电力电子技术王兆安第5版课后习题答案.pdf
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1、目 录第 1 章 电 力 电 子 器 件.1第 2 章 整 流 电 路.4第 3 章 直 流 斩 波 电 路.20第 4 章 交流电力控制电路和交交变频电路.26第 5 章 逆 变 电 路.31第 6 章 PW M控制技术.35第 7 章 软 开 关 技 术.40第 8 章 组合变流电路.42第1章电力电子器件1.使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:AK0 且 GK0。2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶
2、闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。3.图1 4 3中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为小,图1-4 3晶闸管导电波形解:a)/di=-f sincotdcot)=(+1)0.2717/m2n 号 2Jt 2a 0.4767 人b)c)/d2=f siny/t/(y/)=(去+1)0.5434/m4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流/di、/d2、/d3各为多少?这时,相应的电流最大值/ml、/m2、%3各为多少?解:额定电流/T(AV)
3、=1 0 0 A的晶闸管,允许的电流有效值/=1 5 7 A,由上题计算结果知a)/m)a 329.35,0.4767/di0.2717/m l89.48b)/m2-b 232.90,0.6741/d2*0.5434/m 2 126.56c)/m3=2/=314,/d3=丁 /m3=78.545.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,由P1N1P2和NF2N2构成两个晶体管1、V2,分别具有共基极电流增益药和%,由普通晶闸管的分析可得,%+。2=1 是器件临界导通的条件。%+两个等效晶体管过饱和而导通;,+2 1,
4、不能维持饱和导通而关断。GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1)GTO在设计时a?较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断;2)GTO导通时的%+4 更接近于1,普通晶闸管%+为 2 1 15,而GTO则为%+a2。1.05,GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。6.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?答:电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱,容易
5、被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过 20的击穿电压,所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点:一般在不用时将其三个电极短接;装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。7.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,1GBT是电压驱动型器件,1GBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足
6、够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压
7、,d“/山或过电流和di/山,减小器件的开关损耗。RCD缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,Cs经 Rs放电,凡起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VDs从 C分流,使 d“/山减小,抑制过电压。9.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。解:对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表:器 件优 点缺 点IGBT开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小开 关 速 度 低 于 电 力MOSFET,电压,电流容量不及GTOGTR耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低开关速
8、度低,为 电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强电流关断增益很小,关断 时 门 极 负 脉 冲 电 流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低电 力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置第2章整流电路1.单相半波可控整流电路对电感负载供电,L=2 0 m H,t/2=1 0 0 V,求当a =0。和 6 0。时的负载电流/d,并画出 d 与 i d 波形。
9、解:a=0。时,在电源电压“2 的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压“2 的负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压“2的一个周期里,以下方程均成立:L=四U、s in c o tdt考虑到初始条件:当创=0 时/d=0 可解方程得:coL 同2(1-c o s(y/)coL圆2coL(1-COS37)d(初)=22.51(A)“d 与 id 的波形如下图:当a =60。时,在“2正半周期60。18 0。期间晶闸管导通使电感L 储能,电感L 储藏的能量在“2负半周期18 0。300。期间释放,因此在“2 一个周期中60。3
10、00。期间以下微分方程成立:L -叵U,s in c o tdt 2考虑初始条件:当&=60。时办=0 可解方程得:.同,八%=3(丁 c o s 初)a)L 2其平均值为乙=2 g -c o s t y r)d(y r)=个:=11.25(A)此时“d 与id 的波形如下图:2.图 2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:晶闸管承受的最大反向电压为2叔/2;当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁化的问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中,正负半周
11、内上下绕组内电流的方向相反,波形对称,其一个周期内的平均电流为零,故不会有直流磁化的问题。以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。以 晶 闸 管 VT2为例。当 V 导通时,晶闸管VT2通 过 V 与 2 个变压器二次绕组并联,所 以 VT2承受的最大电压为2 后。2。当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角a 相同时,对于电阻负载:(0 a)期间无晶闸管导通,输出电压为0;(a )期间,单 相 全 波 电 路 中 导 通,单相全控桥电路中VTi、VT4导通,输出电压均与电源电压“2相等;(万%+a)期间,均无晶闸管导通,输出电压为0;(%+a 2%)期间,单相全波电
12、路中VT2导通,单相全控桥电路中 VT2、VT3导通,输出电压等于-2。对于电感负载:(a 乃 +a)期间,单 相 全 波 电 路 中 导 通,单相全控桥电路中V 1、VT4导通,输出电压均与电源电压“21等;(乃+a 2%+a)期间,单相全波电路中VT?导通,单相全控桥电路中VT2、VT3导通,输出波形等于-“2。可见,两者的输出电压相同,加到同样的负载上时,则输出电流也相同。3.单相桥式全控整流电路,t/2=1 0 0 V,负载中R=2。,L 值极大,当a=30时,要求:作出“d、id、和 i2的波形;求整流输出平均电压Ud、电流/d,变压器二次电流有效值,2;考虑安全裕量,确定晶闸管的额
13、定电压和额定电流。解:d、)d、和 的 波 形 如 下 图:输出平均电压U d、电流/d,变压器二次电流有效值/2分别为U d=0.9 S c o s a =0.9 X 100X c o s 300=77.9 7(V)/d=U d/R=77.9 7/2=38.9 9 (A)12=I A=38.9 9 (A)晶闸管承受的最大反向电压为:痣。2=100&=14 1.4 (V)考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:UN=(2 3)X 14 1.4 =28 3-4 24 (V)具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。流过晶闸管的电流有效值为:Ivr=Id/V 2=27.57(A)晶闸管的额定电流为:h=(1.
