类可分为:正偏安全工作区F B S O A 和反偏安全工作区RB S O A o正偏工作区又叫开通工作区,它是基极正向偏量条件下由G T R的最大允许集电极功耗儿以及二次击穿功率PSB,1,B U面四条限制线所围成的区域。反偏安全工作区又称为G T R的关断安全工作区,它表示在反向偏置状态下G T R关断过程中电压UCE,电流I c限制界线所围成的区域。1.17 GTR对基极驱动电路的要求是什么?答:要求如下:(1)提供合适的正反向基流以保证G T R可靠导通
9、与关断,(2)实现主电路与控制电路隔离,(3)自动保护功能,以便在故障发生时快速自动切除驱动信号避免损坏G T R。(4)电路尽可能简单,工作稳定可靠,抗干扰能力强。1.18 在大功率GTR组成的开关电路中为什么要加缓冲电路?答:缓冲电路可以使G T R在开通中的集电极电流缓升,关断中的集电极电压缓升,避免了 G T R同时承受高电压、大电流。另一方面,缓冲电路也可以使G T R的集1 I 电极电压变化率色和集电极电流变化率丝得到有效值抑制,减小开关损耗和防dt d t止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏G T R,1.19 与 GTR相比功率MOS管有何优缺点?答:G T R是电流型器件,功率
10、M O S是电压型器件,与G T R相比,功率M O S管的工作速度快,开关频率高,驱动功率小且驱动电路简单,无二次击穿问题,安全工作区宽,并且输入阻抗可达几十兆欧。但功率M O S的缺点有:电流容量低,承受反向电压小。1.20 从结构上讲,功率MOS管与VDMOS管有何区别?答:功率M 0S采用水平结构,器件的源极S,栅极G和漏极D均被置于硅片的一侧,通态电阻大,性能差,硅片利用率低。V D M 0S采用二次扩散形式的P形区的N,型区在硅片表面的结深之差来形成极短的、可精确控制的沟道长度(广3)、制成垂直导电结构可以直接装漏极、电流容量大、集成度高。1.21 试说明VDMOS的安全工作区。答
11、:V D M O S 的安全工作区分为:(1)正向偏置安全工作区,由漏电源通态电阻限制线,最大漏极电流限制线,最大功耗限制线,最大漏源电压限制线构成。(2)开关安全工作区:由 最 大 峰 值 漏 极 电 流 最 大 漏 源 击 穿 电 压 BUD S最高结温4所1 决定。(3)换向安全工作区:换 向 速 度,一定时,由漏极正向电压限和二极管的d t正向电流的安全运行极限值片决定。1.22 试简述功率场效应管在应用中的注意事项。答(1)过电流保护,(2)过电压保护,(3)过热保护,(4)防静电。1.23 与 GTR、VDMOS相比,IGBT管有何特点?答:I G B T的开关速度快,其开关时间是
12、同容量G TR 的 1/10,I G B T电流容量大,是同容量M 0S 的 10倍;与 V D M O S、G TR 相比,I G B T的耐压可以做得很高,最大允许电压U m可达4 500V,I G B T的最高允许结温4 为 150,而 且 I G B T的通态压降在室温和最高结温之间变化很小,具有良好的温度特性;通态压降是同一耐压规格V D M O S 的 1/10,输入阻抗与M 0S 同。1.24 下表给出了 1200V和不同等级电流容量IGBT管的栅极电阻推荐值。试说明为什么随着电流容量的增大,栅极电阻值相应减小?电流容量/A255075100150200300栅极电阻/Q5025
13、15128.253.3答:对一定值的集电极电流,栅极电阻增大栅极电路的时间常数相应增大,关断时栅压下降到关断门限电压的时间变长,于是I G B T的关断损耗增大。因此,随着电流容量的增大,为了减小关断损耗,栅极电阻值相应减小。应当注意的是,太小的栅极电阻会使关断过程电压变化加剧,在损耗允许的情况下,栅极电阻不使用宜太小。1.25 在 SCR、GTR、IGBT、GTO MOSFET IGCT 及 MCT 器件中,哪些器件可以承受反向电压?哪些可以用作静态交流开关?答:SCR、GTR、IGBT、GTO、MCT都可承受反向电压。SCR可以用作静态开关。1.26 试说明有关功率MOSFET驱动电路的特
14、点。答:功 率 MOSFET驱动电路的特点是:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。1.27 试述静电感应晶体管SIT的结构特点。答:S IT 采用垂直导电结构,沟道短而宽,适合于高电压,大电流的场合,其漏极电流具有负温度系数,可避免因温度升高而引起的恶性循环漏极电流通路上不存 在 PN结,一般不会发生热不稳定性和二次击穿现象,其安全工作区范围较宽,关断它需加10V的负栅极偏压Ues,使其导通,可以加5飞V的正栅偏压+山,以降低器件的通态压降。1.28 试述静电感应晶闸管SITH的结构特点。答:其结构在SIT的结构上再增加一个P*层形成了无胞结构。SITH的电导调制作用使它比S
