模拟电子技术双极结型三极管及放大电路基础PPT学习教案.pptx

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1、会计学 1模拟电子技术 双极结型三极管及放大电路(dinl)基础第一页，共121页。又称半导体三极管、晶体(jngt)三极管，或简称晶体(jngt)管。(Bipolar Junction Transistor)三极管的外形(wi xn)如下图所示：三极管有两种类型(lixng)：NPN 型和 PNP 型。图 1 三极管的外形第四章 第四章 半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管及放大电路基础一、晶体管的结构简介一、晶体管的结构简介第1页/共121页第二页，共121页。图 3 三极管结构(jigu)示意图和符号NPN 型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极 c基极(j j)b发射极 e

2、NNP第四章 第四章 半导体三极管及放大 半导体三极管及放大(fngd)(fngd)电路基础 电路基础1、符号第2页/共121页第三页，共121页。集电区集电结基区发射结发射区集电极 c发射极 e基极(j j)bcbe符号NNPPN图 4 三极管结构示意图和符号(b)PNP 型第四章 第四章 半导体三极管及放大 半导体三极管及放大(fngd)(fngd)电路基础 电路基础第3页/共121页第四页，共121页。二、晶体管的电流分配与放大(fngd)作用cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部(wib)所加电源的极性来保证。不具备(jbi)放大作用第四章 第四章 半导体

3、三极管及放大电路基础 半导体三极管及放大电路基础二、晶体管的电流分配与放大作用 二、晶体管的电流分配与放大作用第4页/共121页第五页，共121页。三极管放大(fngd)的外部条件：第四章 第四章 半导体三极管及放大 半导体三极管及放大(fngd)(fngd)电路基础 电路基础（1）外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态(zhungti)（2）集电结处于反向偏置状态(zhungti)。第5页/共121页第六页，共121页。becR cR b1、晶体管内部(nib)载流子的运动I EIB多数电子在基区继续(jx)扩散，到达集电结的一侧。晶体管内部(nib)载流子的运动第四章 第四章 半导体三极

4、管及放大电路基础 半导体三极管及放大电路基础（1）发射结向基区注入电子的过程 发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区形成发射极电流 IE(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。（2）电子在基区的扩散与复合电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 IBn，复合掉的空穴由 VBB 补充。第6页/共121页第七页，共121页。becI EI BR cR b(3)集电区收集(shuj)扩散过来的电子的过程 集 电 结 反 偏，有 利 于 收 集(shuj)基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。其能量来自外接电源 VCC。I C另外(ln wi)，集电区和基区的少子在外电场的作用下

5、将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO晶体管内部(nib)载流子的运动第四章 第四章 半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管及放大电路基础第7页/共121页第八页，共121页。beceRcRb2、晶体管的电流(dinli)分配关系I EpICBOIEICIBI EnIBnI CnIE=IC+IB 图5 晶体管内部(nib)载流子的运动与外部电流第四章 第四章 半导体三极管及放大 半导体三极管及放大(fngd)(fngd)电路基础 电路基础 I E=I En+I Ep I EnIC=ICn+ICBO ICnIB=IEp+IBnICBO IBn第8页/共121页第九页，共121页。第四章 第四章 半导体三极管及放大电路 半导体三极管及放大电路(dinl)(dinl)基础 基础BJT的三种组态共发射极接法 共基极接法 共集电极接法3.三极管的三种(sn zhn)组态第9页/共121页第十页，共121页。