第二章双极型晶体管及其放大电路课件.ppt
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1、10 六月 2023模拟电子技术122 晶体管伏安特性曲线及参数晶体管伏安特性曲线及参数221 晶体管共发射极特性曲线晶体管共发射极特性曲线一、共发射极输出特性曲线一、共发射极输出特性曲线1.放大区2.饱和区3.截止区二、共发射极输入特性曲线二、共发射极输入特性曲线三、温度对晶体管特性曲线的影响三、温度对晶体管特性曲线的影响10 六月 2023模拟电子技术22-2-2 晶体管的主要参数晶体管的主要参数 一、电流放大系数一、电流放大系数二、极间反向电流二、极间反向电流三、三、结电容结电容四、晶体管的极限参数四、晶体管的极限参数23 晶体管直流工作状态分析及偏置电路晶体管直流工作状态分析及偏置电路
2、231晶体管的直流模型晶体管的直流模型232晶体管直流工作状态分析晶体管直流工作状态分析10 六月 2023模拟电子技术3233 放大状态下的偏置电路放大状态下的偏置电路一、固定偏流电路一、固定偏流电路二、电流负反馈型偏置电路二、电流负反馈型偏置电路三、分压式偏置电路三、分压式偏置电路24放大器的组成及其性能指标放大器的组成及其性能指标241 基本放大器的组成原则基本放大器的组成原则242 直流通路和交流通路直流通路和交流通路10 六月 2023模拟电子技术4243放大器的主要性能指标放大器的主要性能指标一、放大倍数一、放大倍数A二、输入电阻二、输入电阻 Ri三、输出电阻三、输出电阻Ro四、非
3、线性失真系数四、非线性失真系数THD五、线性失真五、线性失真25 放大器图解分析法放大器图解分析法251 直流图解分析直流图解分析252 交流图解分析交流图解分析253 直流工作点与放大器非线性失真的关系直流工作点与放大器非线性失真的关系10 六月 2023模拟电子技术526 放大器的交流等效电路分析法放大器的交流等效电路分析法261 晶体管交流小信号电路模型晶体管交流小信号电路模型一、混合一、混合型电路模型型电路模型二、低频二、低频H参数电路模型参数电路模型262 共射极放大器的交流等效电路分析法共射极放大器的交流等效电路分析法27 共集电极放大器和共基极放大器共集电极放大器和共基极放大器2
4、71共集电极放大器共集电极放大器272共基极放大器共基极放大器273 三种基本放大器性能比较三种基本放大器性能比较10 六月 2023模拟电子技术628 放大器的级联放大器的级联 281级间耦合方式级间耦合方式282级联放大器的性能指标计算级联放大器的性能指标计算283 组合放大器组合放大器一、一、CCCE和和CECC组合放大器组合放大器二、二、CECB组合放大器组合放大器作业作业10 六月 2023模拟电子技术7(1)掌握双极型晶体管的工作原理、特性和参数。)掌握双极型晶体管的工作原理、特性和参数。(2)掌握双极型晶体管的大信号和小信号模型。了)掌握双极型晶体管的大信号和小信号模型。了解模型
5、参数的含义。解模型参数的含义。(3)掌握晶体管基本放大器的组成、工作原理及性)掌握晶体管基本放大器的组成、工作原理及性能特点。能特点。(4)掌握静态工作点的基本概念和偏置电路的估算。)掌握静态工作点的基本概念和偏置电路的估算。(5)掌握图解分析方法和小信号等效电路分析方法,)掌握图解分析方法和小信号等效电路分析方法,掌握动态参数(掌握动态参数()的分析方法。)的分析方法。(6)掌握多级放大电路动态参数的分析方法。)掌握多级放大电路动态参数的分析方法。第二章第二章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路10 六月 2023模拟电子技术8ecb发射极发射极基极基极集电极集电极发射结发射结
6、集电结集电结基区基区发射区发射区集电区集电区NPNcbeNPNPNPcbe(a)NPN管的管的原理结构原理结构示意图示意图(b)电路符号电路符号2-1 双极型晶体管的工作原理双极型晶体管的工作原理Base collector emitter BJT(Bipolar Junction Transistor),简称晶体管晶体管或三极管。三极管。10 六月 2023模拟电子技术9(c)平面管结构剖面图平面管结构剖面图图图2-1 晶体管的结构与符号晶体管的结构与符号10 六月 2023模拟电子技术10结构特点结构特点 1.三区二结三区二结2.基区很薄(几个微米至几十个微米)基区很薄(几个微米至几十个微
