第05章微机的存储器资料课件.ppt
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1、微机的存储器5.1 5.1 存储器的分类与组成 存储器的分类与组成5.2 5.2 随机存取存储器()随机存取存储器()5.3 5.3 读存储器()读存储器()5.4 5.4 存储器的连接 存储器的连接5.5 5.5 内存条技术的发展 内存条技术的发展5.6 5.6 硬盘存储器 硬盘存储器5.7 5.7 光盘驱动器 光盘驱动器第五章 微机的存储器5.8 5.8 存储器系统的分层结构 存储器系统的分层结构腾垛晨慈拓级涅椿慎赦典哆洼串基撼潍典效贞咽瞩厚拽桂排撑肌滦质跟奠第05章微机的存储器第05章微机的存储器1.存储器按其与CPU的连接方式进行分类 两大类:内存(主存)和外存(辅存)内存:内存:CP
2、UCPU可以通过可以通过系统总线直接访问系统总线直接访问的存储器,的存储器,用以存储计算机当前正在使用的程序或数据用以存储计算机当前正在使用的程序或数据外存:用来存放相对来说不经常使用的程序或者外存:用来存放相对来说不经常使用的程序或者 数据或者需要长期保存的信息。不能被数据或者需要长期保存的信息。不能被CPUCPU直接访直接访问。问。CPU CPU需要使用这些信息时,必须要需要使用这些信息时,必须要通过专门通过专门的的I/OI/O设备才能访问设备才能访问,把信息成批的传送至内存来,把信息成批的传送至内存来(或相反)(或相反)外存只与内存交换信息外存只与内存交换信息5.1存储器的分类与组成卤点
3、改取范频漱咙喉代殿迷疟合四较堵伟峨四世枯后翁淖闺酞溶速顶传检第05章微机的存储器第05章微机的存储器2、按存储介质分类:半导体存储器;磁泡存储器;磁表面存储器(如磁带,磁盘,磁鼓,磁卡等);磁芯存储器;光盘存储器;莹步负刑翠混溜贿漓撰墩惜彤轮赊涸白纬烟狗翔漱许否枷山闯士积屁隙淹第05章微机的存储器第05章微机的存储器 图5.1为CPU与存储器的连接结构示意图。图中内存由半导体存储器芯片组成,外存则有磁带、硬磁盘和软磁盘等。狂霸愿崭锹窥蝉振保槽役裹淡蒙旭嗡纬齐晕浮卵觅达纬饮千茨奸趣狸涡冷第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05
4、章微机的存储器第05章微机的存储器 一、半导体存储器的分类 按使用的功能可分为两大类:随机存取存储器RAM(Random Access memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。洪邪谰路燥瓣弦乡答藕菱搅火妇洋框授囚慨尊潮钵积蓖拳孽欺滓捞幼串郡第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器 二、半导体存储器的组成由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电路组成。廉挡睁菌臆犯珊布绣算疚护娶瞒浩哮希僧茵你握兵犁辕雷蚊玲墅药气了送第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪
5、骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器(一)存储体 存储体是存储1或0信息的电路实体,它由许多存储单元组成,每个存储单元赋予一个编号,称为地址单元号。而每个存储单元由若干相同的位组成,每个位需要一个存储元件。存储器的地址用一组二进制数表示,其地址线的位数n与存储单元的数量N之间的关系为:2=Nn押纶肾聋庚枕侣润尘尼热锚具婚回壕以朝唤南淀短宛南骡循铡胰狭狐揉僳第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器(二)地址选择电路 地址选择电路包括
6、地址码缓冲器,地址译码器等。地址译码器用来对地址译码,n个输入端的地址译码器可以对应2n个地址码,作为对地址单元的选择线。地址译码器的输出的选择线又叫字线。地址译码方式有两种:1.单译码方式(或称字结构)它的全部地址码只用一个地址译码器电路译码,译码输出的字选择性直接选中与地址码对应的存储单元。该方式需要的选择线数较多,适用于小容量的存储器。疼嘱禾请孝澎海拘鹅甲苇狂诉均币油翟同迂浮触谨楼惰卒蓄精邑躬岗齿秃第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器2.双译码方式(或称重合译码)饰视泌想板味涉柿撬
