模拟电子技术基础习题PPT学习教案.pptx

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1、会计学1模拟模拟(mn)电子技术基础习题电子技术基础习题第一页，共136页。一、填空题1.半导体是导电能力介于_导体_和_绝缘体_之间的物质。2.利用半导体的_杂敏_特性，制成杂质半导体；利用半导体的_光敏_特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏_特性，制成热敏电阻(r mn din z)。3.PN结加正向电压时_导通_，加反向电压时_截止_，这种特性称为PN结_单向导电性_特性。4.PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。5.二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_反向击穿电压_电压。第二章第二章 半导体二极管及其应用半导体二极管及其应用(

2、yngyng)(yngyng)电路电路 第1页/共136页第二页，共136页。n n6.二极管最主要的特点是_单向导电性_，使用时应考虑的两个主要参数是_最大整流电流_和_最高反向工作电压_。n n7.半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_单向导电性能越好_的性能越好。n n8.半导体二极管分为点接触型，面接触型和平面型3种，通常_面接触型_流过电流最大，_点接触型_流过电流最小。对工作频率而言，_点接触型的_最高，_平面型的_最低。n n9.理想二极管正向电阻为_零_，反向电阻为_无穷大_，这两种状态相当于一个_理想的开关(kigun)_。n n10.稳压管工作在伏安

3、特性的_反向特性区_，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_几乎不变_。第2页/共136页第三页，共136页。n n11.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将_左移_，反向特性曲线将_下移_。n n12.当温度升高时，二极管的正向电压将_减小_，反向击穿电压_减小_，反向电流_增加_。n n13.整流电路的作用是_将交流电压转变成直流电压_，核心元器件是_二极管_。n n14.滤波电路的作用是_脉动的直流电压变成平滑的直流电压_，滤波电路包含有_储能_元件。n n15.单相(dn xin)半波整流和单相(dn xin)桥式整流相比，脉动比较大的是_单相(dn xin)半波整流_，整流效

4、果好的是_单相(dn xin)桥式整流_。n n16.在单相(dn xin)桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则_电路烧毁_，如果任意一个二极管虚焊，则_变成单相(dn xin)半波整流_。第3页/共136页第四页，共136页。n n二、选择题二、选择题n n1.在半导体材料中，其正确在半导体材料中，其正确(zhngqu)的说的说法是（法是（C ）。）。n n AP型半导体中由于多数载流子为空穴，型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电所以它带正电 BN型半导体中由于多型半导体中由于多数载流子为电子，所以它负正电数载流子为电子，所以它负正电 CP型和型和N型半导体材料本身都不带电。型

5、半导体材料本身都不带电。n n2.二极管的导通条件是（二极管的导通条件是（B ）。）。n n A B 死区电压死区电压 C 击穿电击穿电压压n n3.硅二极管的正向电压在硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加，的基础上增加，它的电流（它的电流（C ）。）。n n A基本不变基本不变 B增加增加 C增加以增加以上上n n4.硅二极管的正向电压在硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增加，的基础上增加，它的电流（它的电流（C ）。）。n n A基本不变基本不变 B增加增加 C增加以增加以上上n n5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A ）。）。n n A增

6、大增大 B不变不变 C减小减小第4页/共136页第五页，共136页。n n6.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不变，当温度升高到时时(shsh)，二极管的导通电压将（B ）。n n A等于0.7V B小于0.7V C大于0.7Vn n7.二极管电路如图2-51所示，V，二极管均为理想元件，则输出电压为（A ）。n n A0V B3V C6V D9Vn n 图2-51n n 第5页/共136页第六页，共136页。n n 8.二极管电路如图2-52所示，二极管均为理想元件，则输出(shch)电压为（A ）。n n A-2V B0V C4V D10Vn n9.稳压管电路如图2-53

