教学课件:第三章-高频电子电路ppt超好.ppt
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1、第三章第三章高频调谐功率放大器高频调谐功率放大器3.1概述概述3.2调谐功率放大器的工作原理调谐功率放大器的工作原理3.3功率和效率功率和效率3.4调谐功率放大器的工作状态分析调谐功率放大器的工作状态分析3.5调谐功率放大器的实用电路调谐功率放大器的实用电路3.6功率晶体管的高频效应功率晶体管的高频效应3.7倍频器倍频器3.8集成高频功率放大电路及应用简介集成高频功率放大电路及应用简介 二、本章重点和难点二、本章重点和难点(一)本章重点(一)本章重点 1.1.调谐功放的用途与特点调谐功放的用途与特点(与小信号调谐放大器进行与小信号调谐放大器进行 比较比较);2.2.调谐功放的工作原理;调谐功放
2、的工作原理;3.3.功率和效率,区别五种功率和两种效率;功率和效率,区别五种功率和两种效率;4.4.工作状态工作状态(过压状态、欠压状态、临界状态过压状态、欠压状态、临界状态)和阻和阻 抗变换问题;抗变换问题;5.5.直流馈电电路;自给偏压环节直流馈电电路;自给偏压环节基流偏压与射基流偏压与射 流偏压;流偏压;6.6.倍频器。倍频器。(二)本章难点(二)本章难点 1.1.工作状态分析工作状态分析特别是过压状态;特别是过压状态;2.2.自给偏压环节;自给偏压环节;3.3.调谐功率放大器动态负载线调谐功率放大器动态负载线。一、作用一、作用 高频功率放大器是一种能量转换器件,高频功率放大器是一种能量
3、转换器件,它是将电源供给的直流能量转换为高频交它是将电源供给的直流能量转换为高频交流输出。流输出。高频功率放大器是通信系统中发送装高频功率放大器是通信系统中发送装置的重要组件。它的作用是放大信号,使置的重要组件。它的作用是放大信号,使之达到足够功率输出,以满足天线发射或之达到足够功率输出,以满足天线发射或其他负载的要求。其他负载的要求。3.1 3.1 概述概述高频功率放大器的分类(按其工作频带的宽窄划分):高频功率放大器的分类(按其工作频带的宽窄划分):窄带和宽带两种窄带和宽带两种窄带高频功率放大器:窄带高频功率放大器:通常以选频电路作为输出回路,故又称为调谐功率放通常以选频电路作为输出回路,
4、故又称为调谐功率放大器;大器;宽带高频功率放大器:宽带高频功率放大器:输出电路则是传输线变压器或其他宽带匹配电路,因输出电路则是传输线变压器或其他宽带匹配电路,因此又称为非调谐功率放大器。此又称为非调谐功率放大器。注意:注意:本章主要讨论调谐功率放大器。本章主要讨论调谐功率放大器。高频调谐功率放大器和小信号调谐放大器的异同之处:高频调谐功率放大器和小信号调谐放大器的异同之处:相同之处:相同之处:它们放大的信号均为高频信号,而且放大器的负载均它们放大的信号均为高频信号,而且放大器的负载均为谐振回路为谐振回路不同之处:不同之处:小信号调谐放大器的输入信号很小,在微伏到毫伏数量级,晶小信号调谐放大器
5、的输入信号很小,在微伏到毫伏数量级,晶体管工作于线性区,它的功率很小,但通过阻抗匹配,可以获体管工作于线性区,它的功率很小,但通过阻抗匹配,可以获得很大的功率增益(得很大的功率增益(3040db);小信号放大器一般工作在);小信号放大器一般工作在甲类状态,效率很低。甲类状态,效率很低。调谐功率放大器的输入信号很大,为几百毫伏到几伏,晶体管调谐功率放大器的输入信号很大,为几百毫伏到几伏,晶体管工作延伸到非线性区域工作延伸到非线性区域截至和饱和区。这种放大器的输出截至和饱和区。这种放大器的输出功率大,以满足天线发射或其他负载的要求,效率较高,一般功率大,以满足天线发射或其他负载的要求,效率较高,一
6、般工作在丙类状态。工作在丙类状态。高频调谐功率放大器和低频放大器的异同之处:高频调谐功率放大器和低频放大器的异同之处:相同之处:相同之处:输出功率大,效率要高。输出功率大,效率要高。不同之处:不同之处:1、工作频率与相对带宽不同。、工作频率与相对带宽不同。2、放大器的负载不同。、放大器的负载不同。低频负载:电阻、变压器。高频负载:谐振回路低频负载:电阻、变压器。高频负载:谐振回路3、放大器的工作状态不同、放大器的工作状态不同它的主要技术指标有:它的主要技术指标有:输出功率、效率和谐波抑制度(输出中的谐波分量应尽量小)等。输出功率、效率和谐波抑制度(输出中的谐波分量应尽量小)等。调谐功率放大器的