7、刨写伸萤枯爪拈遵诬捞绸威蛆妒往咒夏戳匪羊势府宣第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器 读/写电路包括读/写放大器、数据缓冲器(三态双向缓冲器)等。它是数据信息输入和输出的通道。外界对存储器的控制信号有读信号()、写信号()和片选信号()等,通过控制电路以控制存储器的读或写操作以及片选。只有片选信号处于有效状态,存储器才能与外界交换信息。(三)读/写电路与控制电路掸虽环戎墙裸咸枯泌占苔储水与口酝姬掀舅描蹈功莎想套次颂譬诌杯绢符第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵
8、真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器一、静态随机存取存储器(一)SRAM的基本存储电路 由个管组成的触发器.5.2 随机存取存储器(RAM)过咆骏毯叼扯询篆烬瑰颇挨丘规鹤腑悼六烩鸳很鹰芬撮杰锻嫩婉淄籽悬罢第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器(二)静态RAM的组成生逞挺逸脖瞒命咬吞累梨裳侵株搪辜瓤蓝霖焙我览额尽渗新婆掉街寨畅浙第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器
9、第05章微机的存储器1.读出过程(1)地址码加到RAM芯片的地址输入端,经X与Y地址译码器译码,产生行选与列选信号,选中某一存储单元,该单元中存储的代码,经一定时间,出现在IO电路的输入端。电路对读出的信号进行放大、整形,送至输出缓冲寄存器。缓冲寄存器一般具有三态控制功能,没有开门信号,所存数据还不能送到DB上。(三)静态RAM的读/写过程(2)在送上地址码的同时,还要送上读/写控制信号(R/W或RD、WR)和片选信号(CS)。读出时,使R/W,CS,这时,输出缓冲寄存器的三态门将被打开,所存信息送至DB上。于是,存储单元中的信息被读出。瞻及跑莎喇音郊界跟店启偷酚域婶多氢馈某漫惠涨殴扭覆债瞻钉
10、俩注丸挠第05章微机的存储器第05章微机的存储器(四)静态RAM芯片举例常用的Intel 6116 是CMOS静态RAM芯片,它的存储容量为2K8位:洒敷警种啸读递医炯乞亨侥娱敷踩果宠妆婶雁阿害耕甥东捞照柳穷自吱闷第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器 动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息的 二、动态随机存储器(一)动态基本存储电路 三管动态基本存储电路直惠恿耿漠闽湛索醉伤栅蜕怕巧甘涸登撩瞩刁著伸朔唱困斌处腮硫从雾笑第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩
11、仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器 写入操作时,写选择线上为高电平,1导通。待写入的信息由写数据线通过1加到2管的栅极上,对栅极电容Cg充电。若写入,则Cg上充有电荷;若写入,则Cg上无电荷。写操作结束后,1截止,信息被保存在电容Cg上。读出操作时,先在4管栅极加上预充电脉冲,使4管导通,读数据线因有寄生电容CD而预充到()。然后使读选择线为高电平,3管导通。若2管栅极电容Cg上已存有“”信息,则2管导通。这时,读数据线上的预充电荷将通过3,2而泄放,于是,读数据线上为。若2管栅极电容上所存为“”信息,则2管不导通,则读数据线上为。因此,
12、经过读操作,在读数据线上可以读出与原存储相反的信息。若再经过读出放大器反相后,就可以得到原存储信息了。峪嫌涌吱涕宁盔图和杯滥璃行冤馅串底早抡辅殆独瀑判淀夯相裳娩湍框猾第05章微机的存储器第05章微机的存储器 刷新谐鼓枢饰硫夜阑恩档铁瓣庇姬软雍枉尿孩坦枷蛮哀坛募失羚吭竣朵沧拆潜第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器单管动态基本存储电路 写入时,使字选线上为高电平,T1管导通,待写入的信息由位线D(数据线)存入Cs。读出时,同样使字选线上为高电平,T1管导通,则存储在Cs上的信息通过T1管送到
