第二章电阻应变传感器资料课件.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《第二章电阻应变传感器资料课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第二章电阻应变传感器资料课件.ppt(69页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第二章第二章 电阻应变传感器电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用臀算菇灵涝都唱阂蝗做筐智觅锨赤仕柠捆润宠早荣除拈权归误唆呕观模绥第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片电阻应变传感器由弹性元件电阻应变传感器由弹性元件(Elastomer)、电阻应变片和相应、电阻应变片和相应的测量电路组成。弹性元件用于感受被测量的变化,并将被的测量电路组成。弹性元件用于感受被测量的变化,并将被测量的变化转换为弹性元件表面应变测量的变化转换为弹性元件表面应变
2、;电阻应变片粘贴在弹性电阻应变片粘贴在弹性元件上,将弹性元件的表面应变转换为应变片电阻值的变化元件上,将弹性元件的表面应变转换为应变片电阻值的变化;测量电路将应变片电阻值的变化转换为便于输出测量的电量,测量电路将应变片电阻值的变化转换为便于输出测量的电量,从而实现非电量的测量。电阻应变片是应变测量的关键元件,从而实现非电量的测量。电阻应变片是应变测量的关键元件,为适应各种领域测量的需要,可供选择的电阻应变片的种类为适应各种领域测量的需要,可供选择的电阻应变片的种类很多,但按其敏感栅材料及制作方法可分类如很多,但按其敏感栅材料及制作方法可分类如表表2-1所示。所示。一、金属电阻应变片一、金属电阻
3、应变片1.金属丝电阻应变效应金属导体在发生机械变形时,其阻值金属丝电阻应变效应金属导体在发生机械变形时,其阻值发生相应变化,即形成导体的电阻应变效应。由于发生相应变化,即形成导体的电阻应变效应。由于下一页返回逾袭舜郧降鞭嘎轿尝晓馏塑貉爬商刽搀棠改睬额琳绚时甄畔光饥爱冶素悟第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片上一页 下一页返回庄橇竖汇张眼镰隙伊旷早事漆睛孽椭沧青辆毗嘛硼亦囚据伎蛤斩姆嘻堑弗第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片式中式中称为导体的泊松比,它表示导体横向应变量与纵向应变称为导体的泊松比,它表示导体横向应变量与纵
4、向应变量成比例,式中量成比例,式中“-”号表示两者变形方向相反。号表示两者变形方向相反。将式将式(2-3)和式和式(2-4)代人式代人式(2-2),则可得,则可得令金属丝应变灵敏系数为令金属丝应变灵敏系数为其物理含义是单位纵向应变引起电阻的相对变化量。由式其物理含义是单位纵向应变引起电阻的相对变化量。由式(2-5)得得式中式中(1+2)决定于导体几何尺寸发生的变化决定于导体几何尺寸发生的变化;上一页 下一页返回使岂片显雅俩胳悯次舔瞧静闪冻耪栏上焚翠蕉谊念琉扁腕药睦鹿优复重昂第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片上一页 下一页返回植裸婶吓锻办釉坞继吝丝图镑啼矛
5、缓畏曳靠柴惩栅洁玖缮游盗戚掳虽法樱第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片2.金属丝电阻应变片结构金属丝电阻应变片结构金属丝电阻应变片的基本结构如金属丝电阻应变片的基本结构如图图2-1所示图所示图2-1中,敏感中,敏感栅是电阻应变片的敏感元件,用于感受被测量的应变。敏感栅是电阻应变片的敏感元件,用于感受被测量的应变。敏感栅是由直径约为栅是由直径约为0.025 mm、高电阻率的合金、高电阻率的合金(铜镍合金、铜镍合金、镍铬合金、铂铬合金、铂钨合金等镍铬合金、铂铬合金、铂钨合金等)电阻丝绕制而成的,栅长电阻丝绕制而成的,栅长为为L,栅宽为,栅宽为b,敏感栅静态电阻