7、电子器件:调谐功率放大器的电子器件:晶体管或电子管。晶体管或电子管。1.1.输入信号强,电压在几百毫伏输入信号强,电压在几百毫伏 几伏数几伏数量级附近量级附近;2.2.为了提高放大器的工作效率,它通常为了提高放大器的工作效率,它通常工作在丙类,即晶体管工作延伸到非线工作在丙类,即晶体管工作延伸到非线性区域性区域饱和区、截止区饱和区、截止区;3.3.要求:输出功率大、效率高。要求:输出功率大、效率高。二、特点二、特点功率较低的场合一般用晶体管,功率大的场合用电子管。功率较低的场合一般用晶体管,功率大的场合用电子管。高频功率放大器因工作于大信号的非线高频功率放大器因工作于大信号的非线性状态,用解析
8、法分析较困难,故工程上普性状态,用解析法分析较困难,故工程上普遍采用近似的分析方法遍采用近似的分析方法折线法来分析其折线法来分析其工作原理和工作状态。工作原理和工作状态。三、分析方法三、分析方法3.2 3.2 调谐功率放大器的工作原理调谐功率放大器的工作原理一、电路一、电路二、折线近似分析法二、折线近似分析法直线段近似法直线段近似法三、晶体管导通的特点、导通角、三、晶体管导通的特点、导通角、余弦脉冲电流的分析余弦脉冲电流的分析四、槽路电压四、槽路电压注意注意:该电路和小信号调谐放大器的不同该电路和小信号调谐放大器的不同(bias)(bias)3.2.1电路电路各元件的作用:各元件的作用:Ec
9、是直流电源电压;是直流电源电压;Eb 是基极偏置电源电压。是基极偏置电源电压。输入信号经变压器输入信号经变压器T1 耦合到晶体管基耦合到晶体管基-射极,射极,这个信号也叫这个信号也叫激励信号激励信号。L、C 组成并联谐振回路,作为集电极负载,组成并联谐振回路,作为集电极负载,这个回路也叫这个回路也叫槽路槽路。放大后的信号通过变压器耦合到负载放大后的信号通过变压器耦合到负载 RL上以上以达到阻抗匹配的要求。达到阻抗匹配的要求。注意:注意:在实际工作中,为了节省电源,可以不加偏置,或采在实际工作中,为了节省电源,可以不加偏置,或采用自给偏压代替用自给偏压代替Eb。3.2.2晶体管特性的折线化晶体管
10、特性的折线化折线近似分析法:折线近似分析法:将电子器件的特性理想化,每条特性曲线用一组折线将电子器件的特性理想化,每条特性曲线用一组折线来代替。忽略特性曲线弯曲部分的影响,简化了电流来代替。忽略特性曲线弯曲部分的影响,简化了电流的计算,虽然精度较低,但仍可满足工程的需要。的计算,虽然精度较低,但仍可满足工程的需要。图图3-2 3-2 晶体管特性及其折线化晶体管特性及其折线化转移特性曲线:转移特性曲线:OA、AB近似近似输出特性曲线:输出特性曲线:EO、OC、CD近似近似临界线:临界线:斜线穿过每一条静态输出特性曲线的拐点临界点,斜线穿过每一条静态输出特性曲线的拐点临界点,称为临界线称为临界线临
11、界状态:临界状态:当放大器在激励电压当放大器在激励电压ube和集电极电压和集电极电压uc为最大为最大值的瞬间工作在临界点时,称为工作在临界状态;值的瞬间工作在临界点时,称为工作在临界状态;放大状态:放大状态:工作在临界线右边时,称为放大状态。工作在临界线右边时,称为放大状态。饱和状态或过压状态:饱和状态或过压状态:工作在临界线左边即坐标原点与临界线之间的任意一点时,称工作在临界线左边即坐标原点与临界线之间的任意一点时,称为工作在为工作在.临界方程:临界方程:ic=gcruce,gcr具有电导的量纲具有电导的量纲在转移特性的放大区,折线化后的在转移特性的放大区,折线化后的AB线斜率为线斜率为g(
12、约为几十至几百毫约为几十至几百毫安安/伏伏)。此时,理想静态特性可用下式表示:。此时,理想静态特性可用下式表示:折线近似分析法的优点:折线近似分析法的优点:略。略。3.2.3晶体管导通的特点、导通角晶体管导通的特点、导通角设输入信号为:设输入信号为:加到晶体管基加到晶体管基-射极电压为射极电压为:Eb基极反偏电压基极反偏电压三极管导通条件:三极管导通条件:ubEb+Uj无信号:晶体管截止无信号:晶体管截止有信号:激励信号有信号:激励信号Eb+Uj 导通导通特别注意图图3-3 3-3 折线法分析非线性电路电流电压波形折线法分析非线性电路电流电压波形注意:注意:管子只在一个周期的一小部分时间内导通
13、,故集电极电流是管子只在一个周期的一小部分时间内导通,故集电极电流是周期性的余弦脉冲。周期性的余弦脉冲。导通角:导通角:把集电极电流导通时间的一半称为集电极电流的导通角用把集电极电流导通时间的一半称为集电极电流的导通角用表示表示放大器工作在甲类:放大器工作在甲类:管子在整个周期内导通管子在整个周期内导通放大器工作在乙类:放大器工作在乙类:管子在半个周期内导通管子在半个周期内导通放大器工作在丙类:放大器工作在丙类:管子导通时间小于半个周期管子导通时间小于半个周期导通角的解:导通角的解:故:故:分析:分析:(Uj+Eb)一定,一定,激励愈强(激励愈强(Ubm),),愈大愈大Ubm一定,一定,(Uj
