半导体的基础知识-PPT.ppt

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1、1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识知识目标：知识目标：1.了解半导体的分类；了解半导体的分类；2.掌握掌握P、N型半导体的性质；型半导体的性质；3.重点掌握重点掌握PN结的性质。结的性质。PN结的性质结的性质PN结的形成原理结的形成原理第第1 1讲讲教学目标教学目标教学重点教学重点教学难点教学难点能力目标：会检测能力目标：会检测PN结的性质。结的性质。半导体的基础知识一、本征半导体一、本征半导体二、杂质半导体二、杂质半导体三、三、PN结结半导体的基础知识 根据物体导电能力根据物体导电能力(电阻率电阻率)的不同，物体分为导的不同，物体分为导体、绝缘体和半导体。体、绝缘体和半导体。半导体是导

2、电能力介于导体和绝缘体之间的物体。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体。半导体的电阻率为半导体的电阻率为1010-3-310109 9 cm。典型的半导体。典型的半导体有硅有硅Si和锗和锗Ge以及砷化镓以及砷化镓GaAs等。等。半导体的特性半导体的特性:光敏特性（光敏特性（用于制作光敏电阻、二极管、三极管等用于制作光敏电阻、二极管、三极管等）热敏特性（热敏特性（用于制作电阻用于制作电阻）掺杂特性（掺杂特性（用于制作半导体器件用于制作半导体器件）。）。1、本征半导体的共价键结构2、电子空穴对 3、空穴的移动 本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体。化学成分纯净的半导体。制制造造半半导导体

3、体器器件件的的半半导导体体材材料料的的纯纯度度要要达达到到99.9999999%，常称为，常称为“九个九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。它在物理结构上呈单晶体形态。一、本征半导体 1、本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体（单晶体）。这种结构的立体和平面示意图见图1.1。图1.1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图(a)硅晶体的空间排列 (b)共价键结构平面示意图(c)2、电子空穴对、电子空穴对 当当导导体体处处于于热热力力学学

4、温温度度0K时时，导导体体中中没没有有自自由由电电子子。当当温温度度升升高高或或受受到到光光的的照照射射时时，价价电电子子能能量量增增高高，有有的的价价电电子子可可以以挣挣脱脱原原子子核核的的束缚，而参与导电，成为束缚，而参与导电，成为自由电子自由电子。自由电子产生的同时，在其原来的共价键中自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为人们常称呈现正电性的这个空位为空穴空穴。这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发

5、，也称，也称热激发热激发。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图1.2所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。图1.2 本征激发和复合的过程（动画1-1）3、空穴的移动 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。见图1.3的动画演示。（动画1-2）图1.3 空穴在晶格中的移动二、杂质半导体1.N型半导体2.P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的

6、导电性发生显著变化。掺入质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。征半导体称为杂质半导体。1.N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷、砷、锑等，在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷、砷、锑等，可形成可形成 N型半导体型半导体,也称电子型半导体。也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易挣脱原子

7、核的束缚成为自由电子。键束缚而很容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。N型半导体中自由电子是多数载流子型半导体中自由电子是多数载流子,主要由杂质原子提供主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子空穴是少数载流子,由热激发产生。由热激发产生。提供自由电子的五价杂质原子因失去一个电子带正电提供自由电子的五价杂质原子因失去一个电子带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图型半导体的结构示意图如图1.4所示。所示。图1.4 N型半导体结构示意图2.P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成在本征半导体中掺入

8、三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了了P型半导体型半导体，也称为空穴型半导体。也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。子而在共价键中留下一个空穴。P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子因得到一个电子成空穴很容易俘获电子，使杂质原子因得到一个电子成为负离子。三价杂质为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。因而也称为受主杂质。P型半导体的型半导体的结

9、构示意图如图结构示意图如图1.5所示。所示。图1.5 P型半导体的结构示意图 图1.5 P型半导体的结构示意图3.杂质对半导体导电性的影响 掺入杂掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下的影响，一些典型的数据如下:T=300 K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.41110/cm31 本征硅的原子浓度本征硅的原子浓度:4.961022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2掺杂后掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度:n=51116/cm3三、三

10、、PN结结1.PN结的形成2.PN结的单向导电性3.PN结的电容效应4.PN结的击穿特性1.PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成分别形成N型半导体和型半导体和P型半导体。此时将在型半导体。此时将在N型半型半导体和导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差因浓度差 多子的扩散运动多子的扩散运动 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内内电电场场阻阻止止多多子子扩扩散散 在交界处电子和空穴相符合形在交界处电子和空穴相符合形成由成由杂质离子形成空间