7、所示，稳压管VS1的稳压值为9V，VS2的稳压值为15V，输出(shch)电压等于（B ）。n n A15V B9V C24Vn n n n 图2-52 图2-53第6页/共136页第七页，共136页。n n10.电路如图2-54所示，VD1 VD3为理想二极管，HA、HB、HC是三只相同的白炽灯，其中最亮的灯是（A ）。n n AHB BHC CHAn n 图2-54n n11.理想二极管桥式整流和电阻(dinz)性负载电路中，二极管承受的最大反向电压为（B ）。n n A小于 B等于 C大于第7页/共136页第八页，共136页。n n12.图2-55所示三个整流电路(a)、(b)、(c)，

8、变压器二次电压，负载(fzi)电压的波形如图(d)所示，符合该波形的电路是（C ）。n n 图2-55第8页/共136页第九页，共136页。n n三、判断题三、判断题n n1.在在N型半导体中如果掺入足型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型够量的三价元素，可将其改型为为P型半导体。型半导体。（）n nPN结在无光照、无外加结在无光照、无外加(wiji)电压时，结电流为零。电压时，结电流为零。n n （）n n3.在二极管的反向截止区，反在二极管的反向截止区，反向电流随反向电压增大而增大。向电流随反向电压增大而增大。（）n n4.如果稳压管工作电流，则管如果稳压管工作电流，则管子可能被损

9、坏。子可能被损坏。n n （）n n5.桥式整流电路中，流过每个桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只二极管的平均电流相同，都只有负载电流一半。（有负载电流一半。（）n n6.当变压器中心抽头式全波整当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二极管承受的波形相同，每个二极管承受的反向电压相同。反向电压相同。n n （）第9页/共136页第十页，共136页。n n四、分析四、分析(fnx)计算题计算题解：解：第10页/共136页第十一页，共136页。第11页/共136页第十二页，共13

10、6页。第12页/共136页第十三页，共136页。第13页/共136页第十四页，共136页。第14页/共136页第十五页，共136页。n n第三章第三章第三章第三章 思考题与习题思考题与习题思考题与习题思考题与习题n n一、一、一、一、填空填空填空填空n n1.1.晶体管从结构上看可以分成晶体管从结构上看可以分成晶体管从结构上看可以分成晶体管从结构上看可以分成_PNP_PNP_和和和和_NPN_NPN_两种类型。两种类型。两种类型。两种类型。n n2.2.晶体管工作时有晶体管工作时有晶体管工作时有晶体管工作时有_两种两种两种两种_载流子参与载流子参与载流子参与载流子参与(cny)(cny)导电，

11、因此晶体管又称为导电，因此晶体管又称为导电，因此晶体管又称为导电，因此晶体管又称为_双极型双极型双极型双极型_晶体管。晶体管。晶体管。晶体管。n n3.3.晶体管具有放大作用的外部条件是晶体管具有放大作用的外部条件是晶体管具有放大作用的外部条件是晶体管具有放大作用的外部条件是_发射发射发射发射_结正向偏置，结正向偏置，结正向偏置，结正向偏置，_集电集电集电集电_结反向偏置。结反向偏置。结反向偏置。结反向偏置。n n4.4.设晶体管的压降不变，基极电流为设晶体管的压降不变，基极电流为设晶体管的压降不变，基极电流为设晶体管的压降不变，基极电流为20A20A时，集电极电流等于时，集电极电流等于时，集

12、电极电流等于时，集电极电流等于2mA2mA，则，则，则，则_100_100_。若基极电流增大至。若基极电流增大至。若基极电流增大至。若基极电流增大至25A25A，集电，集电，集电，集电极电流相应地增大至极电流相应地增大至极电流相应地增大至极电流相应地增大至2.6mA2.6mA，则，则，则，则_120_120_。n n5.5.某三极管的发射极电流等于某三极管的发射极电流等于某三极管的发射极电流等于某三极管的发射极电流等于1mA1mA，基极电流等于，基极电流等于，基极电流等于，基极电流等于20A20A，穿透电流则其集电极电流，穿透电流则其集电极电流，穿透电流则其集电极电流，穿透电流则其集电极电流_

