城市轨道交通牵引供电系统-PPT.ppt
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1、城市轨道交通牵引供电系统交通工程教研室牵引供电系统v 电力牵引系统 电力牵引系统由受流器从架空接触网或第三轨接受电能,通过车载的变流装置给安装在转向架上牵引电动机供电,将电能转换为机械能,通过齿轮传动箱和轮对,驱动动车组运行。v 供电系统 为电力牵引系统、其它电器设备提供电能。电力牵引系统设备v 牵引电机 直流牵引电机 交流牵引电机v 控制系统 电子元件:GTO、IGBT 控制模块:斩波器、逆变器、整流器直流牵引电机v 结构v 工作原理v 特点牵引电机的结构直流牵引电机原理v 转子绕组接通直流电,在磁场的作用下产生运动;电刷不动,接入转子绕组的电流在相同的磁极下是同一方向,因而转子可以向同一方
2、向运动。直流牵引电机特点v 启动性能好v 牵引特性好v 过载能力强v 功率利用充分v 控制简单v 调速范围宽交流牵引电机v 结构v 工作原理v 特点 体积小,容易制造 无换向装置,输出功率大 牵引性能好,能耗小 工作条件要求低,维修少 可简化车辆主电路牵引电机的结构v 异步牵引电动机主要由定子和转子两部分组成。定子通常是无机壳叠片形式,铁芯两端装有厚压板,压板间用拉杆或钢板固定,用电焊将压板、铁芯和拉杆等焊成一个整体。定子压板又作为转子轴承支架,通过端盖和压板的止口来固定转子部分。转子通常是鼠笼型,其绕组用铝或铜硅铝合金铸成,容量较大的牵引电动机则采用铜材料制成。由于异步牵引电动机都采用降低频
3、率起动,起动时集肤效应很小,从磁路饱和及结构简单的理由考虑,转子可以采用矩形槽。交流牵引电机原理v 当在定子绕组中施加三相交流电压时即会产生旋转磁场,如果在定子中放入鼠笼形转子,则鼠笼条就会切割旋转磁场的磁力线,鼠笼条中会流过二次电流,于是转子中会产生旋转力矩交流牵引电机特点v 考虑到变频异步电动机控制方式复杂和运行条件恶劣,异步牵引电动机结构上有如下特点。v(1)由于异步牵引电动机运行时,需承受来自线路的强烈振动,因此需采用比普通异步电动机较大的气隙(通常为1.5mm2.5mm)。v(2)定子槽型一般采用开口型,这样可以用成型绕组以获得良好的绝缘性能,增加运行的可靠性。对于选用气隙较小的电机
4、,可在定子槽口开通风槽口,这样可增加通风效果,同时还可以增加电机漏抗,减小谐波电流的影响。v(3)定、转子铁芯冲片选用0.5mm 厚的高导磁、低损耗的冷轧硅钢片,要求内、外圆同时落料,以保证气隙的均匀度。转子铁芯内孔与轴用热套固定,取消键槽配合,以满足牵引电机频繁正反起动的要求。v(4)鼠笼转子的导条与端环间的联接用感应加热银铜钎焊,对于最大转速较大的牵引电动机,可在端环外侧热套非磁性护环,以增加强度和刚度。v(5)采用耐热等级高、厚度薄的聚酰亚胺薄膜和云母带作定厂主绝缘。并通常选用C 级绝缘材料作H 级温升使用,以提高电机热可靠性。v(6)开始使用绝缘轴承,阻止由于三相电流不平衡时产生的轴电
5、流流过轴承,避免轴承受到电腐蚀,保证轴承寿命。v(7)为配合变频调速系统进行转速(差)闭环控制和提高控制精度,在电机内部应考虑装设非接触式转速检测器。v(8)为适应高速列车运行需要,异步牵引电动机大多采用全悬挂方式(或称架承式悬挂),这种悬挂方式的优点是电机的全部重量都在簧上,大大减少了冲击和振动对电机的影响。架承式电机又分为实心轴和空心轴两种传动方式。实心轴传动多用于中型牵引电动机,如德国西门子公司在地铁车辆上设计厂专用的球形万向联轴节,置于轴伸和小齿轮中间,以补偿运行中轮对和电机间相对垂直位移,避免电机承受弯矩和轴向力,延长轴承寿命。空心轴多用于电力机车用的大容量的牵引电动机,动轴两端采用
6、齿形联轴节结构,便于折装。体积小,容易制造GTOv 可关断晶闸管GT O(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。v v 普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO 的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR)
7、,只是工作频纺比GTR 低。目前,GTO 已达到3000A、4500V 的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。IGBTv IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压
8、降低。非常适合应用于直流电压为600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。v 图1 所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的
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