6、值有敏感栅静态电阻值有60 ,120 ,200 等多种规格。对敏感栅的大致要求如下。等多种规格。对敏感栅的大致要求如下。(1)较大的应变灵敏系数,并在测量范围内保持为稳定。较大的应变灵敏系数,并在测量范围内保持为稳定。(2)具有高而稳定的电阻率具有高而稳定的电阻率 (3)抗氧化,耐腐蚀,且有足够的抗拉强度抗氧化,耐腐蚀,且有足够的抗拉强度 (4)加工性能好加工性能好 上一页 下一页返回锋边搜魁控嵌库至琶肠闺瞪蚀隙陕恕趋炎摄诗宾吃瘟虹房俄纂掀蓉姿桶饯第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片图图2-1中基片和覆盖层用于固定敏感栅、引线的几何形状和中基片和覆盖层用于
7、固定敏感栅、引线的几何形状和相对位置。基片多采用砧结剂和有机树脂薄膜制成,厚度为相对位置。基片多采用砧结剂和有机树脂薄膜制成,厚度为0.02-0.04 mm,它也是敏感栅与弹性元件间的绝缘层。,它也是敏感栅与弹性元件间的绝缘层。覆盖层起保护敏感栅作用,也是由砧结剂和树脂薄膜制成的。覆盖层起保护敏感栅作用,也是由砧结剂和树脂薄膜制成的。覆盖层、敏感栅和基片由砧结剂砧结在一起,并用砧结剂牢覆盖层、敏感栅和基片由砧结剂砧结在一起,并用砧结剂牢牢地砧结在弹性元件上。牢地砧结在弹性元件上。应变片的引线常用直径为应变片的引线常用直径为0.1-0.15 mm的镀锡铜线,或的镀锡铜线,或用偏带形金属导线,引线
8、与敏感栅焊接可靠,电阻率低,电用偏带形金属导线,引线与敏感栅焊接可靠,电阻率低,电阻温度系数小,抗氧化,耐腐蚀,且对外连接方便阻温度系数小,抗氧化,耐腐蚀,且对外连接方便3.金属丝电阻应变片基本特性金属丝电阻应变片基本特性 1)横向效应横向效应 上一页 下一页返回宰商遗甜厅翱套示眨本夫扮瞪芝瘫框痞杀天屿煽储刑踏葬赔储绚契缴擂涤第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片直线金属丝受纵向拉伸力时,丝上各段所感受的纵向应力直线金属丝受纵向拉伸力时,丝上各段所感受的纵向应力(Stress)应变是相同的,因而每段的伸长也是相同的,金属应变是相同的,因而每段的伸长也是相同的
9、,金属丝总电阻的增加等于各段电阻增加的总和。将金属丝绕制成丝总电阻的增加等于各段电阻增加的总和。将金属丝绕制成敏感栅后,在同样的拉伸力作用下,沿拉伸力方向的直线段敏感栅后,在同样的拉伸力作用下,沿拉伸力方向的直线段仍感受纵向拉应变而伸长仍感受纵向拉应变而伸长;但弯曲的圆弧段在感受纵向拉应变但弯曲的圆弧段在感受纵向拉应变的同时,也感受与纵向拉应变相反的横向压应变,称之为横的同时,也感受与纵向拉应变相反的横向压应变,称之为横向效应,且弯曲半径越大,横向效应越严重,致使电阻的增向效应,且弯曲半径越大,横向效应越严重,致使电阻的增加值减小,应变片灵敏系数降低。加值减小,应变片灵敏系数降低。2)机械滞后
10、机械滞后 在恒温下,应变片受力后,其内部会产生不可逆的残余变形,在恒温下,应变片受力后,其内部会产生不可逆的残余变形,致使应变电阻在加载和卸载时,出现一定的差值,致使应变电阻在加载和卸载时,出现一定的差值,上一页 下一页返回钳屋障犬捣蓑牺者网担赦驮岗褥绿奎分赁甩瓷才企近褐粥讼墨郁赖辆屿肃第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片此差值称为机械滞后此差值称为机械滞后(Hysteresis),也将引起应变片灵敏系数也将引起应变片灵敏系数下降下降 3)蠕变蠕变 应变片受恒定力作用时,应变电阻值随时间而变化,这是因应变片受恒定力作用时,应变电阻值随时间而变化,这是因为应