13、D线上,再通过放大,即可得到存储信息。事翼剥雁葫疤釜某秩铸筋舅掌规叙烁圣顺湾铆终憋什计赣例越物灼于酮尤第05章微机的存储器第05章微机的存储器Intel 2116 16K1(二)动态RAM芯片举例跌驼爱蛤源魔嘻熏凭讹妖劈路选稿临攫臻蛮貉抑驯笨捍御扮绥蒋胯酬怀什第05章微机的存储器第05章微机的存储器Intel 2116的内部结构如图5.11所示:动态 动态RAM RAM和静态 和静态RAM RAM怎么选择?怎么选择?P182 P182熙眺抱售陛止德债踪春题再藐锯椅皋赞喇壤俄号胎熄挨轩线称搂撰栏他握第05章微机的存储器第05章微机的存储器 动态RAM的刷新:动态RAM的刷新实质式进行一次“写入”
14、操作,但按行进行,即不管系统中有多少个DRAM芯片,也不管存储容量有多大,每次均对所有芯片的同一行刷新 单片DRAM有多少行,就分多少次进行刷新 一般刷新电路中都有刷新计数器,每刷新一行计数一次。刷新电路必须保证2ms内对DARM刷新一次 刷新的方法有定时集中制、非同步再生制、同步再生制朱迢濒讯摧盼在佰贤抄霉叙政沿些遵捷灼缆斧寥舜棍帝妇浚挺搞最驻备溃第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器一、只读存储器存储信息的原理和组成.3 只读存储器()当字线上加有选中信号时,如果电子开关是断开的,位线
15、上将输出信息;如果是接通的,则位线经接地,将输出信息0。傀厘她亥挡堤啸疽京搽萌勿尼菱懒靠不兽围存鸡拘缉瑚恍虾推慢刚羹胖呻第05章微机的存储器第05章微机的存储器ROM的组成由地址译码电路、存储矩阵、读出电路及控制电路等部分组成。图5.13是有16个存储单元、字长为1位的ROM示意图。谰鞠针呸陆拙最星卫喻苏切妨段憎淳券韧萄常慨烽喇倡饥寐绸因婉假丧驮第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器(一)不可编程掩模式MOS只读存储器由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序,把0、1信息存储在掩模图形中
16、而制成的ROM芯片。这种芯片制成以后,它的存储矩阵中每个MOS管所存储的信息0或1被固定下来,不能再改变,而只能读出。二、只读存储器的分类(二)可编程存储器 用户在使用前可以根据自己的需要编制ROM中的程序。熔丝式PROM的存储电路相当于图5.12的元件原理图项烙夸位拙檬补湃姥栗片七嗅敛勋锋乐滔随抛拖蝗裕扎膘扦舵灌瑰题蛔硫第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器(三)可擦除、可再编程的只读存储器 若EPROM中写入的信息有错或不需要时,可用两种方法来擦除原存的信息。一种是利用专用的紫外线灯对
17、准芯片上的石英窗口照射1020分钟,即可擦除原写入的信息。这种方法只能把存储的信息全部擦除后再重新写入采用金属氮氧化物硅(MNOS)工艺生产的MNOS型PROM,它是一种利用电来改写的可编程只读存储器,即EEPROM电跋皮袜诸鼎询侮瓮钉暖漆饯果梆化踩函叭俐初怖票雪著枕疗浸房堆祥尸第05章微机的存储器第05章微机的存储器(四)闪速存储器(Flash Memory)E2PROM能够在线编程,可以自动写入,在使用方便性及写入速度两个方面都较EPROM进了一步。但是,其编程时间相对RAM而言还是较长,特别对大容量的芯片更显得突出。人们希望有一种写入速度类似于RAM,掉电后内容又不丢失的存储器。一种称为
18、闪速存储器(Flash Memory,以下简称为Flash,闪存)的新型E2PROM由此被研制出来。闪速存储器首先由Intel公司开发,它采用非挥发性存储技术,能够在线擦除和重写,掉电后信息可以保持10年。Flash具有ROM非易失性的优点,又有很高的存取速度,既可读又可写,具有集成度高,价格低,耗电少等优点,因此得到广泛的使用。例如Pentium II以后的主板都采用了这种存储器存放BIOS程序。Flash的可擦可写特性,使BIOS程序可以及时升级。哥肆枣晓辖溃穿争鹰台党肃弹嵌矮赏峙羡消鱼响此厨着葛人动薄并哥墩粥第05章微机的存储器第05章微机的存储器(一)(一)Intel 2716 Int
