材料微观结构晶体中的位错与层错学习教案.pptx
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1、会计学 1材料(cilio)微观结构晶体中的位错与层错第一页,共37 页。将(1-10)面躺平,原子在(1-10)面上的投影如下(rxi)图所示,“”和“”分别代表上下两层原子。图中由左上指向右下方的实线是(112)面在(1-10)面上的投影迹线。BCC(112)面各原子层的堆垛顺序是:A1A2B1B2C1C2 A1A2B1B2C1C2。第1 页/共36 页第二页,共37 页。每两个相邻的 每两个相邻的(112)(112)面的间距为 面的间距为a/6112 a/6112,但彼此相对位移一个矢量,此矢量在,但彼此相对位移一个矢量,此矢量在11-1 11-1 和 和1-10 1-10 方向 方向(
2、fngxing)(fngxing)的分量分别为 的分量分别为a/611-1 a/611-1 和 和a/21-10 a/21-10。下图表示的。下图表示的是以 是以C2 C2 表示的 表示的(112)(112)为镜面,为镜面,(1-10)(1-10)面的原子沿 面的原子沿11-1 11-1 方向 方向(fngxing)(fngxing)滑移 滑移1/611-1 1/611-1 或沿反方向 或沿反方向(fngxing)(fngxing)滑移 滑移1/3-1-11 1/3-1-11 而形成的。而形成的。第2 页/共36 页第三页,共37 页。孪晶的切变为:这和莫特1951 年在-Fe 中的观察结果(
3、ji gu)一致。第3 页/共36 页第四页,共37 页。(2)BCC 全位错的分解(fnji)与层错BCCBCC中全位错的分解中全位错的分解BCCBCC金属的滑移方向是金属的滑移方向是,全位错柏氏矢,全位错柏氏矢量为量为a/2a/2。滑移面有三种类型滑移面有三种类型110(3110(3个同族面个同族面)、112(3112(3个个)和和123(6123(6个个),它们都包含,它们都包含(bohn)(bohn)方向。这些面都方向。这些面都 会相交于一会相交于一个个方向,所以方向,所以BCCBCC会经常出现交滑移。会经常出现交滑移。电镜中会经常看到波纹状的滑移线,这说明电镜中会经常看到波纹状的滑移
4、线,这说明层错能层错能很高,扩展位错宽度很高,扩展位错宽度dd很小,一般很小,一般观察不到。至今未见这方面的报道。观察不到。至今未见这方面的报道。第4 页/共36 页第五页,共37 页。BCC 中还有一种(y zh n)次短全位错a若按下式分解:容易计算(j sun)反应前后的能量分别为a2 和3a2/2,能量升高,不可取。但下述反应可以(ky)进行:第5 页/共36 页第六页,共37 页。BCCBCC中的全位错存在中的全位错存在(cnzi)(cnzi)着分解的可着分解的可能性能性n n 即它的滑移不对称性,晶体单向压缩和同一晶向拉伸时可观察到不同的滑移面。这说明在某一滑移面上沿某一方向运动所
5、需之切应力与在此滑移面上沿相反方向运动所需之切应力是不同的。由此推测BCC 金属中全位错芯区的原子弛豫状况是不对称的。这种位错芯区弛豫不对称,说明在一定外力条件(tiojin)下,全位错仍然可能分解。第6 页/共36 页第七页,共37 页。BCCa/2 全位错的分解(fnji)n n 在 在a/2 a/2 全位错的 全位错的诸多可能分解中,从 诸多可能分解中,从能量上考虑 能量上考虑(k(k ol ol)应 应是形成 是形成a/6 a/6 不全 不全位错的那些分解。因 位错的那些分解。因为从能量上考虑 为从能量上考虑(k(k ol ol),这样的反应,这样的反应是可以自动进行的。是可以自动进行
6、的。第7 页/共36 页第八页,共37 页。BCC BCC 中 中a/2 a/2 型全位错的分解 型全位错的分解(fnji)(fnji),主要结论如下:,主要结论如下:n n 若a/6 沿112 扩展,将形成如左图所示的孪晶薄层。这时的领先位错为a/311-1,此方向正好是孪生的逆方向,原子(yunz)错排严重,层错能很高,分解将是不稳定的。第8 页/共36 页第九页,共37 页。若全位错平行于若全位错平行于111111,则为螺位错,分,则为螺位错,分解解(fnji)(fnji)可按下式进行:可按下式进行:三个 三个a/6111 a/6111 位错分别扩展到三个相交的 位错分别扩展到三个相交的