13、0.98mA_0.98mA_，电流放大系数，电流放大系数，电流放大系数，电流放大系数_49_49_。n n6.6.当晶体管工作在当晶体管工作在当晶体管工作在当晶体管工作在_放大放大放大放大_区时，才成立，此时，发射结区时，才成立，此时，发射结区时，才成立，此时，发射结区时，才成立，此时，发射结_正向正向正向正向_偏置，集电结偏置，集电结偏置，集电结偏置，集电结_反向反向反向反向_偏置。偏置。偏置。偏置。n n7.7.当晶体管工作在当晶体管工作在当晶体管工作在当晶体管工作在_饱和饱和饱和饱和_区时，。此时，发射结区时，。此时，发射结区时，。此时，发射结区时，。此时，发射结_正向正向正向正向_偏置

14、，集电结偏置，集电结偏置，集电结偏置，集电结_正向正向正向正向_偏置。偏置。偏置。偏置。n n8.8.当当当当NPNNPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以_集电集电集电集电_极的电位最高，极的电位最高，极的电位最高，极的电位最高，_发射发射发射发射_极的电位最低，极的电位最低，极的电位最低，极的电位最低，_基极基极基极基极_极和极和极和极和_发射发射发射发射_极电位差等于极电位差等于极电位差等于极电位差等于_0.7V _0.7V _。n n9.9.当当当当PNPPNP

15、硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以_发射发射发射发射_极的电位最高，极的电位最高，极的电位最高，极的电位最高，_集电集电集电集电_极的电位最低，等极的电位最低，等极的电位最低，等极的电位最低，等于于于于_0.7V_0.7V_。第15页/共136页第十六页，共136页。n n10.晶体管放大电路中，三个电极的电位分别为 ，试判断晶体管的类型是_PNP_，材料是_锗_。n n11.温度升高时，晶体管的电流放大系数将_增加_，穿透电流将_增加_，发射极电压将_减小_。n n1

16、2 温度升高时，晶体管的共射输入特性(txng)曲线将_左_移，输出特性(txng)曲线将_上_移，而且输出特性(txng)曲线的间隔将变_大_。n n13.查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。型 号类 型材 料低频大功率管3AD50CPNPGe100003000303CD030EPNPSi300001500120高频小功率管3DG100ANPNSi10020203DG130ANPNSi70030030第16页/共136页第十七页，共136页。n n14.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为6.5V；当输入电压为15mV时，输出电压为7V。则该电路的电

17、压增益为_100_。n n15.直流放大器能放大_交、直流信号_，交流放大器能放大_交流信号_。n n16.当静态工作点设置偏低时，会引起_截止_失真，单级共射放大电路输出电流波形的_底部_半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调_小_。n n17.当静态工作点设置偏高时，会引起_饱和_失真，单级共射放大电路输出电压波形的_底部_半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调_大_。n n18.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响(yngxing)最大的是_温度升高_。n n19.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是_共射_电路，与相位相同的是_共集和共基_电路。第17页/共136页第十

18、八页，共136页。n n20.三种基本(jbn)组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是_共基_电路，有电流放大无电压放大的是_共集_电路，既有电压放大又有电流放大的是_共射_电路。n n21.分压式偏置的共射极放大电路图3-19中的作用是_稳定静态工作点_。n n22.多级放大电路常见的耦合方式有_阻容耦合_、_直接耦合_、_变压器耦合_。n n23.直接耦合放大电路既能放大_直流_信号，又能放大_交流_信号，但它存在零漂的问题需要考虑解决。n n24.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变_大_，通频带变_窄_。第18页/共136页第十九页，共136页。n n二、二、二、二、选择题选

19、择题选择题选择题n n1.1.当晶体管的两个当晶体管的两个当晶体管的两个当晶体管的两个PNPN结都反偏时，则晶体管处于（结都反偏时，则晶体管处于（结都反偏时，则晶体管处于（结都反偏时，则晶体管处于（A A ）。）。）。）。n nA A截止状态截止状态截止状态截止状态 B B饱和状态饱和状态饱和状态饱和状态 C C放大状态放大状态放大状态放大状态 D D击穿击穿击穿击穿n n2.2.当晶体管的两个当晶体管的两个当晶体管的两个当晶体管的两个PNPN结都正偏时，则晶体管处于（结都正偏时，则晶体管处于（结都正偏时，则晶体管处于（结都正偏时，则晶体管处于（B B ）。）。）。）。n nA A截止状态截止

