模拟电子技术双极结型三极管及放大电路基础PPT学习教案.pptx

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1、会计学1模拟模拟(mn)电子技术双极结型三极管及放电子技术双极结型三极管及放大电路基础大电路基础第一页，共55页。4.1 半导体三极管半导体三极管BJT的结构的结构(jigu)简介简介放大状态放大状态(zhungti)下下BJT的工作原的工作原理理的的VI特性特性(txng)曲线曲线的主要参数的主要参数第1页/共55页第二页，共55页。在一块半导体基片上加工两个在一块半导体基片上加工两个PN结结,它们的物理性质它们的物理性质将发生质的变化将发生质的变化,可以制造成为可以制造成为(chngwi)三极管三极管,具有电流放大具有电流放大作用作用.双极型双极型三极管三极管第2页/共55页第三页，共55

2、页。半导体三极管半导体三极管n n外形(wi xn)第3页/共55页第四页，共55页。的结构的结构(jigu)简介简介(a)小功率管小功率管 (b)小功率管小功率管 (c)大功率管大功率管 (d)中功率管中功率管第4页/共55页第五页，共55页。结构结构结构结构(jigu)(jigu)简介简介简介简介1.1.三极管的构造核心：一块三极管的构造核心：一块三极管的构造核心：一块三极管的构造核心：一块(y kui)(y kui)有两个相有两个相有两个相有两个相互联系的互联系的互联系的互联系的PNPN结单晶；示意图如下结单晶；示意图如下结单晶；示意图如下结单晶；示意图如下第5页/共55页第六页，共55

3、页。结构结构结构结构(jigu)(jigu)简介简介简介简介1.1.NPN型型ecb符号符号集电集电区区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c基极基极(j j)b发射极发射极 eNNP第6页/共55页第七页，共55页。结构结构结构结构(jigu)(jigu)简介简介简介简介1.1.PNP型型集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c发射极发射极 e基极基极(j j)bcbe符号符号NNPPN第7页/共55页第八页，共55页。发射区的掺杂发射区的掺杂(chn z)浓浓度最高；度最高；集电区掺杂浓度集电区掺杂浓度(nngd)低于发射区，低于发射区

4、，且面积大；且面积大；基区很薄，一般基区很薄，一般(ybn)在几在几个微米至几十个微米，且掺个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。杂浓度最低。结构特点结构特点：内部条件内部条件放大状态下放大状态下BJT的工作原理的工作原理管芯结构剖面图管芯结构剖面图+第8页/共55页第九页，共55页。BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结基区很薄基区很薄(几微米几微米几十微米几十微米)发射区掺杂发射区掺杂(chn z)浓度最大浓度最大集电区的面积集电区的面积(min j)最大最大第9页/共55页第十页，共55页。NPNebc基区：较薄，基区：较薄，掺杂掺杂(chn z)浓度低浓度低

5、发射区：掺发射区：掺杂浓度杂浓度(nngd)较高较高集电区：集电区：面积面积(min j)较大较大基区：几微米基区：几微米几十微米几十微米发射区与集电区部对称发射区与集电区部对称使用中使用中e与与c不能对换。不能对换。第10页/共55页第十一页，共55页。结构结构(jigu)特特点：点：发射区的掺杂发射区的掺杂(chn z)浓度最高；浓度最高；集电区掺杂集电区掺杂(chn z)浓度低于发射区，且面积大；浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。度最低。管芯结构剖面图管芯结构剖面图第11页/共55页第十二页，共5

6、5页。2023/5/26 BJT BJT BJT BJT的结构的结构的结构的结构(jigu)(jigu)(jigu)(jigu)总结总结总结总结两种类型两种类型两种类型两种类型(lixng):NPN(lixng):NPN和和和和PNPPNP结构结构(jigu)e(Emitter)：发射极b(Base）：基极c(Collector)：集电极发射结发射结(Je)集电结集电结(Jc)基区基区发射区发射区集电区集电区三极三极:三区三区:两节两节:特点:b区薄 e区搀杂多 c区面积大e,b,cJe,Jc第12页/共55页第十三页，共55页。双结型三极管双结型三极管双结型三极管双结型三极管BJTBJT结构