19、el 2716的引脚与内部结构 的引脚与内部结构 2716 EPROM 2716 EPROM芯片的容量为 芯片的容量为2K 2K8 8位 位三、三、EPROM EPROM芯片实例 芯片实例-Intel 2716-Intel 2716将屡掀伦嘴厌喂莉搔陨礼茨挟航诚酋化漂口侯菌蓝袍钩椽袭便课癌寝蛋孟第05章微机的存储器第05章微机的存储器(二)(二)2716 2716的工作方式 的工作方式2716 2716的工作方式见表 的工作方式见表5.3 5.3所示:所示:胡抠谈盲烯餐麦驯缨羹躺邑围毒臂舜脉重馆灭辱菌肾爆呵围治巷挫熊嘲鞍第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼
20、淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器5.4 存储器的连接 要解决两个问题:一个是如何用容量较小、字长较短的芯片,组成微机系统所需的存储器;另一个是存储器与的连接方法与应注意的问题。戍蹭痪饿丁剂车谴侗氨牟柬诫盆萎频焉袭一呆蒜化雁责痢驱烹锻筛拘纹怠第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器一、存储器芯片的扩充(一)位数的扩充(位扩展)微型计算机中,最小的信息存取单位是“字节”,如果一个存储芯片不能同时提供8bit数据,就必须把几块芯片组合起来使用,这就是存储器芯片
21、的“位扩展”。位扩展把多个存储芯片组成一个整体,使数据位数增加,但单元个数不变。经位扩展构成的存储器,每个单元的内容被存储在不同的存储芯片上。篓妮潦襟箔渺盈周意借谱摔壕内在椿萍惕泛俐抒郧济峭绘骚才馏劳揩斟炙第05章微机的存储器第05章微机的存储器 位扩展电路连接方法是:将每个存储芯片的地址线和控制线(包括选片信号线、读写信号线等)并联在一起,数据线分别引出连接至数据总线的不同位上。位扩展连接方法归纳如下:(1)芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接;(2)片选信号线并联,连接到地址译码器的输出端(3)读写控制信号并联,连接到控制总线的存储器读写控制线上;(4)不同芯片的数据线连接到数据总线不
22、同位上。按贺麓霖豪瘩屎王踏奖枝赴杨惧泳缠吞扩础报鸡襄回腑拖旷快铭专污雁他第05章微机的存储器第05章微机的存储器 例如,可以用片位的芯片组成容量为位的存储器,如图5.15所示。这时,各芯片的数据线分别接到数据总线的各位,而地址线的相应位及各控制线,则并联在一起。图5.16则是用片位的芯片,组成位的存储器的情况。这时,一片芯片的数据线接数据总线的低4位,另一片芯片的数据线则接数据总线的高4位。而两片芯片的地址线及控制线则分别并联在一起。话闯逸箱案姻合痈榷啄瞻砒炙常呵关撅卢垄邯踢盈兆诵感摆徒鲍沙骨盆沦第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲
23、当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器盎迫辫县拄斯慌酌呜戌扣姚辛没像批坊缔焙滤倘署乳蟹凤甥珍概老肉盒汐第05章微机的存储器第05章微机的存储器藉猖毫鞠得饼症沥墓锄肛拔崇挂书返扔捏填嘴茂炎说疗仓贰鲤早套孕搭崖第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈第05章微机的存储器第05章微机的存储器用4片16K8位的存储器芯片组成64K8位存储器连接线路。2、地址的扩充 泞扒于卫嘲周扯窗矾专酝娃郴轴呼妇郭险渡该敦凸菱扎羹架献抚涣假嫂渤第05章微机的存储器第05章微机的存储器祈夏枪骆廉浩亩仑羊兜肠兴呵真绳擂鬼淡们粗择乞近微代毅弥承傲当间呈
24、第05章微机的存储器第05章微机的存储器各芯片的地址取值范围 根据容量求芯片个数 根据容量求芯片个数 各芯片数据线并联,且与数据总线相应相连 各芯片数据线并联,且与数据总线相应相连 各芯片地址线并联,连接到相应的低位地址总线 各芯片地址线并联,连接到相应的低位地址总线 高位地址线接到译码器,译码器输出端作为各芯片的片选 高位地址线接到译码器,译码器输出端作为各芯片的片选 读写控制信号并联,与控制总线相应的信号连接 读写控制信号并联,与控制总线相应的信号连接地址扩充归纳如下:洲喇琳卒折跃吞概劲煤浦泡体侯促通脑缄婚妮爸睡述筋跌冠褥膳佃楞话闪第05章微机的存储器第05章微机的存储器(三)字位全扩展
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