7、米)3.e区重掺杂、区重掺杂、c区轻掺杂、区轻掺杂、b区掺杂最轻区掺杂最轻4.Sc结结Se结结10 六月 2023模拟电子技术11 2-1-1放大状态下晶体管中载流子的传输过程放大状态下晶体管中载流子的传输过程一、发射区向基区一、发射区向基区注入注入电子电子二、电子在基区中边二、电子在基区中边扩散扩散边复合边复合三、扩散到集电结的电子被集电区三、扩散到集电结的电子被集电区收集收集(发射结正偏,集电结反偏)(发射结正偏,集电结反偏)基区从厚变薄,两个基区从厚变薄,两个PN结演变为三极管,这是量结演变为三极管,这是量变引起质变的一个实例。变引起质变的一个实例。10 六月 2023模拟电子技术12图
8、图22 晶体管内载流子的运动和各极电流晶体管内载流子的运动和各极电流cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN双极型三极管的电流传输关系双极型三极管的电流传输关系.avi10 六月 2023模拟电子技术132-1-2 电流分配关系电流分配关系cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPIENICNIBICIE跨越两个跨越两个PN节,体现了放大作用节,体现了放大作用10 六月 2023模拟电子技术14 一、直流电流放大系数一、直流电流放大系数基区传输效率发射区发射效率一般cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPI
9、ENICN10 六月 2023模拟电子技术15一般cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPIENICN10 六月 2023模拟电子技术16共射、共基直流电流放大系数 、间关系10 六月 2023模拟电子技术17 若忽略 ICBO,则二、二、IC、IE、IB、三者关系三者关系:10 六月 2023模拟电子技术1822 晶体管伏安特性曲线及参数晶体管伏安特性曲线及参数全面描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。图23晶体管的三种基本接法(组态)cebiBiC输出回路输入回路(a)共发射极(Common Emitter)(b)共集电极(Common Collecter)(c)
10、共基极(Common Base)输入回路输入回路(接信号源,加入信号);输出回路输出回路(接负载,取出信号);ecbiBiEceiEiCb10 六月 2023模拟电子技术19 221 晶体管共发射极特性曲线晶体管共发射极特性曲线一、共发射极输出特性曲线一、共发射极输出特性曲线图24共发射极特性曲线测量电路 AmAVViBiCUCCUBBRCRBuBEuCE10 六月 2023模拟电子技术20图25 共射输出特性曲线共发射极接法输出特性曲线共发射极接法输出特性曲线.aviActive RegionCutoff RegionSaturation Region10 六月 2023模拟电子技术21cI
11、CeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPIENICN1.放大区(发射结正偏,集电结反偏)(1)uCE 变化时,IC 影响很小(恒流特性)(2)基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强(3)交流电流放大倍数10 六月 2023模拟电子技术22cICeIENPNIBRCUCCUBBRBb2.饱和区(发射结和集电结均处于正向偏置)E结正偏结正偏C结零偏的正向传输结零偏的正向传输(1)i B 一定时,i C 比放大时要小(2)U CE 一定时 i B 增大,i C 基 本不变C结正偏结正偏E结零偏的反向传输结零偏的反向传输内部载流子的传输过程分解为内部载流子的传输过程分解
12、为10 六月 2023模拟电子技术23临界饱和:UCE=UBE,即UCB=0(C结零偏)。饱和压降(一般饱和|深度饱和)UCE(sat)=0.5V|0.3V(小功率Si管);UCE(sat)=0.2V|0.1V(小功率Ge管)。饱和(saturation)关于饱和区的说明关于饱和区的说明10 六月 2023模拟电子技术24cICeIENPNIBRCUCCUBBRBb3.截止区(发射结和集电结均处于反向偏置)三个电极均为反向电流,所以数值很小。(1)i B=-i CBO(此时i E=0)以下称为截止区(2)工程上认为:i B=0 以下即为截止区。因为在i B=0 和i B=-i CBO 间,放大
13、作用很弱ICBOIEBO10 六月 2023模拟电子技术25 c 结结e 结结正偏正偏反偏反偏正偏正偏 反偏反偏晶体管的工作状态总结晶体管的工作状态总结饱和饱和放大放大截止截止倒置放大倒置放大10 六月 2023模拟电子技术26 二、共发射极输入特性曲线二、共发射极输入特性曲线(1)U CE=0 时,晶体管相当于两个并联二极管,i B 很大,曲线明显左移。(2)0 UCE 1 时,随着 UCE 增加,曲线右移,特别在 0 UCE1 时,曲线近似重合。10 六月 2023模拟电子技术27三、温度对晶体管特性曲线的影响三、温度对晶体管特性曲线的影响T,uBE:T,ICBO :T,:T,IC :结结