7、结构结构结构(jigu)(jigu)NPNeb ce b c集电区N发射区N基区Pebc集电集电结结发射结集电极发射极基极P e b NP cPNP电路(dinl)符号N e b PN cNPN电路(dinl)符号第13页/共55页第十四页，共55页。外部外部(wib)条件条件n n发射结正偏，形成反射区的多子扩散发射结正偏，形成反射区的多子扩散发射结正偏，形成反射区的多子扩散发射结正偏，形成反射区的多子扩散n n集电结反偏，集电区收集从反射区扩散集电结边缘载流子，对于集电区集电结反偏，集电区收集从反射区扩散集电结边缘载流子，对于集电区集电结反偏，集电区收集从反射区扩散集电结边缘载流子，对于集

8、电区集电结反偏，集电区收集从反射区扩散集电结边缘载流子，对于集电区来讲属于少子的性质，来讲属于少子的性质，来讲属于少子的性质，来讲属于少子的性质，“少子少子少子少子”在反偏电压下飘移在反偏电压下飘移在反偏电压下飘移在反偏电压下飘移(pio y)(pio y)到集电区或到集电区或到集电区或到集电区或者讲被收集到集电区。者讲被收集到集电区。者讲被收集到集电区。者讲被收集到集电区。放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程三极管内有两种载流子三极管内有两种载流子(自由电子和空穴自由电子和空穴)都参与导电，故称为双极型三极管都参与导电，故称为双极型三极管BJT。第14页/共5

9、5页第十五页，共55页。外部外部(wib)条件：条件：n n发射结正偏，集电结反发射结正偏，集电结反偏偏IE=IB+IC载流子运动载流子运动载流子运动载流子运动(yndng)(yndng)的动画演示的动画演示的动画演示的动画演示只有同时满足上述内部条件和外部只有同时满足上述内部条件和外部(wib)条件下才能实现电流放条件下才能实现电流放大大电流放大作用电流放大作用第15页/共55页第十六页，共55页。电流电流电流电流(dinli)(dinli)(dinli)(dinli)分配关系分配关系分配关系分配关系n n基极基极基极基极(j j)(j j)(j j)(j j)电流传输系数电流传输系数电流传

10、输系数电流传输系数：n n集电极电流放大系数集电极电流放大系数集电极电流放大系数集电极电流放大系数：n n 和和 与管子的结构尺寸和掺杂浓度有与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关。一般关。一般 =0.9 0.99，1。是所加信号频率的函数，信号频率高是所加信号频率的函数，信号频率高到一定程度时，到一定程度时，不但数值下降，且产不但数值下降，且产生相移，使生相移，使 数值下降到数值下降到1的信号频率称的信号频率称为特征频率为特征频率fT。动画演示动画演示(ynsh)：第16页/共55页第十七页，共55页。共基极放大共基极放大(fngd)电路电路3.放大放大(fngd)作用作用若若 vI=20mV电压电

11、压(diny)放大倍数放大倍数使使 iE=-1 mA，则则 iC=iE =-0.98 mA，vO=-iC RL=0.98 V，当 =0.98 时，时，第17页/共55页第十八页，共55页。两个条件两个条件（1）内部）内部(nib)条件：发射区杂质条件：发射区杂质浓度远大于基区杂浓度远大于基区杂质浓度，且基区很质浓度，且基区很薄。薄。（2）外部条件：）外部条件：发射结正向偏置，发射结正向偏置，集电结反向偏置。集电结反向偏置。思考思考思考思考1 1：可否用两个二极管相连构成一个三极管？：可否用两个二极管相连构成一个三极管？：可否用两个二极管相连构成一个三极管？：可否用两个二极管相连构成一个三极管？

12、思考思考思考思考2 2：可否将：可否将：可否将：可否将e e和和和和c c交换使用交换使用交换使用交换使用思考思考思考思考3 3：外部：外部：外部：外部(wib)(wib)条件对条件对条件对条件对PNPPNP管和管和管和管和NPNNPN管各如何实现？管各如何实现？管各如何实现？管各如何实现？综上所述，三极管的放大综上所述，三极管的放大(fngd)作用，是依靠它作用，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。的。IE=IB+ICIC=IBIC=IE一组公式一组公式小结小结ecbNPNcbeNPP第18页/共55页第十九页，共5