20、状态截止状态截止状态 B B饱和状态饱和状态饱和状态饱和状态 C C放大状态放大状态放大状态放大状态 D D击穿击穿击穿击穿n n3.3.测得放大电路测得放大电路测得放大电路测得放大电路(dinl)(dinl)中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为6V6V、5.3V5.3V和和和和-6V-6V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（A A ）。）。）。）。n nA A 硅硅硅硅PNPPNP型型型型 B B硅硅硅硅NPNNPN型型型型 C C锗锗锗锗P

21、NPPNP型型型型 D D 锗锗锗锗NPNNPN型型型型n n4.4.测得放大电路测得放大电路测得放大电路测得放大电路(dinl)(dinl)中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为8V8V、2.3V2.3V和和和和2V2V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（D D ）。）。）。）。n nA A 硅硅硅硅PNPPNP型型型型 B B硅硅硅硅NPNNPN型型型型 C C锗锗锗锗PNPPNP型型型型 D D 锗锗锗锗NPNNPN型型型型n n5.5.测

22、得放大电路测得放大电路测得放大电路测得放大电路(dinl)(dinl)中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为中某晶体管的三个电极对地电位分别为6V6V、5.3V5.3V和和和和12V12V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（B B ）。）。）。）。n nA A 硅硅硅硅PNPPNP型型型型 B B硅硅硅硅NPNNPN型型型型 C C锗锗锗锗PNPPNP型型型型 D D 锗锗锗锗NPNNPN型型型型第19页/共136页第二十页，共136页。n n6.6.测得放大电路中某晶体管的三个

23、电极对地电位分别为测得放大电路中某晶体管的三个电极对地电位分别为6V6V、5.7V5.7V和和-6V-6V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（C C ）。）。n nA A 硅硅PNPPNP型型 B B硅硅NPNNPN型型 C C锗锗PNPPNP型型 D D 锗锗NPNNPN型型n n7.7.检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简单的方法是测量（检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简单的方法是测量（B B ）。）。n nA A B B C C D Dn n8.8.放大器中晶体管在静态时进入饱和放大器中晶体管在静态时进入饱和(b(b oh)oh)区的条件是（区的条件是（A

24、A ）。）。n nA A B B C C死区电压死区电压 D D导通电压导通电压n n9.9.工作在放大状态的双极型晶体管是（工作在放大状态的双极型晶体管是（A A ）。）。n nA A 电流控制型电流控制型 B B电压控制型电压控制型 C C不可控元件不可控元件n n10.10.用直流电压表测得晶体管电极用直流电压表测得晶体管电极1 1、2 2、3 3的电压分别为的电压分别为 ，则三个电极为（，则三个电极为（C C ）。）。n nA A1 1为为e e；2 2为为b b；3 3为为c Bc B1 1为为e e；2 2为为c c；3 3为为b bn nC C1 1为为b b；2 2为为e e；

25、3 3为为c Dc D1 1为为b b；2 2为为c c；3 3为为e e第20页/共136页第二十一页，共136页。n n11.11.用直流电压表测得晶体管电极用直流电压表测得晶体管电极(dinj)1(dinj)1、2 2、3 3的电压分别为的电压分别为 ，则三个电，则三个电极极(dinj)(dinj)为（为（B B ）。）。n nA A1 1为为e e；2 2为为b b；3 3为为c Bc B1 1为为e e；2 2为为c c；3 3为为b bn nC C1 1为为b b；2 2为为e e；3 3为为c Dc D1 1为为b b；2 2为为c c；3 3为为e en n12.12.处于放大

