材料成形技术基础PPT学习教案.pptx
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1、会计学1材料材料(cilio)成形技术基础成形技术基础 第一页,共137页。2006-9-7第1页/共137页第二页,共137页。2006-9-7液态金属液态金属(jnsh)的结构的结构l纯金属的液态结构纯金属的液态结构l 原子集团原子集团(jtun)、游离原子、空穴或、游离原子、空穴或裂纹组成裂纹组成l实际的液态金属(合金)结构实际的液态金属(合金)结构l 各种成分的原子集团各种成分的原子集团(jtun)、游离原、游离原子、空穴、裂纹、杂质及气泡组成子、空穴、裂纹、杂质及气泡组成l液态金属的特点液态金属的特点l 能量起伏、成分起伏、结构(相)起伏能量起伏、成分起伏、结构(相)起伏第2页/共1
2、37页第三页,共137页。2006-9-7液态液态(yti)金属的热物理性质金属的热物理性质第3页/共137页第四页,共137页。2006-9-7间接说明液态金属的结构接近固态间接说明液态金属的结构接近固态(gti)而远离气态金属而远离气态金属第4页/共137页第五页,共137页。2006-9-7第5页/共137页第六页,共137页。2006-9-7近程有序、远程近程有序、远程(yunchng)无序无序第6页/共137页第七页,共137页。2006-9-7液态液态(yti)金属的性质金属的性质l液态金属的粘滞性(粘度)液态金属的粘滞性(粘度)l 1.粘度的实质及影响粘度的实质及影响(yngxi
3、ng)因素因素牛顿液体牛顿液体(yt)粘质粘质定律定律第7页/共137页第八页,共137页。2006-9-7l粘度的本质粘度的本质l 原子间的结合力原子间的结合力l影响粘度的因素影响粘度的因素l 原子离位激活能原子离位激活能l 原子间的距离原子间的距离(jl)l 温度温度l 夹杂物及合金元夹杂物及合金元素素第8页/共137页第九页,共137页。2006-9-7粘度在材料成形过程粘度在材料成形过程(guchng)中的意义中的意义l对液态金属净化对液态金属净化(jnghu)的影响的影响l夹杂物和气泡夹杂物和气泡斯托克斯公式斯托克斯公式(gngsh)第9页/共137页第十页,共137页。2006-9
4、-7l对液态合金流动阻力的影响对液态合金流动阻力的影响(yngxing)l 流体的流动分层流和紊流流体的流动分层流和紊流l 雷诺数雷诺数Re的大小决定的大小决定l Re2300为紊流,为紊流,ReTm GSGL 熔化熔化 TTm GST。第45页/共137页第四十六页,共137页。2006-9-7二、自发形核二、自发形核 液相液相固态:能垒固态:能垒Gd Gd 能垒能垒GdGd的克服,是通过液态内部的温度起伏,的克服,是通过液态内部的温度起伏,即能量起伏来实现的。即能量起伏来实现的。形核:稳定的液相通过温度起伏在一些微小形核:稳定的液相通过温度起伏在一些微小(wixio)(wixio)区域内部
5、形成稳定存在的晶质质点的过区域内部形成稳定存在的晶质质点的过程。程。两种形核方式:自发形核和非自发形核。两种形核方式:自发形核和非自发形核。非自发形核是指在不均匀熔体中依靠外来杂质非自发形核是指在不均匀熔体中依靠外来杂质界面或各种衬底形核的过程,而自发形核则是指界面或各种衬底形核的过程,而自发形核则是指在不借助任何外来界面的均匀熔体中形核的过程。在不借助任何外来界面的均匀熔体中形核的过程。第46页/共137页第四十七页,共137页。2006-9-7 自自发发形形核核的的物物理理化化学学实实质质是是,液液体体内内部部出出现现(chxin)晶晶核核时时,系系统统的的吉吉布布斯斯自自由由能能变变化化