13、5页。三极管的三种工作三极管的三种工作(gngzu)状态状态饱和状态饱和状态放大放大(fngd)状态状态截止截止(jizh)状态状态发射结正向偏置，集电结反向偏置发射结正向偏置，集电结反向偏置发射结正向偏置，集电结正向偏置发射结正向偏置，集电结正向偏置发射结反向偏置或者发射结正偏压低于死区电压，发射结反向偏置或者发射结正偏压低于死区电压，集电结反向偏置集电结反向偏置第19页/共55页第二十页，共55页。的的V-I 特性特性(txng)曲线曲线 iB=f(vBE)vCE=const(2)当当vCE1V时，时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收，集电结已进入反偏状态，开始收 集

14、电子，基区复合减少，同样集电子，基区复合减少，同样(tngyng)的的vBE下下 IB减小，特性曲线右移。减小，特性曲线右移。(1)当当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性时，相当于发射结的正向伏安特性(txng)曲线。曲线。1.输入特性曲线输入特性曲线（以共射极放大电路为例）（以共射极放大电路为例）共射极连接共射极连接工作在放大状态的条件：vCE1V动画演示动画演示第20页/共55页第二十一页，共55页。饱和区：特征饱和区：特征IC明显受明显受VCE控控制该区域内，一般制该区域内，一般VCE1V(硅管硅管)。即处于。即处于(chy)发射结正偏，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。集电

15、结正偏或反偏电压很小。截止区：特征截止区：特征IC接近零接近零该区域相当该区域相当IB=0的曲线的曲线(qxin)下方。下方。此时，发射结反偏或正偏电压很小，集此时，发射结反偏或正偏电压很小，集电结反偏。电结反偏。放大区：特征放大区：特征IC平行于平行于VCE轴轴该区域内，曲线该区域内，曲线(qxin)基本平基本平行等距。此时，发射结正偏，集行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。电结反偏。2.2.输出特性曲线输出特性曲线的的V-I 特性曲线特性曲线iC=f(vCE)iB=const动画演示动画演示第21页/共55页第二十二页，共55页。共射极连接共射极连接放大放大放大放大(fngd)(fngd

16、)：发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏饱和饱和饱和饱和(boh)(boh)：发射结正偏，集电结正偏：发射结正偏，集电结正偏：发射结正偏，集电结正偏：发射结正偏，集电结正偏截止截止截止截止(jizh)(jizh)：发射结反偏，集电结反偏：发射结反偏，集电结反偏：发射结反偏，集电结反偏：发射结反偏，集电结反偏倒置：发射结反偏，集电结正偏倒置：发射结反偏，集电结正偏倒置：发射结反偏，集电结正偏倒置：发射结反偏，集电结正偏临界饱和（虚线）临界饱和（虚线）临界饱和（虚线）临界饱和（虚线）第22页/共55页第二十三页，共55页。练习：测量某硅练习

17、：测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别各电极对地的电压值如下，试判别(pnbi)管子工作在什么区域。管子工作在什么区域。(1)VC6V VB0.7V VE0VVBE0.7V VCB5.3V 放大(fngd)区域(2)VC6V VB2V VE1.3VVBE0.7V VCB4V 放大(fngd)区域(3)VC6V VB6V VE5.4VVBE0.6V VCB0V 饱和区域饱和区域(3)VC6V VB6V VE5.4VVBE0.4V VCB2V 截止区域截止区域(4)VC6V VB4V VE3.6V(5)VC3.6V VB4V VE3.4VVBE0.6V VCB-0.4V 饱和区域饱和区域