26、状态的处于放大状态的NPNNPN型晶体管，各电极型晶体管，各电极(dinj)(dinj)的电位关系是（的电位关系是（C C ）。）。n nA A B B C C D Dn n13.13.处于放大状态的处于放大状态的PNPPNP型晶体管，各电极型晶体管，各电极(dinj)(dinj)的电位关系是（的电位关系是（B B ）。）。n nA A B B C C D Dn n14.14.晶体管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的（晶体管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的（D D ）。）。n nA A B B C C D D n n15.15.放大

27、电路的三种组态，都有（放大电路的三种组态，都有（C C ）放大作用。）放大作用。n nA A电压电压 B B电流电流 C C功率功率 D D都没有都没有第21页/共136页第二十二页，共136页。n n16.16.某晶体管的发射极电流等于某晶体管的发射极电流等于1mA1mA，基极电流等于，基极电流等于20A20A，正常，正常(zhngchng)(zhngchng)工作时，它的集电极电流等于（工作时，它的集电极电流等于（A A ）。）。n nA A0.98mA B0.98mA B1.02mA C1.02mA C0.8mA D0.8mA D1.2mA1.2mAn n17.17.固定偏置放大电路中，

28、晶体管的，若将该管调换为的另一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流将（固定偏置放大电路中，晶体管的，若将该管调换为的另一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流将（A A ）。）。n n A A增加增加 B B减少减少 C C基本不变基本不变n n18.18.测得某放大电路负载开路时的输出电压为测得某放大电路负载开路时的输出电压为4V4V，接入，接入2k2k的负载后，测得输出电压降为的负载后，测得输出电压降为2.5V2.5V，则该放大电路的输，则该放大电路的输出电阻为（出电阻为（C C ）。）。n nA A1.2k B1.2k B1.6k C1.6k C3.2k D3.2k D10k10kn n1

29、9.19.固定偏置共射极放大电路，已知固定偏置共射极放大电路，已知 ，忽略，忽略 ，若要使静态时，若要使静态时 ，则，则 应取（应取（C C ）。）。n nA A600k B600k B240k C240k C480k D480k D360k360kn n20.20.固定偏置共射极放大电路固定偏置共射极放大电路 ，则该电路中晶体管工作在（，则该电路中晶体管工作在（B B ）。）。n nA A放大区放大区 B B饱和区饱和区 C C截止区截止区 D D无法确定无法确定第22页/共136页第二十三页，共136页。n n21.固定偏置共射极放大电路 ，则该电路中晶体管工作在（A ）。n nA放大区

30、B饱和区 C截止区 D无法确定n n22.单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压和晶体管集电极电压的波形(b xn)，二者相位（B ）。n nA相差 B相差 C相差 D相差n n23.单级共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压和晶体管集电极电压的波形(b xn)，二者相位（A ）。n nA相差 B相差 C相差 D相差第23页/共136页第二十四页，共136页。n n24.图3-63所示共射放大电路中，晶体管，。问：当开关(kigun)与A处相接时，晶体管处于（A ）状态；开关(kigun)与B相接时，晶体管处于（B ）状态；开关(kigun)与C相接时，晶体管处

31、于（C ）状态。n nA放大 B饱和 C截止n n图3-63第24页/共136页第二十五页，共136页。n n25.25.有两个电压放大倍数的放大电路有两个电压放大倍数的放大电路A A和和B B，分别对同一具有，分别对同一具有(jy(jy u)u)内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载电阻的情况下，测得，则知电阻的情况下，测得，则知B B放大电路的（放大电路的（C C ）。）。n nA A输入电阻小输入电阻小 B B输入电阻大输入电阻大 C C输出电阻小输出电阻小 D D输出电阻大输出电阻大n n26.26.直接耦合放大电路能放大（直接耦合放大电路能放大（

32、C C ）。）。n nA A直流信号直流信号 B B交流信号交流信号 C C交直流信号交直流信号 n n27.27.阻容耦合放大电路能放大（阻容耦合放大电路能放大（B B ）。）。n nA A直流信号直流信号 B B交流信号交流信号 C C交直流信号交直流信号n n28.28.阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，低频区电压增益下降的原因是由于（阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，低频区电压增益下降的原因是由于（A A）的存在。）的存在。n nA A耦合电容与旁路电容耦合电容与旁路电容 B B极间电容和分布电容极间电容和分布电容 C C晶体管的非线性晶体管的非线性n n29.29.阻容耦