6、由由固固、液液两两相相能能差差和和固固、液液界界面面能能差差组组成成。前前者者是是相相变变的驱动力,后者则是相变的阻力。的驱动力,后者则是相变的阻力。仅仅靠靠液液相相内内部部自自发发形形核核的的过过程程,需需要要较较大大的的过过冷冷度才得以完成。度才得以完成。第47页/共137页第四十八页,共137页。2006-9-7均质形核热力学均质形核热力学 单位体积的液态金属(合单位体积的液态金属(合金)在一定的过冷度金)在一定的过冷度T下,下,其内部产生其内部产生(chnshng)1个晶个晶核,并假设晶核为球形,则体核,并假设晶核为球形,则体系的吉布斯自由能的变化为系的吉布斯自由能的变化为第48页/共
7、137页第四十九页,共137页。2006-9-7r*称为称为(chn wi)晶核临界半径晶核临界半径第49页/共137页第五十页,共137页。2006-9-7均质形核速率均质形核速率(sl)形核率为单位时间形核率为单位时间(shjin)、单位体积生成晶、单位体积生成晶核的数目核的数目第50页/共137页第五十一页,共137页。2006-9-7第51页/共137页第五十二页,共137页。2006-9-7均质形核理论均质形核理论(lln)的的局限性局限性均质形核是对纯金属均质形核是对纯金属(jnsh)而言的,其过冷而言的,其过冷度很大,约为度很大,约为0.2Tm纯液态纯液态(yti)铁的铁的T=1
8、590*0.2=318实际上,金属结晶时的过冷度一般为几分之实际上,金属结晶时的过冷度一般为几分之一摄氏度到几十摄氏度一摄氏度到几十摄氏度第52页/共137页第五十三页,共137页。2006-9-7异质异质(y zh)形核形核热力学热力学第53页/共137页第五十四页,共137页。2006-9-7第54页/共137页第五十五页,共137页。2006-9-7第55页/共137页第五十六页,共137页。2006-9-7第56页/共137页第五十七页,共137页。2006-9-7第57页/共137页第五十八页,共137页。2006-9-7第58页/共137页第五十九页,共137页。2006-9-7异
9、质形核速率异质形核速率(sl)及其影及其影响因素响因素n过冷度过冷度n界面界面(jimin)n液体液体(yt)的过热及持的过热及持续时间续时间第59页/共137页第六十页,共137页。2006-9-7 原子数:原子数:n n凸凸 n n平平 n n凹凹形核能力形核能力:弱弱 中中 强强第60页/共137页第六十一页,共137页。2006-9-7在一定范围内增加过冷度,无论是非自发形核还是在一定范围内增加过冷度,无论是非自发形核还是(hi shi)(hi shi)自发形核的形核率都会得到显著提高。其中非自发形核比自发形核需要小得多的过冷度。自发形核的形核率都会得到显著提高。其中非自发形核比自发形
10、核需要小得多的过冷度。T第61页/共137页第六十二页,共137页。2006-9-7形核剂应该具备下述特点:形核剂应该具备下述特点:1.1.失配度小失配度小 衬衬底底晶晶面面总总是是力力图图与与最最相相近近的的晶晶格格(jn(jn)常常数数与与键键型型的的晶晶面面相相结结合合,有有完完全全共共格格对对应应与与半半共共格格对对应应界面。界面。界面原子间距对应程度可由点阵失配度来衡量。界面原子间距对应程度可由点阵失配度来衡量。三、形核剂三、形核剂 细化金属细化金属(jnsh)晶粒,改善材料性能。晶粒,改善材料性能。第62页/共137页第六十三页,共137页。2006-9-7第63页/共137页第六
