收音机课程设计-电子技术课程设计..doc
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1、电子技术课程设计一、 课程设计的性质、目的和任务本课程是电力类、自动化类和计算机类等专业的一门技术基础课,是电工电子学课程非常必要的实践训练环节。它的任务是使学生学完了电工电子学课程的基本理论,基本知识后,能够综合运用所学理论知识、拓宽知识面,系统的进行电子电路的工程实践训练,锻炼动手能力,培养工程师的基本技能,提高分析问题和解决问题的能力。为后续课程的学习、各类电子设计竞赛、毕业设计、乃至毕业后的工作打下良好基础。二、课程设计的基本方案、要求 本课程为实际设计和虚拟设计两个环节。实际设计应使学生学会电子系统设计的基本设计方法,包括:方案选择、框图的绘制、单元电路的设计、参数的计算和元器件的选
2、择。学会电路图的绘制,电子电路的组装与电路的调试。学会检查电路的故障与排除故障的一般方法。虚拟设计环节应使学生学会使用一种电路分析软件(EWB或PSPICES)在计算机上进行电路设计与分析的方法。要求学生所选课题应先在计算机上通过虚拟设计,确定设计方案与电路参数,并达到设计要求后,再到实验室进行实际实验。做到电路设计“虚实结合”。三、音频放大电路的设计及仿真(一)设计指标要求1、电压放大倍数:Au=1092、最大输出电压:Uo=1.18V3、频率响应:30Hz30kHz4、输入电阻:ri15k 5、失真度:2Vom+VE+VCES式中:Vom为最大输出幅度 VE为晶体管发射级电压,一般取VE=
3、13V。VCES为晶体管饱和压降,一般取VCES=1V。指标要求的最大输出电压Vo=1.2V,给定电源电压EC=12V,可以满足要求。(2)确定T2的集电极电阻R8和静态工作电流ICQ2。因为这级的输出电压比较大,为使负载得到最大幅度的电压,静态工作点应设在交流负载线的中点。如图一所示。由图可知,Q点在交流负载线的中点,因此的T2静态工作点满足下列条件。 (1-1) 因在晶体管的饱和区和截止区,信号失真很大,为了使电路不产生饱和失真和截止失真,VCEQ2应满足:VCEQ2Vom+VCES (1-2)由(1-1)式消去ICQ2并将(1-2)式代入可得:取VE=3V;VCES=1V则:取R8=6.
4、2k由(1-1)式消去VCEQ2可得:(3)确定T2发射级电阻R9:取R9=1.1k(4)确定晶体管T2:选取晶体管时主要依据晶体管的三个极限参数:BVCEO晶体管c-e间最大电压VCEmax(管子截止时c-e间电压)ICM晶体管工作时的最大电流ICmax(管子饱和时c-e回路电流)PCM晶体管工作时的最大功耗PCmax由图一可知:IC2最大值为IC2max=2ICQ2VCE的最大值VCE2max=EC根据甲类电路的特点,T2的最大功耗为:PCmax=VCEQ2ICQ2因此T2的参数应满足:BVCEOEC=24V ICM2ICQ2=5.4mA PCM VCEQ2ICQ2=7.5mW选用3DG1
5、00B,其参数为:BVCEO20V;ICM20mA;PCM400mW;满足要求。实测=100。(5)确定T2的基极电阻R6和R7在工作点稳定的电路中,基极电压VB越稳定,则电路的稳定性越好。因此,在设计电路时应尽量使流过R6和R7的IR大些,以满足IRIB的条件,保证VB不受IB变化的影响。但是IR并不是越大越好,因为IR大,则R6和R7的值必然要小,这时将产生两个问题:第一增加电源的消耗;第二使第二级的输入电阻降低,而第二级的输入电阻是第一级的负载,所以IR太大时,将使第一级的放大倍数降低。为了使VB稳定同时第二级的输入电阻又不致太小,一般计算时,按下式选取IR的值:IR=(510)IBQ
6、硅管IR=(1015)IBQ 锗管在上式中IR的选取原则对硅管和锗管是不同的,这是因为锗管的ICBO随温度变化大,将会影响基极电位的稳定,因此IR取值一般比较大。对硅管来说ICBO很小,因此IR的值可取得小些。本电路T2选用的是硅管,故取IR=5IBQ则:由图4知:取:R7=24k;R6=150k。(6)确定T1的静态工作点ICQ1;VCEQ因为第一级是放大器的输入级,其输入信号比较小,放大后的输出电压也不大。所以对于第一级,失真度和输出幅度的要求比较容易实现。主要应考虑如何减小噪声,因输入级的噪声将随信号一起被逐级放大,对整机的噪声指标影响极大。晶体管的噪声大小与工作点的选取有很大的关系,减
7、小静态电流对降低噪声是有利的,但对提高放大倍数不利。所以静态电流不能太小。在工程计算中,一般对小信号电路的输入级都不详细计算,而是凭经验直接选取: ICQ1=0.11mA 锗管 ICQ1=0.12mA 硅管 VCEQ=(23)V如果输入信号较大或输出幅度较大时不能用此方法,而应该具体计算。计算方法与计算第二级的方法相同。(7)确定T1管的集电极电阻R3,发射级电阻R4、R5:由图五知: 取:VE1=3V;VCEQ1=3V;ICQ1=0.5mA则:取:R3=36k取:R4=1k;R5=5.1k(8)选择T1管选取原则与T2相同:BVCE0Ec=24V; ICM5mA; PCM7.5mW,根据现有
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