大学物理实验报告模板范本..docx

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1、大学物理试验报告 热敏电阻热敏电阻是阻值对温度变化格外敏感的一种半导体电阻， 具有很多独特的优点和用途，在自动掌握、无线电子技术、遥控技术及测温技术等方面有着广泛的应用。本试验通过用电桥法来争论热敏电阻的电阻温度特性，加深对热敏电阻的电阻温度特性的了解。关键词：热敏电阻、非平衡直流电桥、电阻温度特性1、引言热敏电阻是依据半导体材料的电导率与温度有很强的依靠关系而制成的一种器件，其电阻温度系数一般为(-0.003+0.6)-1。因此，热敏电阻一般可以分为: 、负电阻温度系数(简称NTC)的热敏电阻元件常由一些过渡金属氧化物(主要用铜、镍、钴、镉等氧化物)在肯定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作

2、为根本材料制成的，近年还有单晶半导体等材料制成。国产的主要是指MF91MF96 型半导体热敏电阻。由于组成这类热敏电阻的上述过渡金属氧化物在室温范围内根本已全部电离，即载流子浓度根本上与温度无关，因此这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要考虑迁移率与温度的关系，随着温度的上升，迁移率增加，电阻率下降。大多应用于测温控温技术，还可以制成流量计、功率计等。16、正电阻温度系数(简称PTC)的热敏电阻元件常用钛酸钡材料添加微量的钛、钡等或稀土元素承受陶瓷工艺，高温烧制而成。这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要依靠于载流子浓度，而迁移率随温度的变化相对可以无视。载流子数目随温度的上升呈指数增加，载流子数目越

3、多，电阻率越小。应用广泛，除测温、控温，在电子线路中作温度补偿外，还制成各类加热器，如电吹风等。2、试验装置及原理【试验装置】FQJ型教学用非平衡直流电桥，FQJ 非平衡电桥加热试验装置(加热炉内置 MF51 型半导体热敏电阻(2.7k)以及控温用的温度传感器)，连接线假设干。【试验原理】依据半导体理论，一般半导体材料的电阻率 和确定温度之间的关系为式中 a 与b 对于同一种半导体材料为常量，其数值与材料的物理性质有关。因而热敏电阻的电阻值 可以依据电阻定律写为式中 为两电极间距离， 为热敏电阻的横截面。对某一特定电阻而言， 与b 均为常数，用试验方法可以测定。为了便于数据处理，将上式两边取对

4、数，则有上式说明 与呈线，在试验中只要测得各个温度 以及对应的电阻 的值，以 为横坐标， 为纵坐标作图，则得到的图线应为直线，可用图解法、计算法或最小二乘法求出参数 a、b 的值。热敏电阻的电阻温度系数 下式给出。从上述方法求得的b 值和室温代入式(14)，就可以算出室温时的电阻温度系数。热敏电阻 在不同温度时的电阻值，可由非平衡直流电桥测得。非平衡直流电桥原理图如右图所示，B、D 之间为一负载电阻 ，只要测出 ，就可以得到 值。当负载电阻 ，即电桥输出处于开路状态时， =0，仅有电压输出，用 表示，当 时，电桥输出 =0，即电桥处于平衡状态。为了测量的准确性，在测量之前，电桥必需预调平衡，这

5、样可使输出电压只与某一臂的电阻变化有关。假设R1、R2、R3 固定，R4 为待测电阻，R4 = RX，则当R4R4+R 时，因电桥不平衡而产生的电压输出为：(15)在测量MF51 型热敏电阻时，非平衡直流电桥所承受的是立式电桥 ， 且 ，则(16)式中R 和 均为预调平衡后的电阻值，测得电压输出后， 通过式(16)运算可得R，从而求的 =R4+R。3、热敏电阻的电阻温度特性争论依据表一中MF51 型半导体热敏电阻(2.7k)之电阻温度特性争论桥式电路，并设计各臂电阻 R 和 的值，以确保电压输出不会溢出(本试验 =1000.0， =4323.0)。依据桥式，预调平衡，将“功能转换”开关旋至“电

6、压“位置，按下G、B 开关，翻开试验加热装置升温，每隔2测 1个值，并将测量数据列表(表二)。MF51 型半导体热敏电阻(2.7k)之电阻温度特性温度 25 30 35 40 45 50 55 60 65电阻 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748非平衡电桥电压输出形式(立式)测量MF51 型热敏电阻的数据i 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10温度t 10.4 .4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.428.4热力学T K 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4297

7、.4 299.4 301.40.0 -.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -6.4-144.40.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -4.8 -1451.9 -1630.1-1815.4 -1977.94323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.12692.9 2507.6 2345.1依据表二所得的数据作出 图，如右图所示。运用最小二乘法计算所得的线性方程为 ，即MF51 型半导体热敏电阻(2.7k)的电阻温度特性的数学表达式为 。4、试验结果误差通过试验所得的MF51 型半

8、导体热敏电阻的电阻温度特性的数学表达式为 。依据所得表达式计算出热敏电阻的电阻 温度特性的测量值，与表一所给出的参考值有较好的全都性，如下表所示：表三 试验结果比较温度 25 30 35 40 45 50 55 60 65参考值RT 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868748测量值RT 2720 2238 1900 1587 1408 32 1074 939 823相对误差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.1810.00从上述结果来看，根本在试验误差范围之内。但我们可以清楚的觉察，随着温度的上升，电阻值变小，

9、但是相对误差却在变大，这主要是由内热效应而引起的。5、内热效应的影响在试验过程中，由于利用非平衡电桥测量热敏电阻时总有肯定的工作电流通过，热敏电阻的电阻值大，体积小，热容量小， 因此焦耳热将快速使热敏电阻产生稳定的高于外界温度的附加 内热温升，这就是所谓的内热效应。在准确测量热敏电阻的温度特性时，必需考虑内热效应的影响。本试验不作进一步的争论和探讨。6、试验小结通过试验，我们很明显的可以觉察热敏电阻的阻值对温度的变化是格外敏感的，而且随着温度上升，其电阻值呈指数关系下降。因而可以利用电阻温度特性制成各类传感器，可使微小的温度变化转变为电阻的变化形成大的信号输出，特别适于高精度测量。又由于元件的体积小，外形和封装材料选择性广，特别适于高温、高湿、振动及热冲击等环境下作温湿度传感器，可应用与各种生产作业，开发潜力格外大。