11、十四页,共137页。2006-9-7 当5时,通过点阵畸变,可以(ky)实现晶面两侧的原子对应,这种界面就是完全共格界面。其界面能最低,促进非白发形核能力最强,形核率最高。当5x0.95)第72页/共137页第七十三页,共137页。2006-9-7 从从固固液液界界面面微微观观尺尺度度考考虑虑,可可将将其其自自然然划划分分成成粗粗糙糙界界面面和和光光滑滑(gung hu)界界面面,光光滑滑(gung hu)界界面面也也称为小晶面,而把粗糙界面又称为非小晶面。称为小晶面,而把粗糙界面又称为非小晶面。光光滑滑(gung hu)界界面面:界界面面上上有有很很多多空空位位被被原原子子占占据据,或或几几
12、乎乎所所有有空空位位被被原原子子占占有有。光光滑滑(gung hu)界界面面上上仍允许有一些小的台阶存在。仍允许有一些小的台阶存在。粗粗糙糙界界面面:从从原原子子尺尺度度上上看看是是粗粗糙糙的的,但但从从宏宏观观上上看看却是却是“光滑光滑(gung hu)”的。的。固液界面固液界面(jimin)的结构的结构第73页/共137页第七十四页,共137页。2006-9-7第74页/共137页第七十五页,共137页。2006-9-7第75页/共137页第七十六页,共137页。2006-9-7 晶体生长方式由固液界面结构所确定,一般粗糙界面对应于连续长大,光滑界面对应于侧面(cmin)长大。界面越粗糙,
13、原子长大沉积过程越容易。对于光滑界面,原子主要依靠台阶长大。对这两种长大方式,粗糙界面的连续长大要比光滑界面的侧向长大容易得多。连续长大的含义是长大过程可以连续不断地进行;而侧面(cmin)长大,在长大台阶消耗殆尽后,只有依靠在界面形成新的台阶,才能使长大过程持续进行。生长生长(shngzhng)方式方式第76页/共137页第七十七页,共137页。2006-9-7l连续连续(linx)生长生长第77页/共137页第七十八页,共137页。2006-9-7侧面侧面(cmin)生长生长二维晶核台阶二维晶核台阶(tiji)生长生长缺陷缺陷(quxin)形成形成台阶生长台阶生长螺旋位错生长螺旋位错生长第
14、78页/共137页第七十九页,共137页。2006-9-7第79页/共137页第八十页,共137页。2006-9-7旋转旋转(xunzhun)孪孪晶生长晶生长反射反射(fnsh)孪晶生长孪晶生长第80页/共137页第八十一页,共137页。2006-9-7 与形核过程类似,生长过程也需要克服能垒。即需要一定的过冷度,生长所需过冷度与晶体生长方式有很大关系。当过冷度较小时,光滑界面(jimin)趋向于螺型位错方式生长;过冷度较大时,则转为连续生长。二维生长方式对于光滑界面(jimin)的晶体几乎是不可能的。在所有生长方式中,连续生长的速度始终是最快的。生长生长(shngzhng)速度速度第81页/
15、共137页第八十二页,共137页。2006-9-7T第82页/共137页第八十三页,共137页。2006-9-7作业作业(zuy)P51:3、5第83页/共137页第八十四页,共137页。2006-9-7单相单相(dn(dn xin)xin)合金的凝合金的凝固固 什么什么(shn me)是平衡分配系数?是平衡分配系数?非非平平衡衡凝凝固固的的Scheil方方程程与与平平衡衡凝凝固固杠杠杆杆定定律有何差别?律有何差别?什什么么(shn me)是是成成分分过过冷冷?它它是是怎怎么么产产生生的的?怎么判断成分过冷?怎么判断成分过冷?成分过冷与晶体生长形态有何关系?成分过冷与晶体生长形态有何关系?第8
16、4页/共137页第八十五页,共137页。2006-9-7一、溶质再分配与平衡分配系数一、溶质再分配与平衡分配系数 在平衡凝固过程中,固液共存温度区间是从平衡在平衡凝固过程中,固液共存温度区间是从平衡相图中液相线温度开始,至固相线温度结束。随温相图中液相线温度开始,至固相线温度结束。随温度的下降,固相成分沿固相线变化,液相成分沿液度的下降,固相成分沿固相线变化,液相成分沿液相线变化。可见,凝固过程中必有传质过程发生,相线变化。可见,凝固过程中必有传质过程发生,固液界面两侧都将不断地发生溶质再分配现象固液界面两侧都将不断地发生溶质再分配现象(xinxing),其原因在于各组元在不同相中化学,其原因