14、5-2)X27.57/1.57=26-35(A)具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。4 .单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画出整流二极管在一周内承受的电压波形。解:注意到二极管的特点:承受电压为正即导通。因此,二极管承受的电压不会出现正的部分。在电路中器件均不导通的阶段,交流电源电压由晶闸管平衡。整流二极管在一周内承受的电压波形如下:5.单相桥式全控整流电路,t/2=100V,负 新 R=2Q,L 值极大,反电势E=60V,当g 3 0。时,要求:作出劭、Q和 F的波形;求整流输出平均电压U d、电流/d,变压器二次侧电流有效值/2;考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。解:“d、i
15、d 和小的波形如下图:整流输出平均电压U d、电流/d,变压器二次侧电流有效值分别为U d=0.9 U2cosa=0.9 X 100X c o s 30=77.9 7(A)/d E)/R=(77.9 7-60)/2=9(A),2=/d =9(A)晶闸管承受的最大反向电压为:V 2 t/2=100V 2=14 1.4 (V)流过每个晶闸管的电流的有效值为:/v T=,d /5/2=6.36(A)故晶闸管的额定电压为:t/N=(2 3)X 1 4 1.4 =2 8 3-4 2 4 (V)晶闸管的额定电流为:/N=(1.5 2)X 6.3 6/1.5 7=6-8 (A)晶闸管额定电压和电流的具体数值
16、可按晶闸管产品系列参数选取。6.晶闸管串联的单相半控桥(桥中V T|、V T 2 为晶闸管),电路如图2-1 1 所示,t/2=1 0 0 V,电阻电感负载,R=2 Q,L值很大,当=60。时求流过器件电流的有效值,并作出“八 id、iv r、/D 的波形。解:“d、id、iv T、的波形如下图:负载电压的平均值为:U d =&2 s in W d(.)=0.9%.侬 伏 电=67 5(v)冗看2负载电流的平均值为:/d=U d/67.5 2/2=3 3.75 (A)流过晶闸管V、V T 2的电流有效值为:/VT /d=1 9.4 9 (A)流过二极管V D 3、V D4的电流有效值为:/VD
17、=/(j=2 7.5 6(A)7.在三相半波整流电路中,如 果a相的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压“d的波形。解:假设&=0。,当负载为电阻时,的波形如下:当负载为电感时,如的波形如下:8 .三相半波整流电路,可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法,每段的电动势相同,其分段布置及其矢量如图2-60所示,此时线圈的绕组增加了一些,铜的用料约增加1 0%,问变压器铁心是否被直流磁化,为什么?图2-6 0变压器二次绕组的曲折接法及其矢量图答:变压器铁心不会被直流磁化。原因如下:变压器二次绕组在一个周期内:当a iC 2对应的晶闸管导通时,a 1的电流向下流,C 2的电
18、流向上流;当C|b2对应的晶闸管导通时,c i的电流向下流,坊的电流向上流;当对应的晶闸管导通时,也 的电流向下流,a 2的电流向上流;就变压器的一次绕组而言,每一周期中有两 段 时 间(各 为1 2 0。)由电流流过,流过的电流大小相等而方向相反,故一周期内流过的电流平均值为零,所以变压器铁心不会被直流磁化。9 .三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相的自然换相点是同一点吗?如果不是,它们在相位上差多少度?答:三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相之间换相的的自然换相点不是同一点。它们在相位上相差1 8 0。1 0 .有两组三相半波可控整流电路,一组是共阴极接法,
19、一组是共阳极接法,如果它们的触发角都是a,那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说,例如都是a相,在相位上差多少度?答:相 差1 8 0。1 1 .三相半波可控整流电路,/2=1 0 0 V,带电阻电感负载,R=5Q,L值极大,当用60。时,要求:画出“d、id和iv ri的波形;计算 U d、4 1、/d T 和,V T。解:“d、和 g的波形如下图:Ud、/八/d T 和/v r分别如下t/d=1.1 7/2c o s a=1.1 7X 1 0 0 X c o s 60 =5 8.5 (V)/d=U d/R =5 8.5/5 =1 1.7(A),d V T=/d/3 =1 1