14、 论论 10 六月 2023模拟电子技术282-2-2 晶体管的主要参数晶体管的主要参数 一、电流放大系数一、电流放大系数1.共射直流放大系数反映静态时集电极电流与基极电流之比。2.共射交流放大系数反映动态时的电流放大特性。在以后的计算中,不必区分。由于 ,呈线性关系因此10 六月 2023模拟电子技术294.共基交流放大系数 3.共基直流放大系数在以后的计算中,不必区分。由于 ,呈线性关系因此10 六月 2023模拟电子技术30二、极间反向电流二、极间反向电流1 ICBO发射极开路时,集电极基极间的反向电流,称为集电极反向饱和电流。2 ICEO基极开路时,集电极发射极间的反向电流,称为集电极
15、穿透电流。3 IEBO集电极开路时,发射极基极间的反向电流。10 六月 2023模拟电子技术31三、三、结电容结电容包括发射结电容Ce 和集电结电容Cc 四、晶体管的极限参数四、晶体管的极限参数 1 击穿电压U(BR)CBO指发射极开路时,集电极基极间的反向击穿电压。U(BR)CEO指基极开路时,集电极发射极间的反向击穿电压。U(BR)CEO ICM时,虽然管子不致于损坏,但值已经明显减小。例如:3DG6(NPN),U(BR)CBO=115V,U(BR)CEO=60V,U(BR)EBO=8V。10 六月 2023模拟电子技术333 集电极最大允许耗散功率PCM PCM(Maximum Powe
16、r Dissipation)表示集电极上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。PCM与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。PCM=ICUCE10 六月 2023模拟电子技术34图27 晶体管的安全工作区 功耗线过损耗区击穿区过流区Safe Operating Area 10 六月 2023模拟电子技术3523 晶体管直流工作状态分析及偏置电路晶体管直流工作状态分析及偏置电路直流工作状态分析(静态分析)将输入、输出特性曲线线性化(即用若干直线段表示)等效电路(模型)静态:由电源引起的一种工作状态10 六月 2023模拟电子技术36(a)输入特性近似 图28晶体管伏安
17、特性曲线的折线近似uBE0iBUBE(on)0uCEiCUCE(sat)IB 0(b)输出特性近似 231晶体管的直流模型晶体管的直流模型10 六月 2023模拟电子技术37 图29晶体管三种状态的直流模型(a)截止状态模型;(b)放大状态模型;(c)饱和状态模型(b)ebcIBIBUBE(on)(a)ebc(c)ebcUBE(on)UCE(sat)10 六月 2023模拟电子技术38例例1 晶体管电路如图210(a)所示。若已知晶体管工作在放大状态,=100,试计算晶体管的IBQ,ICQ和UCEQ。ICQUCEQ270kRBUBB6VIBQUCC12VRC3k(a)电路10 六月 2023模
18、拟电子技术39(b)直流等效电路图210晶体管直流电路分析eRBUBE(on)bIBQIBQcICQUCCRCUCEQ10 六月 2023模拟电子技术40 解解 因为UBB使e结正偏,UCC使c结反偏,所以晶体管可以工作在放大状态。这时用图29(b)的模型代替晶体管,便得到图2-10(b)所示的直流等效电路。由图可知故有10 六月 2023模拟电子技术41 232晶体管工作状态分析晶体管工作状态分析RBUBBUEERERCUCC(a)电路10 六月 2023模拟电子技术42RBUBBRCUCCUEEREUBE(on)IB(b)放大状态下的等效电路10 六月 2023模拟电子技术43 图211晶
19、体管直流分析的一般性电路RBUBBRCUCCUEEREUBE(on)(c)饱和状态下的等效电路UCE(sat)10 六月 2023模拟电子技术441.先判断晶体管是否处于截止状态:则晶体管处于截止状态;2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态:晶体管工作状态的判断方法晶体管工作状态的判断方法10 六月 2023模拟电子技术45 UBB-UEE-UBE(on)=IBQRB+(1+)IBQRE方法1:则晶体管处于放大状态;则晶体管处于饱和状态;10 六月 2023模拟电子技术46方法2:则晶体管处于放大状态;则晶体管处于饱和状态;10 六月 2023模拟电子技术47晶体管处于饱和状态时:10 六