18、第23页/共55页第二十四页，共55页。NpN对于对于对于对于(duy)(duy)共基极共基极共基极共基极放大：发射结正偏，集电结反偏放大：发射结正偏，集电结反偏放大：发射结正偏，集电结反偏放大：发射结正偏，集电结反偏IE=IB+IC恒流源第24页/共55页第二十五页，共55页。三极管的三种工作三极管的三种工作(gngzu)状状态态饱和状态饱和状态放大放大(fngd)状态状态截止截止(jizh)状态状态发射结正向偏置，集电结反向偏置发射结正向偏置，集电结反向偏置发射结正向偏置，集电结正向偏置发射结正向偏置，集电结正向偏置发射结反向偏置或者发射结正偏压低于死区电压，发射结反向偏置或者发射结正偏压

19、低于死区电压，集电结反向偏置集电结反向偏置第25页/共55页第二十六页，共55页。共射极连接共射极连接放大放大放大放大(fngd)(fngd)：发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏饱和饱和饱和饱和(boh)(boh)：发射结正偏，集电结正偏：发射结正偏，集电结正偏：发射结正偏，集电结正偏：发射结正偏，集电结正偏截止截止截止截止(jizh)(jizh)：发射结反偏，集电结反偏：发射结反偏，集电结反偏：发射结反偏，集电结反偏：发射结反偏，集电结反偏临界饱和临界饱和临界饱和临界饱和临界饱和（虚线）临界饱和（虚线）临界饱和（虚线）临界饱和（虚线

20、）第26页/共55页第二十七页，共55页。4.三极管的三种三极管的三种(sn zhn)组态组态共集电极接法，集电极作为共集电极接法，集电极作为(zuwi)公共电极，用公共电极，用CC表示。表示。共基极共基极(j j)接法，基极接法，基极(j j)作为公共电极，用作为公共电极，用CB表示；表示；共发射极接法共发射极接法，发射极作为公共电极，用，发射极作为公共电极，用CE表示；表示；BJT的三种组态的三种组态动画演示动画演示第27页/共55页第二十八页，共55页。前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为公共点，称为(chn wi)共射接法，相应地

21、还共射接法，相应地还有共基、共集接法。有共基、共集接法。共射直流电流放共射直流电流放(lifng)大倍数：大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流上的交流(jioli)(jioli)信号。基极电流的变化量为信号。基极电流的变化量为IBIB，相应的集电极电流变化为，相应的集电极电流变化为ICIC，则交流，则交流(jioli)(jioli)电流放大倍数为：电流放大倍数为：1.电流放大倍数电流放大倍数和和 晶体管的主要参数一节课晶体管的主要参数一节课)第28页/共55页第二十九页，共55页。例：例：VCE=6V时时：IB=40 A,IC=1

22、.5 mA；IB=60 A,IC=2.3 mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：=第29页/共55页第三十页，共55页。2.集集-基极反向截止基极反向截止(jizh)电流电流ICBO AICBOICBO是集是集电结电结反偏反偏由少由少子的子的漂移漂移形成形成的反的反向向(fn xin)电流，电流，受温受温度的度的变化变化影响。影响。第30页/共55页第三十一页，共55页。BECNNPICBOICEO=(1+)ICBO IEP ICBOICBO进入进入(jnr)N区，区，形成形成IEP根据根据(gnj)(gnj)放放大关系，由于大关系，由于ICBOICBO的存在，

23、必的存在，必有电流有电流 ICBO ICBO。集电结反集电结反偏有偏有ICBO3.集集-射极反向射极反向(fn xin)截止电流截止电流ICEOICEO受温度影响受温度影响很大，当温度上很大，当温度上升时，升时，ICEO增加增加很快，所以很快，所以IC也也相应增加。相应增加。三极三极管的温度特性较管的温度特性较差差。第31页/共55页第三十二页，共55页。4.集电极最大电流集电极最大电流(dinli)ICM集电极电流集电极电流ICIC上升上升(shngshng)(shngshng)会导致三极管会导致三极管的的值的下降，当值的下降，当值下降到正常值的三分之值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即

24、为二时的集电极电流即为ICMICM。5.集集-射极反向击穿射极反向击穿(j chun)电压电压当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCE超过一定的数值时，超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25 C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。第32页/共55页第三十三页，共55页。6.集电极最大允许集电极最大允许(ynx)功耗功耗PCM 集电极电流集电极电流IC 流过三极管，流过三极管，所发出所发出(fch)的的焦耳焦耳 热为：热为：PC=ICUCE 必定必定(bdng)导致导致结温结温 上升，所以上升，所以PC 有限制。

