2023年2章习题答案.pdf

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1、2 章习题答案 2 章习题答案 编辑整理：尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的，发布之前我们对文中内容进行仔细校对，但是难免会有疏漏的地方，但是任然希望（2 章习题答案）的内容能够给您的工作和学习带来便利。同时也真诚的希望收到您的建议和反馈，这将是我们进步的源泉，前进的动力。本文可编辑可修改，如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅，最后祝您生活愉快 业绩进步，以下为 2 章习题答案的全部内容。2 章习题答案 2 半导体三极管 自我检测题 一选择和填空 1。三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_,工作在饱和区时,发射结为_A_，集电

2、结为_A_。(A正向偏置，B反向偏置，C零偏置)2.NPN和 PNP型三极管的区别取决于 D。(A半导体材料硅和锗的不同，B掺杂元素的不同，C掺杂浓度的不同，DP区和 N区的位置不同)3.三极管的共射交流电流放大系数定义为IC 变化量（或IC）与IB 变化量（或IB）之比，共基交流电流放大系数定义为IC 变化量（或IC)与IE 变化量（或IE）之比。已知某三极管的0。99，那么该管的 99.4.三极管的ICBO是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；ICEO是指基 极开路时，_集电_极与_发射_极之间的穿透电流。5.随着温度升高，晶体管的穿透电流CEOI A。（A增大，B减小

3、,C不变)6对于同一个三极管来说，CBOI A CEOI；BR(CBO)V B BR(CEO)V。（A小于，B大于,C等于）7.VCE增加时，晶体管的共射极输入特性曲线_ A _,VCE达到 1V以后，输入特性曲线_C_.（A右移,B 左移，C不变）8.已知某三极管的PCM800mW，ICM500mA,，BR(CEO)V30V。若该管子在电路中工作电压VCE 10V，则工作电流IC不应超过 80 mA；若VCE1V，则IC不应超过 500 mA。若管子的工作电流IC10mA，则工作电压VCE不应超过 30 V；若IC200mA，则VCE不应超过 4 V。9.N 沟道和 P沟道场效应管的区别在于

4、 C .（A衬底材料前者为硅，后者为锗，B衬底材料前者 N型，后者为 P型,C导电沟够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 道中载流子前者为电子，后者为空穴）10.场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 小。11结型场效应管的栅源之间通常加

5、反向 偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层 SiO2绝缘层,因此栅极静态电流几乎等于零。12.图选择题 12 中,(a）电路中场效应管的类型是 N 沟道增强型绝缘栅场效应管，VDD的极性为 正；（b）电路中场效应管的类型是 N 沟道结型场效应管，VDD的极性为 正;（c）电路中场效应管的类型是 P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管，VDD的极性为 负.gggdddsss(a)(b)(c)DDVDDVDDV 图选择题 12 13。在放大状态下,双极型晶体管的发射结处于 正向 偏置,集电结处于 反向 偏置;结型场效应管的栅源之间加有 反向 偏置电压，栅漏之间加有 反向 偏置电压。1

6、4.双极型晶体管的发射极电流放大系数反映了 基 极电流对 集电 极电流的控制能力；而单极型场效应管常用 跨导 gm 参数反映 栅源电压对 漏极电流 的控制能力。15。场效应管的 栅 极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远 大 于共射放大电路的输入电阻。16结型场效应管利用半导体器件的 内部 电场效应进行工作,MOSFET利用半导体器件的 表面 电场效应进行工作。17双极型晶体管从结构上可以分成_NPN和 PNP 两种类型，工作时有 多子 和 少子两种载流子参与导电。场效应管从结构上可以分成 结型 和 绝缘栅型 两大类型，因导电沟道的不够给您的工作和学习带来便利同时也真诚

7、的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 同每一大类又可分为 N 沟道 和 P 沟道 两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于 多数 载流子的运动。二判断题（正确的在括号内画,错误的画）1NPN型和 PNP型三极管都有三个电极、两个 PN 结，正常工作时外加电压的要求相同.（）2三极管工作在放大状态时，集电极电流是由多子漂移形成的。（）3三极管具有

8、两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来,也能具有放大能力。（）4。三极管的外部电流关系是BCii，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。（）5三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。(）6测出某三极管的共基电流放大系数小于 1，表明该管子没有放大能力.（）7由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。（）8。只要是硅三极管,无论是 NPN还是 PNP型，正常工作时，发射结的工作电压BEv都为 0.7V左右。(）9。三极管的共射电流放大系数和共基直流电流放大系数之间的关系为)1(。（）10三极管的ICEO大约为ICBO的（1+）倍。(）11场效应

9、管的优点是有很高的输入电阻。（)12绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。（）13 耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小 （）14用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的输入电阻比后者大。（）15.小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换（）；双极型晶体管具有NPN或 PNP对称结构,所以发射极和集电极也可以互换。（）够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电

10、结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 16.场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。（）17N沟道结型场效应管的GSv越负,Di越小,GSv不可为正(）；N沟道增强型绝缘栅场效应管的GSv也一样。（）18场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大。（）19场效应管是电压控制器件，GSmDvgi，这是个线性方程,所以它是线性器件.（）20场效应管的输出电阻特别高。（）习题 2.1 在三极管放大电路中,测得三个三极管的各个电极的对地静态电位如图题 2.1 所示,试判断各三极管的类型（