15、IT的通态电阻小,通态压降低,通态电流大,但因器件内有大量的存储电荷,其关断时间比SIT要慢,工作频率低。1.29 试述MOS控制晶闸管MCT的特点和使用范围。答:MCT具有高电压,大电流,高载流密度,低通态压的特点,其通态压降只有G T R 的 1/3 左右,硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的,另外,MC T 可承受极高的d i/d t和 du/dt。使得其保护电路简化,M C T 的开关速度超过G T R,且开关损耗也小。1.30 缓冲电路的作用是什么?关断缓冲与开通缓冲在电路形式上有何区别,各自的功能是什么?答:缓冲电路的作用是抑制电力电子器件的内因过电压du/dt或者过电流
16、di/dt,减少器件的开关损耗。缓冲电路分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。关断缓冲电路是对d u/d t抑制的电路,用于抑制器件的关断过电压和换相过电压,抑制d u/d t,减小关断损耗。开通缓冲电路是对d i/d t抑制的电路,用于抑制器件开通时的电流过冲和d i/d t,减小器件的开通损耗。第2章思考题与习题2.1 什么是整流?它与逆变有何区别?答:整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程。2.2 单相半波可控整流电路中,如果:(1)晶闸管门极不加触发脉冲;(2)晶闸管内部短路:(3)晶闸管内部断开;试分析上述三种情况负载两端电压Ud和晶闸管
17、两端电压UT的波形。答(1)负载两端电压为0,晶闸管上电压波形与U 2相同:(2)负载两端电压为U 2,晶闸管上的电压为0;(3)负载两端电压为0,晶闸管上的电压为必。2.3 某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电,在流过负载电流平均值相同的情况下,哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些?答:带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感,当其电流增大时,在电感上会产生感应电动势,抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些,在流过负载电流平均值相同的情况下,为防此时管子烧坏,应选择额定电流大一些的管子。2.4 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路,若其中一只晶闸管的阳、
18、阴极之间被烧断,试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。解:设 a=0,“被烧坏,如下图:2.5相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的5 与 1d的乘积是否等于负载有功功率,为什么?带大电感负载时,负载电阻Rd上的Ud与 L 的乘积是否等于负载有功功率,为什么?答:相控整流电路带电阻性负载时,负 载 电 阻 上 的 平 均 功 率=U/d不等于负载有功功率P =u/。因为负载上的电压、电流是非正弦波,除了直流U d 与 Id外 还 有 谐 波 分 量Ui,U”和,负 载 上 有 功 功 率 为P=Pj+P:+P;+Pd=U 相控整流电路带大电感负载时,虽 然 U d 存在谐波,
19、但电流是恒定的直流,故负载电阻R d 上的U d 与 L的乘积等于负载有功功率。2.6某电阻性负载要求0-24V直流电压,最大负载电流Id=30A,如采用由220V交流直接供电和由变压器降压到6 0 V 供电的单相半波相控整流电路,是否两种方案都能满足要求?试比较两种供电方案的晶闸管的导通角、额定电压、额定电流、电路的功率因数及对电源容量的要求。解:采用由2 2 0 V 交流直接供电当a =0 时:Udo=0.4 5 U2=0.4 5 x 2 2 0 =9 9 V由变压器降压到6 0 V 供电当a =0 时:Ud=0.4 5 U2=0.4 5 x 6 0 =2 7 V因此,只要调节a 都可以满