11、力在粘胶层中传递时出现滑动现象,胶层越厚、滑动越为应力在粘胶层中传递时出现滑动现象,胶层越厚、滑动越严重,这种现象称为蠕变,蠕变结果也将引起灵敏系数下降。严重,这种现象称为蠕变,蠕变结果也将引起灵敏系数下降。因而在应变片制作及往弹性元件上粘贴时,不但要选用同型因而在应变片制作及往弹性元件上粘贴时,不但要选用同型号优质砧结剂,而且砧结层要薄而均匀。号优质砧结剂,而且砧结层要薄而均匀。4)温漂温漂 应变片材料的电阻一般都受温度影响,温度变化引起应变片应变片材料的电阻一般都受温度影响,温度变化引起应变片电阻值变化的现象称为温漂,电阻值变化的现象称为温漂,上一页 下一页返回忆顺萍粥锈指凋阜渐译误搂擞雇
12、入殴腆摆户总挞祟遁卧安诛拄札黑模蔽玻第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片这种由于物质内部热激发所引起的热输出,通常是导致灵敏这种由于物质内部热激发所引起的热输出,通常是导致灵敏度下降的主要因素,因而在应变测量中都要采取相应的温度度下降的主要因素,因而在应变测量中都要采取相应的温度补偿措施。补偿措施。4.金属箔应变片金属箔应变片这类应变片的敏感栅是用这类应变片的敏感栅是用0.001 0.01 mm厚的金属箔厚的金属箔通过光刻技术制作成的,可以很方便地制作成各种形状的应通过光刻技术制作成的,可以很方便地制作成各种形状的应变片,常称其为应变花,如变片,常称其为应
13、变花,如图图2-2所示箔式应变片横栅较宽,所示箔式应变片横栅较宽,因而横向效应较丝式应变片小。由于箔栅的厚度远比丝栅小,因而横向效应较丝式应变片小。由于箔栅的厚度远比丝栅小,因而有较好的散热性能,允许通过较大的工作电流因而有较好的散热性能,允许通过较大的工作电流(100一一300 mA),耐压高,输出功率大,耐压高,输出功率大;同时因栅薄,柔性好,便同时因栅薄,柔性好,便于粘贴到弯曲的弹性元件表面上于粘贴到弯曲的弹性元件表面上;且粘贴面积大,且粘贴面积大,上一页 下一页返回垛殴奄趾辈崇杠预镶律唁柬证洁泣鹊洲仕诚唐光祥邪宪送沽佰肥垮豁夯台第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻
14、应变片电阻应变片能很好地跟随弹性元件的表面形变,因而应力传递性能好,能很好地跟随弹性元件的表面形变,因而应力传递性能好,蠕变和机械滞后较小。在应变测量中,箔式应变片已逐渐取蠕变和机械滞后较小。在应变测量中,箔式应变片已逐渐取代丝式应变片而占有主要位置。代丝式应变片而占有主要位置。5.金属薄膜应变片金属薄膜应变片 这类应变片的敏感栅是用真空蒸镀或溅射的方法将金属材料这类应变片的敏感栅是用真空蒸镀或溅射的方法将金属材料淀积在绝缘基片上,然后用刻蚀技术制成各种形状的栅,其淀积在绝缘基片上,然后用刻蚀技术制成各种形状的栅,其厚度比箔栅还要薄,一般在厚度比箔栅还要薄,一般在0.1m以下,其灵敏系数比箔以
15、下,其灵敏系数比箔式应变片还要高,且传递性能好,是一种很有前途的新型金式应变片还要高,且传递性能好,是一种很有前途的新型金属应变片。属应变片。二、半导体电阻应变片二、半导体电阻应变片 金属电阻应变片工作性能稳定、精度高、应用广泛,金属电阻应变片工作性能稳定、精度高、应用广泛,上一页 下一页返回岂显痔栈拽腑找绊轰专秃噶露裁隔爹奏跟径识披均困尿屯圃架郊适冲雷勃第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片至今还在不断改进和开发新型应变片,以适应工程应用的需至今还在不断改进和开发新型应变片,以适应工程应用的需要,但其主要缺点是灵敏系数小,一般为要,但其主要缺点是灵敏系数小