14、+Eb)愈强)愈强,愈小愈小3.2.4集电极余弦脉冲电流分析集电极余弦脉冲电流分析时,时,管子截止,管子截止,ic=0时,时,管子导通,管子导通,ic0即:即:-wtUces,欠压工作状态欠压工作状态uceminUces,临界工作状态临界工作状态uceminUces,放大器工作在欠压状态。,放大器工作在欠压状态。随着随着Ec减小,减小,ucemin 也减小,当也减小,当ucemin=Uces,放大器工作在临界状态。放大器工作在临界状态。Ec再减小再减小,ucemin Ec2 时,放大器工作在欠压状态;时,放大器工作在欠压状态;Ec Ec2 时,放大器工作在过压状态。时,放大器工作在过压状态。即
15、当即当Ec由大变小时,放大器的工作状由大变小时,放大器的工作状态由欠压进入过压,态由欠压进入过压,ic波形也由余弦脉冲波波形也由余弦脉冲波形变为中间出现凹陷的脉冲波。可见形变为中间出现凹陷的脉冲波。可见Ec控制控制ic波形的变化。波形的变化。图图3-11 3-11 集电极调制特性集电极调制特性 由于由于Ec控制控制ic 波形的变化,波形的变化,Ic1m、Ic0以及以及Ucm=Ic1mRc 也同样随也同样随Ec变化而变化。如图变化而变化。如图3-3-1111所示。所示。这是集电极调制特性。该特性是晶体管这是集电极调制特性。该特性是晶体管集电极调幅的理论依据。集电极调幅的理论依据。由图可见,只有在
16、过压状态由图可见,只有在过压状态Ec对对Ucm才才能有较大的控制作用,所以集电极调幅应工能有较大的控制作用,所以集电极调幅应工作在过压状态。作在过压状态。3.Eb变化对放大器工作状态的影响变化对放大器工作状态的影响基极调制特性基极调制特性 基极调制特性是指当基极调制特性是指当Ec、Ubm、Rc保持保持恒定,放大器的性能随基极偏置电压恒定,放大器的性能随基极偏置电压Eb变化变化的特性。的特性。因为因为 ,当,当Ubm一定时,一定时,ubemax随随Eb改变,从而导致改变,从而导致icmax和和 的变化。的变化。在欠压状态下,由于在欠压状态下,由于ubemax较小,所以较小,所以icmax和和 也
17、较小,从而也较小,从而Ic0、Ic1m都较小。都较小。当当Eb 增大,增大,icmax和和 也增大,从而也增大,从而Ic0和和Ic1m也随之增大,当也随之增大,当Eb 增大到一定程度,放增大到一定程度,放大器的工作状态由欠压进入过压,电流波形大器的工作状态由欠压进入过压,电流波形出现凹陷。出现凹陷。但此时,但此时,icmax和和 还会增大,所以还会增大,所以Ic0、Ic1m随着随着Eb增大略有增加。又由于增大略有增加。又由于Rc不变,所以不变,所以Ucm的变化规律与的变化规律与Ic1m一样。如图一样。如图3-12示。该特示。该特性是晶体管基极调幅的理论依据。性是晶体管基极调幅的理论依据。由图可
18、以看出,在欠压区,高频振幅由图可以看出,在欠压区,高频振幅Ucm基基本随本随Eb成线性变化,所以成线性变化,所以Eb对对Ucm有有较强的控制较强的控制作用,这就是基极调幅的工作原理。作用,这就是基极调幅的工作原理。uceic结论:结论:在在欠欠压压区区,高高频频振振幅幅Ucm基基本本随随Eb成成线线性性变变化化,所所以以Eb对对Ucm有有较较强强的的控控制制作作用用,这这就就是是基基极极调调幅幅的的工工作原理。作原理。图图3-12 3-12 基极调制特性基极调制特性4.4.Ubm变化对放大器工作状态的影响变化对放大器工作状态的影响 振幅特性振幅特性 调谐功放的振幅特性是指当调谐功放的振幅特性是
19、指当Ec、Eb、Rc保持恒定,放大器的性能随激励振幅保持恒定,放大器的性能随激励振幅Ubm变化的特性。变化的特性。因为因为 ,Eb和和Ubm决定决定了放大器的了放大器的ubemax,因此改变,因此改变 Ubm的情况和的情况和改变改变Eb的情况类似。的情况类似。图图3-13 3-13 调谐功放的振幅特性调谐功放的振幅特性由图可见:由图可见:在欠压区,高频振幅在欠压区,高频振幅Ucm基本随基本随Ubm线性变化,线性变化,所以为使输出振幅所以为使输出振幅Ucm反映输入信号反映输入信号Ubm的变化,放的变化,放大器必须在大器必须在Ubm变化范围内工作在欠压状态。变化范围内工作在欠压状态。当调谐功放用作
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