33、合放大电路加入不同频率的输入信号，高频区电压增益下降的原因是由于（阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，高频区电压增益下降的原因是由于（B B）的存在。）的存在。n nA A耦合电容与旁路电容耦合电容与旁路电容 B B极间电容和分布电容极间电容和分布电容 C C晶体管的非线性晶体管的非线性n n30.30.两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大倍数均为两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大倍数均为3030，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（总的电压放大倍数（C C ）。）。n nA A等于等于60 B60 B等于等于900

34、 C900 C小于小于900 D900 D大于大于900900第25页/共136页第二十六页，共136页。n n31.已知两级放大(fngd)电路，则电路总的电压放大(fngd)倍数为（B ）。n nA100 B1000 C110 D1100n n32.已知三级放大(fngd)电路，则电路总的电压放大(fngd)倍数为（A ）dB。n nA80 B10 C50 D1800第26页/共136页第二十七页，共136页。n n三、判断题三、判断题n n 1.既然晶体管是由两个既然晶体管是由两个PN结构结构(jigu)成，而二极管内部就包成，而二极管内部就包含一个含一个PN结，因此可以用两个结，因此可

35、以用两个二极管反向串接来构成晶体管。二极管反向串接来构成晶体管。（）n n 2.晶体管只有测得才工作在放晶体管只有测得才工作在放大区。（大区。（）n n 3.晶体管集电极和基极上的电晶体管集电极和基极上的电流总能满足的关系。流总能满足的关系。（）n n 4.只有电路既放大电流又放大只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。电压，才称其有放大作用。（）n n5.可以说任何放大电路都有功率可以说任何放大电路都有功率放大作用。（放大作用。（）n n6.电路中各电量的交流成份是交电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（流信号源提供的。（）第27页/共136页第二十八页，共136页。n n7.

36、放大电路必须加上合适(hsh)的直流电源才能正常工作。（）n n8.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。n n（）n n 9.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）n n 10.用微变等效电路可以分析放入器的输入电阻和输出电阻，因此也可以用来计算放大器的放大倍数。（）n n 11.利用微变放大电路，可以很方便地分析计算小信号输入时的静态工作点。（）第28页/共136页第二十九页，共136页。n n12.放大器的电压放大倍数随负载而变化，负载愈高，电压放大倍数愈大。（）n n13.射极输出器即共集电极放大器，其电压放大倍数小于，输入

37、电阻小，输出电阻大。（）n n14.射极输出器因其电压放大倍数小于，不能起缓冲、隔离作用，实际工作中很少使用。（）n n15.阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点相互独立，它只能放大交流信号。（）n n16.直接(zhji)耦合多级放大电路各级的静态工作点相互影响，它只能放大直流信号。（）n n只有直接(zhji)耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化，（）n n18.多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。（）第29页/共136页第三十页，共136页。n n 四、分析(fnx)计算题 第30页/共136页第三十一页，共136页。第31页/共136页第三十二页

38、，共136页。第32页/共136页第三十三页，共136页。第33页/共136页第三十四页，共136页。第34页/共136页第三十五页，共136页。第35页/共136页第三十六页，共136页。第36页/共136页第三十七页，共136页。第37页/共136页第三十八页，共136页。第38页/共136页第三十九页，共136页。第39页/共136页第四十页，共136页。第40页/共136页第四十一页，共136页。第41页/共136页第四十二页，共136页。第42页/共136页第四十三页，共136页。第43页/共136页第四十四页，共136页。第44页/共136页第四十五页，共136页。第45页/共13