25、有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区第33页/共55页第三十四页，共55页。7.特征频率特征频率fT 电流放大系数下降到电流放大系数下降到1时的信号时的信号(xnho)频率频率称为特征频率。称为特征频率。第34页/共55页第三十五页，共55页。(1)集电极最大允许集电极最大允许(ynx)电流电流ICM(2)集电极最大允许集电极最大允许(ynx)功率损耗功率损耗PCM PCM=ICVCE 极限极限(jxin)(jxin)参数参数的主要参数的主要参数第35页/共55页第三十六页，共55页。练习(linx)1、优先、优先(yuxin)满足满足PC

26、=PCM2、其次、其次(qc)满足满足IC=ICMVCE=I（BR）CEO正常工作时要同时满足：电流、电压、功率都不能超过正常工作时要同时满足：电流、电压、功率都不能超过最大允许的数值最大允许的数值第36页/共55页第三十七页，共55页。半导体二极管的型号半导体二极管的型号(xngho)国家标准对半导体器件型号的命名举例国家标准对半导体器件型号的命名举例(j l)如下：如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，代表器件的类型，P为普通管，为普通管，Z为整流管，为整流管，K为开关管。为开关管。代表器件的材料，代表器件的材料，A为为N型型Ge，B为为

27、P型型Ge，C为为N型型Si，D为为P型型Si。2代表二极管，代表二极管，3代表三极管。代表三极管。2CW6.2，2CZ11，2CP10（3DG6，3DG12）第37页/共55页第三十八页，共55页。三极管的型号三极管的型号(xngho)(xngho)国家标准对半导体三极管的命名国家标准对半导体三极管的命名(mng mng)(mng mng)如下如下:3 D G 110 B3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频(dpn)小功率管、D低频(dpn)大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表

28、示器件的种类用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格用字母表示同一型号中的不同规格三极管三极管第38页/共55页第三十九页，共55页。三极管的参数三极管的参数(cnsh)(cnsh)参 数型 号 PCM mW ICM mAVR CBO VVR CEO VVR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126*83BX31C 125 125 40 246*83CG101C3CG101C 100 30 450.1 1003DG123C3DG123C 500 50 40 300.353DD101D3

29、DD101D 5A 5A 300 25042mA3DK100B3DK100B 100 30 25 150.1 3003DKG23 250W 30A 400 325 8注：*为 f 第39页/共55页第四十页，共55页。温度对温度对BJT参数参数(cnsh)及特性的影响及特性的影响(1)温度温度(wnd)对对ICBO的影响的影响温度温度(wnd)每升高每升高10，ICBO约增加一倍。约增加一倍。(2)温度对温度对 的影响的影响温度每升高温度每升高1，值约增大值约增大0.5%1%。(3)温度对反向击穿电压温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响的影响温度升高时，温度升高时，V(B

30、R)CBO和和V(BR)CEO都会有所提高。都会有所提高。2.温度对温度对BJT特性曲线的影响特性曲线的影响1.温度对温度对BJT参数的影响参数的影响温度升高使温度升高使IC增加增加第40页/共55页第四十一页，共55页。温度对晶体管特性及参数温度对晶体管特性及参数(cnsh)(cnsh)的影响的影响 一、温度一、温度(wnd)对对ICBO的影响的影响 实验证明，温度每升高实验证明，温度每升高10，ICBO增加增加(zngji)约一倍；约一倍；反之，当温度降低时反之，当温度降低时ICBO减小。另外，硅管比锗管受温减小。另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。度的影响要小得多。二、温度对输入特性的

31、影响二、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高实验证明，温度每升高1，uBE大约下降大约下降22.5mV。对特性曲线的影响如。对特性曲线的影响如图图所示。所示。第41页/共55页第四十二页，共55页。图 1 温度对晶体管输入特性(txng)的影响第42页/共55页第四十三页，共55页。三、温度三、温度(wnd)对输出特性的影响对输出特性的影响图2 温度(wnd)对晶体管输出特性的影响温度升高温度升高(shn o)1，增加增加0.51。第43页/共55页第四十四页，共55页。补充补充(bchng)：光电三极管光电三极管图3 光电三极管的等效电路、符号(fho)和外形第44页/共55页第四十五