16、,一般为2-4。为了改善这。为了改善这一不足,一不足,20世纪世纪60年代后期,相继开发出多种类型的半导年代后期,相继开发出多种类型的半导体电阻应变片,其灵敏度可达金属应变片的体电阻应变片,其灵敏度可达金属应变片的5080倍倍,且尺且尺寸小、横向效应小、蠕动及机械滞后小寸小、横向效应小、蠕动及机械滞后小,更适用于动态测量更适用于动态测量1.半导体应变片的压阻效应半导体应变片的压阻效应 沿着半导体某晶向施加一定的压力而使其产生应变时,其电沿着半导体某晶向施加一定的压力而使其产生应变时,其电阻率将随应力改变而变化,这种现象称为半导体的压阻效应。阻率将随应力改变而变化,这种现象称为半导体的压阻效应。
17、不同类型的半导体,其压阻效应不同不同类型的半导体,其压阻效应不同;同一类型的半导体,受同一类型的半导体,受力方向不同,压阻效应也不同力方向不同,压阻效应也不同 半导体应变片的纵向压阻效应可由式半导体应变片的纵向压阻效应可由式(2-5)改写为改写为上一页 下一页返回蘸档讥粒辫畦怨张坛涉劫陕决圾爹喧庸爱越培币脑池颗你按绽慰呻亚涡元第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片式中式中半导体晶体纵向压阻系数半导体晶体纵向压阻系数;E半导体晶体弹性模量。半导体晶体弹性模量。式中式中1+2是由纵向应力而引起应变片几何形状的变化,金是由纵向应力而引起应变片几何形状的变化,金属电
18、阻应变灵敏系数主要由此项决定;属电阻应变灵敏系数主要由此项决定;E是因纵向应力所引是因纵向应力所引起的压阻效应,半导体电阻应变灵敏系数主要由起的压阻效应,半导体电阻应变灵敏系数主要由E决定,其决定,其大小一般可达大小一般可达100以上,故以上,故1+2可以忽略不计,此时可以忽略不计,此时其应变灵敏系数为其应变灵敏系数为上一页 下一页返回召肄闺虑墅遂畅魂捧廊遮罢冕默颅砸汕任体典官讫甥乖魔玉澄独蔷墩涣忠第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片由式由式(2-9)可知,半导体应变片的应变灵敏系数正比于半导体可知,半导体应变片的应变灵敏系数正比于半导体纵向压阻系数和弹性
19、模量。纵向压阻系数和弹性模量。用于制作半导体应变片的材料用于制作半导体应变片的材料有硅、锗、锑化锢、磷化稼等,但目前一般用硅和锗的杂质有硅、锗、锑化锢、磷化稼等,但目前一般用硅和锗的杂质半导体。半导体。图图2-3所示为半导体晶向示意图,硅和锗在不同晶向下具有所示为半导体晶向示意图,硅和锗在不同晶向下具有不同的压阻效系数和弹性模量,如不同的压阻效系数和弹性模量,如表表2-2所示。由表所示。由表2-2可可知,对于半导体硅,知,对于半导体硅,P型型111晶向和晶向和N型型100晶向,其电阻晶向,其电阻应变灵敏系数最大应变灵敏系数最大;对于半导体锗,无沦是对于半导体锗,无沦是P型还是型还是N型,在型,
20、在111晶向可得到最大灵敏系数从表晶向可得到最大灵敏系数从表2-2中还可看出,半导中还可看出,半导体不同晶向灵敏系数的符号有正、有负,体不同晶向灵敏系数的符号有正、有负,上一页 下一页返回卑丰码察吴犊玻找蔓饶骇廉够忧谱刘桑仗嫌插哀称拣徽枯纯妥狐亭鲁愚贡第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片一般由掺杂决定,一般由掺杂决定,P型半导体为正,型半导体为正,N型半导体为负,而金型半导体为负,而金属应变灵敏系数均为正值属应变灵敏系数均为正值2.半导体应变片基本结构半导体应变片基本结构半导体应变片由基片、敏感栅和电极引线等部分组成,如半导体应变片由基片、敏感栅和电极引线