20、月 2023模拟电子技术48补充例题1电路补补充充例例题题1 晶体管电路如下图所示。已知=100,试判断晶体管的工作状态。5VRBUBBRERCUCC500K1K2K 12V10 六月 2023模拟电子技术491.先判断晶体管是否处于截止状态:晶体管不处于截止状态;2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态:UBB-UBE(on)=IBQRB+(1+)IBQRE10 六月 2023模拟电子技术50晶体管处于放大状态;10 六月 2023模拟电子技术51补充例题2电路补补充充例例题题2 晶体管电路如下图所示。已知=100,试判断晶体管的工作状态。5VRBUBBRCUCC50K2K 12V10 六
21、月 2023模拟电子技术521.先判断晶体管是否处于截止状态:晶体管不处于截止状态;2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态:UBB-UBE(on)=IBQRB10 六月 2023模拟电子技术53则晶体管不可能处于放大区,而应工作在饱和区;10 六月 2023模拟电子技术54例例2 晶体管电路及其输入电压ui的波形如图2-12(a),(b)所示。已知=50,试求ui作用下输出电压uo的值,并画出波形图。R33kUCC5VRB39kuiuo(a)电路10 六月 2023模拟电子技术55 图212例题2电路及ui,uo波形图05tuo/V0.3(c)uo波形图03tui/V(b)ui波形图10
22、六月 2023模拟电子技术56 解解当ui=0时,UBE=0,则晶体管截止。此时,ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。当ui=3V时,晶体管导通且有 而集电极临界饱和电流为 因为 10 六月 2023模拟电子技术57所以晶体管处于饱和。ICQIC(sat)=1.4mA,uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。uo波形如图212(c)所示。10 六月 2023模拟电子技术58 233 放大状态下的偏置电路放大状态下的偏置电路 一、固定偏流电路一、固定偏流电路图213固定偏流电路RBUCCRC只要合理选择RB,RC的阻值,晶体管将处于放大状态。10 六月 2023模拟电子技术59若 T,
23、则IC 导致 UC 即:电路的静态工作点Q(UCEQ,ICQ)不稳定。RBUCCRC固定偏流电路的缺点固定偏流电路的缺点10 六月 2023模拟电子技术60二、电流负反馈型偏置电路二、电流负反馈型偏置电路图214 电流负反馈型偏置电路RBUCCRCRE若 ICQIEQUEQ(=IEQRE)UBEQ(=UBQ-UEQ)IBQICQ10 六月 2023模拟电子技术61三、分压式偏置电路三、分压式偏置电路(a)电路RB1UCCRCRERB2图215分压式偏置电路兼顾UCEQ为确保UB固定I1 I2 IBQRB1、RB2的取值愈小愈好增大电源UCC的无谓损耗取I1I2UB=?10 六月 2023模拟电
24、子技术62RB1UCCRCRERB2(b)用戴维南定理等效后的电路UCCRCRERBUBB图215分压式偏置电路baRCRERB1UCCRB2ba RB=RB1RB210 六月 2023模拟电子技术63UCCRCRERBICQUBBIBQI1 I2 IBQ与等价I1 I2 IBQ当时所以10 六月 2023模拟电子技术64RB1UCCRCRERB2 UEQ(=IEQRE)ICQ分压式偏置电路如何稳定Q点?若 ICQIEQUBEQ(=UBQ-UEQ)IBQ10 六月 2023模拟电子技术65例例3 电路如图215(a)所示。已知=100,UCC=12V,RB1=39k,RB2=25k,RC=RE
25、=2k,试计算工作点ICQ和UCEQ。解解 RB1UCCRCRERB210 六月 2023模拟电子技术66若按估算法直接求ICQ,则:RB1UCCRCRERB2误差:10 六月 2023模拟电子技术6724放大器的组成及其性能指标放大器的组成及其性能指标 图216共射极放大电路RCUoVUsRsUiC1RB(UCC)C2RLUS、RS:正弦信号源电压及内阻正弦信号源电压及内阻UCC:直流电源直流电源RB:基极偏置电阻基极偏置电阻RC:集电极负载电阻集电极负载电阻RL:负载电阻负载电阻C1(C2):耦合电容耦合电容UCC10 六月 2023模拟电子技术68(1)直流偏置使放大器工作在放大区。)直
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