39、6页第四十六页，共136页。第46页/共136页第四十七页，共136页。第47页/共136页第四十八页，共136页。第48页/共136页第四十九页，共136页。第49页/共136页第五十页，共136页。第五章第五章 思考题与习思考题与习题题(xt)解答解答第50页/共136页第五十一页，共136页。第51页/共136页第五十二页，共136页。第52页/共136页第五十三页，共136页。第53页/共136页第五十四页，共136页。第54页/共136页第五十五页，共136页。n n解：第55页/共136页第五十六页，共136页。第56页/共136页第五十七页，共136页。第57页/共136页第五十

40、八页，共136页。第58页/共136页第五十九页，共136页。第59页/共136页第六十页，共136页。第60页/共136页第六十一页，共136页。第61页/共136页第六十二页，共136页。第62页/共136页第六十三页，共136页。第63页/共136页第六十四页，共136页。第64页/共136页第六十五页，共136页。第65页/共136页第六十六页，共136页。第66页/共136页第六十七页，共136页。第67页/共136页第六十八页，共136页。第68页/共136页第六十九页，共136页。第69页/共136页第七十页，共136页。第70页/共136页第七十一页，共136页。n n6-4

41、判断图6-28所示电路(dinl)的反馈极性及反馈量（交、直流）。a)负反馈负反馈 交流交流(jioli)b)负反馈负反馈 交流交流(jioli)c)正反馈正反馈 交流交流 第71页/共136页第七十二页，共136页。d)负反馈负反馈 交流交流(jioli)e)负反馈负反馈 交直流交直流第72页/共136页第七十三页，共136页。n n6-5 判断(pndun)图6-29所示电路的级间反馈极性。第73页/共136页第七十四页，共136页。n n6-6 判断(pndun)图6-30所示各电路的反馈组态。第74页/共136页第七十五页，共136页。电流(dinli)并联交直流负反馈 R6：电流(d

42、inli)并联直流负反馈 R7：电流(dinli)并联交直流负反馈 第75页/共136页第七十六页，共136页。电流(dinli)串联交流正反馈电压(diny)并联交流负反馈第76页/共136页第七十七页，共136页。电压(diny)串联交流正反馈电压(diny)串联交直流负反馈第77页/共136页第七十八页，共136页。n n 6-7 如图6-31所示的两个电路中集成运放的最大输出电压为12V。试分别说明，在下列三种情况下，是否存在反馈(fnku)？若有是何反馈(fnku)类型？输出电压是多少？n n(1)当m点接a点时；(2)当m点接b点时；(3)当m点接地时。n n 当m点接a点时：有反

43、馈(fnku)，电压串联正反馈(fnku)，输出电压不是12V就是-12V当m点接b点时:有反馈(fnku)，电压并联负反馈(fnku)，输出电压为4.5V当m点接地时：无反馈(fnku)第78页/共136页第七十九页，共136页。n n 6-7 如图6-31所示的两个电路中集成运放的最大输出电压为12V。试分别说明，在下列三种情况(qngkung)下，是否存在反馈？若有是何反馈类型？输出电压是多少？n n(1)当m点接a点时；(2)当m点接b点时；(3)当m点接地时。n n 当m点接a点时：有反馈(fnku)，电压并联正反馈(fnku)，输出电压不是12V就是-12V当m点接b点时:有反馈(

44、fnku)，电压串联负反馈(fnku)，输出电压为5V当m点接地时：无反馈(fnku)第79页/共136页第八十页，共136页。n n6-9 有一反馈电路开环放大倍数A=105，反馈网络的反馈系数为F=0.1，反馈组态(z ti)为电压并联负反馈，试计算：n n（1）引入反馈后，输入电阻和输出电阻如何变化？变化了多少？n n（2）闭环放大倍数稳定性提高了多少倍？若 为25%，问n n 为多少？n n解：（1）由于并联负反馈会使输入电阻减小，其反馈后的电阻值与无反馈时的电阻关系是：第80页/共136页第八十一页，共136页。第81页/共136页第八十二页，共136页。n n6-10 假设在深度负