20、足输出0 2 4 V 直流电压要求。(1)采用由2 2 0 V 交流直接供电时:Ud=0.4 5 4 1 +广,U d=2 4 V 时 a =1 2 1 6 =1 8 0 -1 2 1 =5 9 UT=41U2=31IVIT=J 2 sin cot2 dcot 84AR=力=丝=0.8QId 3。,IT 84 一“TT(AAVV)一 一 x 54A1.57 1.57取2倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为622V和108A。电源提供有功功率 P=122R=842 x 0.8=5644.8W电源提供视在功率 S=U2I2=84 x 220=18.58mP电源侧功率因数 PF=a 0.30
21、5S(2)采用变压器降压到60V供电:ud=o.45u,.c 2s q,d 2 2Ud=24V 时 a B 39,6=180-39=141UT=庖 2=84.4VIT=J 2 sin =1 2(A)1.5 7晶闸管承受最大电压为URM A/2(72=1885V取2倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为4 0 0 0 V和3 0 A。所选导线截面积为S2%=1 8.%=3.1 3 2负载电阻上最大功率PR=IT2R=7.1kW 单相全控桥a =0 时,力=则=6 6 7 V,/“2 0.9 0.9 1 1负载电流有效值/=1.1%=1 3.3 4(Kf=l.ll)晶闸管的额定电流为IT(A
22、V)=6(A)1.5 7晶闸管承受最大电压为URM V2(/2=1885V取 2 倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为4 0 0 0 V 和 2 0 Ao所选导线截面积为 S 2%=13.%。2.22加加2负载电阻上最大功率 PR=I?R=S.9kW2.8整流变压器二次侧中间抽头的双半波相控整流电路如图题2.8所示。(1)说明整流变压器有无直流磁化问题?(2)分别画出电阻性负载和大电感负载在a=60。时的输出电压Ud、电流id的波形,比较与单相全控桥式整流电路是否相同。若 已 知 U,=220V,分别计算其输出直流电压值U g(3)画出电阻性负载a=60。时晶闸管两端的电压UT波形,说
23、明该电路晶闸管承受的最大反向电压为多少?图题2.8解(1)因为在一个周期内变压器磁通增量为零,所以没有直流磁化。(2)其波形如下图所示,与单相全控桥式整流电路相同。电阻性负载:Ud=0.9U,1 +cosa=0.9x220 x(l+cs60。)=1485V2 2感性负载:Ud=0.9t/2cosa=99V(3)其波形如下图所示,晶闸管承受的最大反向电压为2。2.9带电阻性负载三相半波相控整流电路,如触发脉冲左移到自然换流点之前15。处,分析电路工作情况,画出触发脉冲宽度分别为10。和 20。时负载两端的电压*波形。解:三相半波相控整流电路触发脉冲的的最早触发时刻在自然换流点,如触发脉冲左移到自
24、然换流点之前1 5。处,触发脉冲宽度为1 0。时,不能触发晶闸管,加=0。触发脉冲宽度为1 5。时,能触发晶闸管,其波形图相当于a=0。时的波形。2.1 0 三相半波相控整流电路带大电感负载,Rd=1 0 Q,相电压有效值U2=220V求 a=45。时负载直流电压Ud 流过晶闸管的平均电流1仃和有效电流h,1 0 1 出 Ud、%2、U T3 的波形。解:U 8=-(X V 5 U,s i n m d(函)=1.1 7。)c o s a2TT/3%因为:U2=2 2 0 V ,a =4 5 U d=l 7U2 c o s 4 5=1 8 2 V黑2_ 0T仃 2TT=6.M3 d2.1 1 在
25、图题2.11所示电路中,当 a=60。时,画出下列故障情况下的前波形。(1)熔断器1FU熔断。熔 断 器 2FU熔断。(3)熔断器2FU、3FU同时熔断。图题2.11解:这三种情况下的波形图如下所示:(a),十 中 十 田 十 田 件 田 一皿(b)*二*:二*二枇二兴二*二y片 卡 十 十 斤 打 什 卡(c)2.12现有单相半波、单相桥式、三相半波三种整流电路带电阻性负载,负载电流Id都是4 0 A,问流过与晶闸管串联的熔断器的平均电流、有效电流各为多大?解:设a =0单相半波:IdT=h=40A1T=1.57 x IdT=62.8A(K尸 1.57)单相桥式:珀、=I-的区域内使Ud0。
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