21、等部分组成,如图图2-4所示。敏感栅由硅或锗条构成,内引线是连接敏感栅和电所示。敏感栅由硅或锗条构成,内引线是连接敏感栅和电极的金线,基片是绝缘胶膜,带状电极引线一般由康铜箔制极的金线,基片是绝缘胶膜,带状电极引线一般由康铜箔制成成 半导体应变片根据其敏感栅形成的方法不同,可分为体型、半导体应变片根据其敏感栅形成的方法不同,可分为体型、扩散型和薄膜型扩散型和薄膜型3种。体型半导体应变片的敏感栅是根据晶体种。体型半导体应变片的敏感栅是根据晶体切片制成的切片制成的;扩散型和薄膜型的敏感栅分别是利用扩散技术扩散型和薄膜型的敏感栅分别是利用扩散技术上一页 下一页返回汉刷程枉芋颈证雅袄宾卢鼎锡顽丑崖痒丹
22、豆明猿硫釜邹甫氛衫坍篡邯听选第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第一节第一节 电阻应变片电阻应变片真空蒸渡或溅射技术制成的极薄的导电膜片。真空蒸渡或溅射技术制成的极薄的导电膜片。半导体电阻应变片的主要缺点是温度稳定性差,测量较大应半导体电阻应变片的主要缺点是温度稳定性差,测量较大应变时非线性严重,在应用时要采取相应的温度补偿和非线性变时非线性严重,在应用时要采取相应的温度补偿和非线性校正措施。校正措施。上一页返回薄溅噪规要盎思堰抓牛撕拖羹杂酌各旧写网先咽桃饺骂钨脆岭缄获仰裔吞第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路在非电量检测中,由
23、机械应变所引起的电阻值变化量很小,在非电量检测中,由机械应变所引起的电阻值变化量很小,难以直接用测阻表作精确测量,故通常采用电桥将电阻变化难以直接用测阻表作精确测量,故通常采用电桥将电阻变化转换成电压或电流后放大测量。转换成电压或电流后放大测量。测量电桥根据供桥电源不同可分为直流电桥和交流电桥,应测量电桥根据供桥电源不同可分为直流电桥和交流电桥,应变电桥各桥臂是电阻,故采用直流电桥,如变电桥各桥臂是电阻,故采用直流电桥,如图图2-5所示所示 在实际应变测量时,测量电桥输出都应接高输人电阻放大器,在实际应变测量时,测量电桥输出都应接高输人电阻放大器,故可把电桥看成开路工作状态,此时按电路理沦分析
24、,可得故可把电桥看成开路工作状态,此时按电路理沦分析,可得到图到图2-5所示电桥的输出表达式为所示电桥的输出表达式为电桥投人测量之前,应将电桥调平衡,以消除电桥因不平衡电桥投人测量之前,应将电桥调平衡,以消除电桥因不平衡而产生的零漂。而产生的零漂。下一页返回冤怨螺豫含犯拼峨农纹灰轮搐蒸丑女烁确某经甩谰千抚甩娟粤纺攘瞪蹋帜第二章电阻应变传感器第二章电阻应变传感器第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路调零方法是在电桥输出端调零方法是在电桥输出端A和和C之间接一检流计,调桥臂电阻之间接一检流计,调桥臂电阻使检流计指示为使检流计指示为0,即电桥输出电流,即电桥输出电流I。=0,输出
25、电压输出电压U。=0,电桥达到平衡状态。由式,电桥达到平衡状态。由式(2-10)可知,电桥的平衡条可知,电桥的平衡条件为件为R1 R3=R2R4。应变测量电桥有应变测量电桥有3种接法,即单臂桥、半桥和全桥,下面分别种接法,即单臂桥、半桥和全桥,下面分别叙述叙述3种测量电桥的工作特性种测量电桥的工作特性一、单臂桥一、单臂桥应变片单臂测量电桥如应变片单臂测量电桥如图图2-6所示,桥臂所示,桥臂AD为工作臂,接应为工作臂,接应变片变片;R1为应变片静态电阻,为应变片静态电阻,R为工作时应变片电阻的变化为工作时应变片电阻的变化量。量。R可以是正值,称之为正应变,此时应变片承受拉应可以是正值,称之为正应
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 第二 电阻 应变 传感器 资料 课件
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内