17、在于各组元在不同相中化学位不同。位不同。单相合金:凝固时只析出一个单相合金:凝固时只析出一个(y)固相的合固相的合金。金。多相合金:凝固同时析出两个以上相的合金。多相合金:凝固同时析出两个以上相的合金。第85页/共137页第八十六页,共137页。2006-9-7 设界面的温度为设界面的温度为T*T*,则固相侧薄层中的溶,则固相侧薄层中的溶质含量为质含量为CS*CS*,液相侧薄层中溶质的含量为,液相侧薄层中溶质的含量为CL*CL*,将两者之比定义为平衡分配系数,将两者之比定义为平衡分配系数 K0 K0:K0=CS*/CL*K0=CS*/CL*对大多数单相对大多数单相(dn xin)(dn xin
18、)合金,合金,K01 K01 第86页/共137页第八十七页,共137页。2006-9-7 溶质在固相中的扩散率比在液相中要小3个数量级。单位等截面的单元体质量为1,固相质量分数ws与液相质量分数wL,在任何时刻都满足关系:ws+wL=1 此外,不计溶质在固相中的扩散。在液相均匀混合的条件下,可以(ky)得到下面的非平衡杠杆定律(也称为Scheil方程):CS*=K0C0(1-ws)k0-1 二、非平衡凝固时的溶质二、非平衡凝固时的溶质(rngzh)再分配再分配第87页/共137页第八十八页,共137页。2006-9-7 如果液相中溶质并不能如果液相中溶质并不能均匀混合,固液界面前方将存均匀混
19、合,固液界面前方将存在一个溶质边界层在一个溶质边界层(如图如图2 22424所示所示),此时,此时ScheilScheil方程仍方程仍适用适用(shyng)(shyng),但需对平衡,但需对平衡分配系数分配系数K0K0加以修正,用有效加以修正,用有效平衡分配系数平衡分配系数KeKe代替代替K0K0即可。即可。系数系数KeKe与固液界面推进速度、与固液界面推进速度、溶质边界层厚度和溶质液相扩溶质边界层厚度和溶质液相扩散系数有关。散系数有关。一般凝固条件下固液界面液相侧形成溶质边界层 第88页/共137页第八十九页,共137页。2006-9-7 一般凝固条件下,固液界面前沿液相溶质将形成一个溶质富
20、集的边界层(对K01的合金)。这种溶质富集,导致液相凝固温度TL发生改变,与界面前沿实际温度Ta相比,产生差异,此差异可能引起过冷。把这种由溶质再分配(fnpi)导致界面前沿平衡温度发生变化而引起的过冷称为成分过冷。三、成分三、成分(chng fn)过冷过冷第89页/共137页第九十页,共137页。2006-9-7第90页/共137页第九十一页,共137页。2006-9-7界面界面(jimin)处的处的温度温度Ti为为界面界面(jimin)处的过冷度处的过冷度Tk(动力学过冷度动力学过冷度)为为固液界面固液界面(jimin)前方液体的前方液体的过冷度为过冷度为固液界面前方液相的温度为固液界面前
21、方液相的温度为第91页/共137页第九十二页,共137页。2006-9-7l成分成分(chng fn)过冷判据过冷判据第92页/共137页第九十三页,共137页。2006-9-7四、成分四、成分(chng fn)(chng fn)过冷与晶体生长形过冷与晶体生长形态的关系态的关系l 无成分无成分(chng fn)过冷过冷平面生平面生长长l狭窄过冷区狭窄过冷区 扰动扰动 胞状界面胞状界面l较宽成分较宽成分(chng fn)过冷区过冷区柱柱状树枝晶状树枝晶l宽成分宽成分(chng fn)过冷区过冷区自由自由树枝晶树枝晶 第93页/共137页第九十四页,共137页。2006-9-7第94页/共137页
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