7、112 112 面上,如图 面上,如图(a)(b)(a)(b),此时,此时(c(c sh)sh)分解后的位错组态极不稳定,以致常转成非对称分 分解后的位错组态极不稳定,以致常转成非对称分布,如图 布,如图(c)(c)。第9 页/共36 页第十页,共37 页。全位错全位错a/2111a/2111在在110110上运动上运动(yndng)(yndng),可以通过下述反应完成:,可以通过下述反应完成:第10 页/共36 页第十一页,共37 页。BCC 中的层错n nBCCBCC完整晶体的完整晶体的112112堆垛顺序为堆垛顺序为A1A2B1B2C1C2A1A2A1A2B1B2C1C2A1A2,有时也
8、记,有时也记作作ABCDEFABABCDEFAB,当,当112112堆垛顺堆垛顺序发生错排时,便形成层错,分三序发生错排时,便形成层错,分三种种(sn zh(sn zhnn)情况:情况:第11 页/共36 页第十二页,共37 页。第一种情况(qngkung)参看图 参看图4-11(c)4-11(c),正常排列顺序中,正常排列顺序中,若 若C1 C1 层上面的晶体 层上面的晶体(jngt(jngt)相 相对下面晶体 对下面晶体(jngt(jngt)作 作a/611-1 a/611-1或 或a/3-1-11 a/3-1-11 位移,便产生内禀 位移,便产生内禀层错,如图 层错,如图4-14(a),
9、4-14(a),其顺序是 其顺序是A1A2B1B2C1C2C1C2A1A2B1B2C A1A2B1B2C1C2C1C2A1A2B1B2C1C2 1C2,这相当于正常顺序中插,这相当于正常顺序中插进 进C1C2 C1C2 两层。而 两层。而C2C1C2 C2C1C2 正好是 正好是一个三原子层的薄层孪晶。这 一个三原子层的薄层孪晶。这相当于 相当于FCC FCC 中的插入型层错。中的插入型层错。第12 页/共36 页第十三页,共37 页。第二种情况(qngkung)参看图 参看图4-14(b)4-14(b),若正常排列中某,若正常排列中某C1 C1 的原子 的原子(yunz(yunz)层作 层作
10、a/311-1 a/311-1 或 或a/6-1-a/6-1-11 11 滑移,此时 滑移,此时C1 C1 层变成了 层变成了A1 A1 层,以后各层顺序位错 层,以后各层顺序位错a/311-1 a/311-1 或 或a/6-1-11 a/6-1-11,就得到图 就得到图4-14(b)4-14(b)的新排列:的新排列:C1C2A1A2B1B2A1A2B1B2C1C2 C1C2A1A2B1B2A1A2B1B2C1C2,这相当于正,这相当于正常顺序中抽出了 常顺序中抽出了C1C2 C1C2,其结果是形成了四层层错,其结果是形成了四层层错A1A2B1B2 A1A2B1B2,这和,这和FCC FCC
11、的 的抽出型层错相当。抽出型层错相当。第13 页/共36 页第十四页,共37 页。第三种情况(qngkung)参看图 参看图4-11(d)4-11(d),这是,这是BCC BCC 层错的特例,也是典型的 层错的特例,也是典型的BCC BCC 孪晶排列。形 孪晶排列。形成 成(xngchng)(xngchng)过程是含中间的 过程是含中间的C2 C2 的上半部各层顺序不动,中间 的上半部各层顺序不动,中间C2 C2 以 以下各层 下各层112 112 滑移 滑移a/611-1 a/611-1 或 或a/311-1 a/311-1,于是,于是A1C1 A1C1,A2B2 A2B2,B1 B1 不
12、不动,动,B2A2 B2A2,C1A1 C1A1 最终形成 最终形成(xngchng)(xngchng)下述顺序:下述顺序:A1A2B1B2C1C2C1B2B1A2A1 A1A2B1B2C1C2C1B2B1A2A1,这就是典型的,这就是典型的BCC BCC 孪晶。孪晶。第14 页/共36 页第十五页,共37 页。3.密排六方晶体(jngt)中的层错与扩展位错n n HCP HCP 晶体中密排面是 晶体中密排面是(0001)(0001),整,整个晶体以它为基面一层一层按 个晶体以它为基面一层一层按ABABAB ABABAB 顺序堆垛,如果出 顺序堆垛,如果出现 现ABABABCABAB ABAB
13、ABCABAB,如图,如图4-4-15 15,那么其中的,那么其中的ABC ABC,CAB CAB,ABCAB ABCAB 都是错排,即层错,它 都是错排,即层错,它们 们(t men)(t men)其实相当于 其实相当于FCC FCC 的堆 的堆垛方式。垛方式。n n 正顺序:正顺序:ABC ABC,BCA BCA,CAB CABn n 逆顺序:逆顺序:CBA CBA,BAC BAC,ACB ACB第15 页/共36 页第十六页,共37 页。ABABCBABABn n 另一种情况是从正常的 另一种情况是从正常的HCP HCP 排列顺序中加入两个 排列顺序中加入两个FCC FCC 排列,如 排
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