20、.7/3 =3.9 (A)=6.75 5 (A)1 2 .在三相桥式全控整流电路中,电阻负载,如果有一个晶闸管不能导通,此时的整流电压“d波形如何?如果有一个晶闸管被击穿而短路,其他晶闸管受什么影响?假 设 被 击 穿 而 短 路,则当晶闸管V T3 或 V T5 导通时一,将发生电源相间短路,使 得 V T3、V Ts也可能分别被击穿。1 3 .三相桥式全控整流电路,U 2=1 0 0 V,带电阻电感负载,R=5Q,L值极大,当g 6 0。时,要求:画出“d、id和 的 波 形;计算 U d、/d、/dT 和,V T。解:d、和 iv n的波形如下:U d、/d、/dT和/V T分别如下U
21、d=2.3 4 U 2 C osa=2.3 4 X 1 0 0 X c os6 0 0 =1 1 7(V)/d=U d/R=7/5=2 3.4 (A)/D V T=/3=2 3.4/3=7.8 (A)/v T=,d/=2 3.4 /V 3 =1 3.5 1 (A)1 4.单相全控桥,反电动势阻感负载,R=1 Q,L=8,=4 0 V,U 2=1 0 0 V,LB=0.5 mH,当归6 0。时 求U d、/d与7的数值,并画出整流电压“d的波形。解:考 虑LB时,有:U d=0.9 U 2 c os a 3 U d=2 X B,d/兀/d=(U d-E)/R解方程组得:U d=(R 0.9 U
22、2 C O S a+2XBE)/(TTH+2 XB)=4 4.5 5 (V)最后,作出整流电压U d的波形如卜一:U d=0.4 5 5 (V)/d=4.5 5 (A)又,:c os a c os(a+/)=V 2 /dXB/t/2即得出c os(6 0 +/)=0.4 79 8换流重叠角y=6 1.3 3 -6 0 =1.3 3 1 5.三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载,t/2=1 0 0 V,R=1Q,L=8,LB=lmH,求当2 3 0。时、E=5 0 V 时 U d、H 7 的值并作出“d与ivri和 i m 的波形。解:考虑小时,有.:U d=l1 7U 2 C osa 一”U
23、 d=3 X B,d/2 万Id=(Ud-E)/R解方程组得:U d=(1.1 7U 2 C O S O+3 XBE)/(2TTR+3XB)=9 4.6 3 (V)U d=6.7(V )/d=4 4.6 3 (A)又:c osa c os(a+/)=2/dXB/76 Ui即得出c os(3 0 +/)=0.75 2换流重叠角y=4 1.2 8 -3 0 =1 1.2 8 d、iv Tl和 lV T2 的波形如卜:1 6.三相桥式不可控整流电路,阻感负载,R=5Q,L=8,U 2=2 2 0 V,XB=0.3 Q ,求 4、H/V D、,2和7的值并作出W d、iv o和/的波形。解:三相桥式不
24、可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路a=0 时的情况。U d=2.3 4 t/2 c os a 一 ”U d=3 X B,d/7Th =Ua/R解方程组得:U d=2.3 4 2 c os a/(1+3 XB/R)=4 8 6.9 (V),d=9 7.3 8 (A)又c os a c os(a+/)=2/dXB/R U2即得出c osy=0.8 9 2换流重叠角y=2 6.9 3 二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为/V D=/3 =9 7.3 8/3 =3 2.4 6 (A)/2 a=|/d=79.5 1 (A)d、,V D 1和i2 a的波形如下:1 7.三相全控桥,反电动势阻感负
25、载,=2 0 0 V,R=1 Q ,L=8,t/2=2 2 0 V,c 6 0 ,当品=0和L B=l m H情况下分别求U d、/d的值,后者还应求了 并分别作出“d与H的波形。解:当LB=0时:U d=2.3 4 U 2 c osa=2.3 4 X2 2 0 X c os6 0=2 5 7.4 (V)/d=(U d-E)/R=(2 5 7.4-2 0 0)/1=5 7.4 (A)当LB=I m H时U d=2.3 4 U 2 c os a U d U d=3 X B,d/d=(ULE)/R解方程组得:U d=(2.3 4%U 2 R c osa+3 XBE)/(R +3 XB)=2 4 4
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