双极结型晶体管.ppt
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1、3 3 双极结型晶体管双极结型晶体管教教 师:黄辉师:黄辉办公室:创新园大厦办公室:创新园大厦A1226A122621.1.双极结型晶体管发展历史双极结型晶体管发展历史2.2.双极结型晶体管的结构双极结型晶体管的结构3.3.双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理4.4.理想双极结型晶体管中的电流传输理想双极结型晶体管中的电流传输本章内容本章内容3.1 3.1 双极结型晶体管发展历史双极结型晶体管发展历史l1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain)l1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell L
2、ab.(Shockley)l1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley)l1956年制造出第一只硅结型晶体管-美得洲仪器公司(TI)l1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖l1956年中国制造出第一只锗结型晶体管l1970年硅平面工艺成熟,双极结型晶体管大批量生产 3.2 3.2双极结型晶体管的结构双极结型晶体管的结构(a)为理想的一维NPN双极结晶体管,(b)为(a)的 电路符号(c)为理想的一维PNP双极结晶体管,(c)为(d)的 电路符号 3.2 3.2双极结型晶体管的结构双极结型晶体管的结构硅双极晶体管结构(平面工艺)的剖面
3、图硅平面外延NPN晶体管的横截面示意图和工艺复合图 3.2 3.2双极结型晶体管的结构双极结型晶体管的结构芯片是通过以下步骤制造出来的:芯片是通过以下步骤制造出来的:1 1 衬底制备衬底制备 衬底为低阻N型硅,电阻率在 左右,沿(111)面切成厚约 的圆片,研磨抛光到表面光亮如镜。2 外延外延 外延层为N型,按电参数要求确定其电阻率及厚度。3 一次氧化一次氧化 高温生长的氧化层用来阻挡硼、磷等杂质向硅中扩散,同时也起表面钝化作用。4 光刻硼扩散窗口光刻硼扩散窗口 3.2 3.2双极结型晶体管的结构双极结型晶体管的结构芯片是通过以下步骤制造出来的:芯片是通过以下步骤制造出来的:5 5 硼扩散和二
4、次氧化硼扩散和二次氧化 硼扩散后在外延层上形成P型区,热生长的氧化层用来阻挡磷向 硅中扩散,并起钝化作用。6 6 光刻磷扩散窗口光刻磷扩散窗口 7 7 磷扩散和三次氧化磷扩散和三次氧化 磷扩散后在P型区磷杂质补偿硼而形成N+区,热氧化层用作金属与硅片间电绝缘介质。8 8 光刻发射极和基极接触孔光刻发射极和基极接触孔9 9蒸发铝蒸发铝 1010 在铝上光刻出电极图形在铝上光刻出电极图形 3.33.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理双极晶体管有四种工作模式,相应地称为四个工作区。令 分别为基极对发射极和基 极对集电极的电压。则四种 工作模式是:(1)正向有源模式:0,0;(
5、2)反向有源模式:0,0;(3)饱和模式:0,0;(4)截止模式:0,0。3.33.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理共基极连接晶体管的放大作用共基极连接晶体管的放大作用 NPN晶体管共基极放大电路3.33.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理共基极连接晶体管的放大作用共基极连接晶体管的放大作用 NPN晶体管共基极能带图 3.33.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理电流分量电流分量 放大器工作时,NPN晶体管内的工作电流分量3.33.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理电流分量电流分量 是从发射区注入到
6、基区中的电子流。是到达集电结的电子流。是基区注入电子通过基区时复合所引起的复合电流 是从基区注入到发射区的空穴电流 是发射结空间电荷区内的复合电流。是集电结反向电流,它包括集电结反向饱和电流和集电结空间电荷区产生电流。3.33.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理电流分量电流分量 为描述晶体管的增益特性引进以下物理量 发射极注射效率 基区输运因子 共基极直流电流增益 3.3 3.3双极结型晶体管的基本工作原理双极结型晶体管的基本工作原理电流增益电流增益 显然 利用(3-3)式,(3-7)式可以改写成 考虑到集电结正反两种偏压条件 的完全表达式为 3.3 3.3双极结型晶体
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- 双极结型 晶体管
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