45、反馈条件(tiojin)下，估算图6-32的闭环电压放大倍数。n n解：第82页/共136页第八十三页，共136页。n n第七章 功率放大电路思考题与习题 n n7-1填空题n n（1）功率放大电路按三极管静态工作点的位置不同可分为_A（甲）_类、_B（乙）_类、_AB（甲乙）_类。n n（2）A类放大电路是指放大管的导通角等于(dngy)360，乙类放大电路的导通角等于(dngy)180，在甲乙类放大电路中，放大管导通角为 180-360 。n n(3）B类互补推挽功率放大电路的 效率 较高，在理想情况下其值可达 78.5%。但这种电路会产生一种被称为 交越 失真的非线性失真现象。为了消除这

46、种失真，应当使推挽功率放大电路工作在 AB 类状态。n n（4）由于在功放电路中功放管经常处于极限工作状态，因此，在选择功放管时要特别注意 ICM 、U（BR）CEO 和n n PCM 三个参数。第83页/共136页第八十四页，共136页。n n（5）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用B类OCL（即双电源)互补(h b)对称功放电路，则应选至少为 4W 的功率管两个。n n（6）功率放大电路主要研究的指标是_效率_、_输出功率_、_失真度 _。第84页/共136页第八十五页，共136页。n n7-2 选择填空题n n（1）甲类单管功率放大电路结构简单，但最大缺点是 D 。n n A有交

47、越失真 B易产生自激n n C效率低 D效率低，耗电量大n n（2）互补对称功放电路的放大作用是 C 。n n A只对电压有放大作用 B 对电压和电流均有放大作用n n C只对电流有放大作用 D对电压和电流均无放大作用n n（3）在互补对称功率放大电路中。引起交越失真的原因是 D 。n n A输入信号过大 B晶体管值太大n n C电源电压太高 D晶体管输入特性曲线的非线性n n（4）作为(zuwi)输出级的互补对称电路常采用的接法是 C 。n n A共射 B共基 C共集 D无所谓第85页/共136页第八十六页，共136页。n n（5）电路最大不失真输出功率(gngl)是指输入信号幅值足够大，而

48、输出信号基本不失真且幅值最大时 D 。n n A晶体管得到的最大功率(gngl)B电源提供的最大功率(gngl)n n C负载上获得的最大直流功率(gngl)D负载上获得的最大交流功率(gngl)n n（6）功率(gngl)放大电路与电压放大电路的共同点是 C n n A都使输出电压输入电压；B都使输出电流大于输入电流；n n C都使输出功率(gngl)大于信号源提供的输入功率(gngl)。n n（7）功率(gngl)放大电路与电压放大电路的区别是 D 。n n A前者比后者电源电压高；B前者比后者电压放大倍数数值大；C前者比后者效率高；n n D在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真

49、输出功率(gngl)大。第86页/共136页第八十七页，共136页。n n（8）OTL电路输出耦合电容的作用是 C 。n n A隔直耦合 B对地旁路 C相当于提供负电源n n（9）由于功放电路的输入和输出信号幅度都较大，所以(suy)常用 B 法进行分析计算。n n A微变等效电路 B 图解分析 n n C最大值估算 D 交流通道第87页/共136页第八十八页，共136页。n n7-3判断题(正确的在括号内画，错误的画)n n（1）当A类功放电路的输出功率为零时，管子消耗(xioho)的功率最大。()n n（2）在功率放大电路中，输出功率最大时，功放管的功率损耗也是最大。（）n n（3）在输入

50、电压为零时，AB类互补推挽功放电路中的电源所消耗(xioho)的功率是两个管子的静态电流与电源电压的乘积。()n n（4）在管子的极限参数中，集电极最大允许耗散功率，是集电极最大电流与基极开路时集电极一发射极问反向击穿电压的乘积。()n n（5）只有当两个三极管的类型相同时才能组成复合管。()n n（6）复合管的类型(NPN或PNP)与组成它的最前面的管子类型相同 ()第88页/共136页第八十九页，共136页。n n7-4 在如图7-27所示电路中，已知 ，V1管和V2管的饱和管压降 ，输入(shr)电压足够大。试问：n n（1）最大输出功率 和效率 各为多少?n n（2）晶体管的最大功耗