32、页，共55页。图 光电三极管的输出特性曲线(qxin)第45页/共55页第四十六页，共55页。练习(linx)VA-9V VB-6V VC-6.2V考虑考虑(kol)发射结两端电压，锗发射结两端电压，锗管；管；A是集电极是集电极c；假定假定(jidng)：B是基极是基极b，C是发是发射极射极eVBC0.2V反偏反偏ecbNPN假设错误。假设错误。C 是基极是基极b，B是发射极是发射极ecbeNPP集电结电压为负值，集电结电压为负值，PNP型管。型管。第46页/共55页第四十七页，共55页。练习(linx)IA-2mA IB-0.04mA IC2.04mAIE=IB+ICA是集电极是集电极c，B

33、 是基极是基极(j j)b，C是发射是发射极极e。C是发射极是发射极e，IC方向方向(fngxing)流出，为流出，为NPN管。管。第47页/共55页第四十八页，共55页。如何如何(rh)判断三极管的三判断三极管的三个电极个电极方法方法(fngf)一：看、一：看、读读第48页/共55页第四十九页，共55页。如何如何(rh)判断三极管的三判断三极管的三个电极个电极方法方法(fngf)二：数字万用二：数字万用表表hFe三极管档位判断类型和各个引脚，如果插入(ch r)正确，显示 值，否则无显示值。第49页/共55页第五十页，共55页。用指针式万用表判断基极用指针式万用表判断基极 b b 和三极管的

34、类型和三极管的类型:将万用表欧姆挡置将万用表欧姆挡置 R 100 R 100 或或Rlk Rlk 处处,先假设三极管的某极为先假设三极管的某极为 基极基极,并把黑表笔接在假设的基极上并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧或约为几百欧至几千欧 ),),则假设的基极是正确的则假设的基极是正确的,且被测三极管为且被测三极管为 NPN NPN 型管；同上型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大如果两次测得的电阻值都很大(约为几千欧至几十千欧约为几千欧至几十千欧 ),),则假设的基极是

35、正确的则假设的基极是正确的,且被测三极管为且被测三极管为 PNP PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来则原来(yunli)(yunli)假设的基极是错误的假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为这时必须重新假设另一电极为 基极基极，再重复上述测试。，再重复上述测试。如何如何(rh)判断三极管的三个判断三极管的三个电极电极方法三：模拟方法三：模拟(mn)万用表万用表测量测量(机械万用表）机械万用表）第50页/共55页第五十一页，共55页。判断集电极判断集电极 c c和发射极和发射极e:e:仍将指针式万用表欧姆挡置仍将指针式万用表欧姆挡置

36、“R 100”“R 100”或或“R 1k”“R 1k”处处,以以NPNNPN管为例管为例,把黑表笔接把黑表笔接在假设的集电极在假设的集电极 c c上上,红表笔接到假设的发射极红表笔接到假设的发射极 e e上上,并用并用手捏住手捏住b b和和c c极极(不能使不能使b b、c c直接接触直接接触),),通过人体通过人体,相当相当b b、c c之间接入偏置电阻之间接入偏置电阻 ,读出表头所示的阻值读出表头所示的阻值,然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小小,说明原假设成立说明原假设成立(chngl),(chngl),因为因为c c、e e 间电阻值小说明通过间电阻值小说明通过万用表的电流大，偏置正常。万用表的电流大，偏置正常。如何如何(rh)判断三极管的三判断三极管的三个电极个电极方法方法(fngf)三：模拟万用三：模拟万用表测量表测量ecbNPN第51页/共55页第五十二页，共55页。如何如何(rh)判断三极管的三判断三极管的三个电极个电极方法三：模拟方法三：模拟(mn)万用表测万用表测量量第52页/共55页第五十三页，共55页。静态静态(jngti)工作点及稳定方工作点及稳定方法法第53页/共55页第五十四页，共55页。(a)可控硅符号(fho)（又名晶闸管）；(b)可控硅的检测第54页/共55页第五十五页，共55页。