11、电荷区杂质离子形成空间电荷区 最后最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和型半导体和N型型半导体结合面，半导体结合面，由离子薄层形成由离子薄层形成的空间电荷区称的空间电荷区称为为PN结。在空间结。在空间电荷区，由于缺电荷区，由于缺少多子，所以也少多子，所以也称为耗尽层。称为耗尽层。图1.6 PN结的形成过程（动画1-3）PN 结形成结形成的过程可参阅图的过程可参阅图1.6。2.PN结的单向导电性 如果外加电压使如果外加电压使PN结中：结中：P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，区的电位，称为加正向电压，简称正偏；简称正偏；P

12、N结具有单向导电性，若外加电压使电流从结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到区流到N区，区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。是高阻性，电流小。P区的电位低于区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，区的电位，称为加反向电压，简称反偏。简称反偏。(1)PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有外加的正向电压有一部分降落在一部分降落在PN结区，结区，方向与方向与PN结内电场方向结内电场方向相反，削弱了内电场。相反，削弱了内电场。于是于是,内电场对多子扩散内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩

13、散电流远电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，漂移电流的影响，PN结结呈现低阻性。呈现低阻性。PN结加正向电压时的导电情况如图结加正向电压时的导电情况如图1.7所示。所示。（动画1-4）图1.7 PN结加正向电压时的导电情况(2)PN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内

14、电场的结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散于扩散电流，可忽略扩散电流，电流，PN结呈现高阻性。结呈现高阻性。在一定的温度条件下，在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为小无关，这个电流也称为反向饱和电流。反向饱和电流。PN结加反向电压时的导电情况如图结加反向电压时的导电情况如图1.8所示。所示。图图 1.8 PN结加反向电压时的结加反向电压时的导电情况导电情况 PN结加

15、正向电压结加正向电压时，呈现低电阻，具时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电有较大的正向扩散电流；流；PN结加反向电压结加反向电压时，呈现高电阻，具时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电有很小的反向漂移电流。由此可以得出结流。由此可以得出结论：论：PN结具有单向导结具有单向导电性。电性。（动画1-5）图 1.8 PN结加反向电压时的导电情况#3.PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。因素决定。一是势垒电容一是势垒电容CB，二是扩散电容二是扩散电容CD。(1)势垒电容势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。势垒电容是由空间电

16、荷区的离子薄层形成的。当外加电压使当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图见图意图见图1.9。图 1.9 势垒电容示意图 扩散电容是由多子扩散后，在扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面结的另一侧面积累而形成的。因积累而形成的。因PN结正偏时，由结正偏时，由N区扩散到区扩散到P区区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散

17、过来的电子就堆积在流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠区内紧靠PN结结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。(2)扩散电容扩散电容CD 反之，由反之，由P区扩散到区扩散到N区的空穴，在区的空穴，在N区内也形区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图如图1.10所示。所示。图 1.10 扩散电容示意图 当外加正向电压当外加正向电压不同时，扩散电流即不同时，扩散电流即外电路电流的大小也外电路电流的大小也就不同。所以就不同。所以PN结两结两侧堆积的多子的浓度侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这梯度分

18、布也不同，这就相当电容的充放电就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电散电容均是非线性电容。容。4.PN结的击穿特性 当加于当加于PNPN结两端的反向电压增大到一定值（击结两端的反向电压增大到一定值（击穿电压）时，二极管的反向电流将随反向电压的增穿电压）时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PNPN结容结容许的耗散功率，许的耗散功率，PNPN结一般不会损坏。结一般不会损坏。击穿击穿电击穿（可恢复）电击穿

19、（可恢复）热击穿（不可恢复）热击穿（不可恢复）击穿击穿齐纳击穿（齐纳击穿（6V），具有负温度系数），具有负温度系数雪崩击穿（雪崩击穿（6V），具有正温度系数），具有正温度系数本节小结 学完本节内容后需要掌握以下内容：学完本节内容后需要掌握以下内容：1.1.半导体的分类及特性；半导体的分类及特性；2.2.两种杂质半导体的形成及性质两种杂质半导体的形成及性质3.PN3.PN结的形成原理结的形成原理4.PN4.PN结的特性结的特性-单向导电性单向导电性5.PN5.PN结的击穿特性结的击穿特性 两种击穿：齐纳击穿（击穿电压小于两种击穿：齐纳击穿（击穿电压小于6 6伏）伏）雪崩击穿（击穿电压大于雪崩击穿（击穿电压大于6 6伏）伏）