11、NPN、PNP、硅、锗）,并注明电极 e、b、c 的位置。2.7V (c )5V 2V -1.3V 4.3V 2V 5V -5V -1V (a)(b)图题 2.1 解:（a）图为 NPN型硅三极管，左起 e、b、c;（b）图为 PNP型硅三极管,左起 c、b、e；（c）图为 PNP型锗三极管,左起 c、e、b。2。2 用直流电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图题 2.2 所示，试判断这些三级管分别处于什么状态。够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工

12、作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案(1)(3)(2)(5)0V 0V +6V +6V -0.7V -12.7V -9.2V -18V -12V -3V -8.5V +12V +3V +5.3V +5.7V (4)图题 2.2 解:(1）NPN管,VVBE7.0,发射结正偏置,VVBC6,集电结反偏置,放大（2）PNP管，VVBE7.0,发射结正偏置，VVBC3.5,集电结反偏置，放大(3）NPN管，VVBE7.0,发射结反偏置，截止（4）NPN管,VVBE3，发射结电压过高，损坏（5P

13、NP管，VVBE7.0，发射结正偏置,VVBC4.0,集电结正偏置，饱和 2.3 在某放大电路中有两只三极管.测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如图题 2。3（a）、（b）所示.（1)标出另一个电极中的电流大小和方向;（2）判断管子类型（NPN、PNP),表明电极 e、b、c 的位置；(3）估算管子的值。5mA(a)(b)6mA6.1mA0.1mA121233 图题 2。3 解:（a)由 KCL得另一电极的电流为（50.1）=4.9mA，流入,管子类型为 NPN，对应于e、c、b，491.09.4。（b）由 KCL得另一电极的电流为 6。1-6=0。1mA，流出，管子类型为 PNP，对

14、应于 c、够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 b、e，601.06。2.4 某大功率三极管的输出特性如图题2.4 所示，试求出该管子的、ICEO、VBR(CEO)和PCM。236vCEV=120mA80mA100mA60mA51440mA100iCAIB20mA2030405060=5mAIC0mA 图题 2.4

15、 解:50201AmAIIBC 98.01 ICEO5Am VBR（CEO)65V PCM150=50W 2。5 定性画出图题2.5 两种场效应管的转移特性曲线,并说明曲线与横坐标交点的含义。iDiDddggsvGSvGS(b)(a)s 图题 2。5 解：（a）为 N沟道结型 FET,（b）为 N沟道增强型 MOSFET。够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基

16、交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 vGS(a)0iDvGS(b)0iDVPVT 2。6 已知场效应管的输出特性如图题 2。6 所示.试求管子的下列参数：（1）夹断电压PV或开启电压TV；（2）饱和漏极电流DSSI或DOI(3）V4GSv时的漏源击穿电压BR(DS)V;（4）V10DSv、mA3Di附近时的跨导mg.0vDSiDvGS=6V5.5V5V4.5V4V/mA2465101520/V3V 图题2.6 解：N沟道增强型 MOSFET（1)开启电压TV=3V（2)TGSVv2=6V时，IDO5.5mA （3）V4GSv时的漏源击穿电压BR(DS)V18V （4)作出转移特性曲线

17、如下图示,找到mA3Di附近的两个vGS（5V、5。5V）对应的iD值，相比即得:0vDSiDvGS=6V5.5V5V4.5V4V/mA2465101520/V3V0vGSiD5V4V/mA246/V3V6V33.82.4 gmGSDVI55.54.28.3mS 2。8mS 够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 2

18、。7 图题 2.7 所示是三种不同类型的场效应管的转移特性曲线，试判断它们各属于什么类型的场效应管。iDvGS(a)(b)dgs(c)ovGSvGSooiDiDiDvGS 图题 2.7 解：（a）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管（b）P沟道结型场效应管(c)P 沟道增强型绝缘栅场效应管 2.8 在由一个双极型晶体管和一个 MOS场效应管组成的共射和共源放大电路中，测得 T1和T2管的各电极对地静态电位如图题 2.8 所示，试判断 T1和 T2管的类型,用相应的管子符号填入图中.T1T2-0.7V-6V-0.7V 图题 2。8 解：T1为 PNP型三极管,发射极接地，基极电位为-0.7V;T2为 MO

19、S场效应管，源极接地,栅极电位为-0.7V，可能是 N沟道耗尽型、P 沟道耗尽型或 P沟道增强型，但栅源电压只有 0.7V，达不到 P沟道增强型 MOSFET 的开启电压，所以，这个管子是 N（P)沟道耗尽型 MOSFET。够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或2 章习题答案 T1T2或T2 够给您的工作和学习带来便利同时也真诚的希望收到您的建议和反馈这将是我们进步的源泉前进的动力本文可编辑可极管章习题答案自我检测题一选择和填空三极管工作在放大区时发射结为集电结为工作在饱和区时发射结为集电结为区的位置不同三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量或与变化量或之比共基交流电流放大系数定义为变化量或