多晶硅片国家级标准.docx
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1、GB/T 200中华人民共和国国家标准GB/T 200ICS 29.045H 80太阳能级多晶硅块争论稿中华人民共和国国家技术监视检验检疫总局公布200-公布200-实施IGB/T 200太阳能级多晶硅块1 范围本标准规定了太阳能级多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规章以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于利用定向熔铸技术所生产切割而形成的,用于切割制备多晶硅片的多晶硅块。2 标准性引用文件以下文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件,其随后全部的修改单不包括订正的内容或均不适用于本标准,然而鼓舞依据本标准达成协议的各方争论是否可使用这些文件的最版本。
2、但凡不注日期的引用文件,其最版本适用于本标准。GB 191包装储运图示标志GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1552硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T 1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸取测量方法GB/T 1558测定硅单晶体中代位碳含量的红外吸取方法GB/T 4061硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法GB/T 14264半导体材料术语SEMI MF1389-0704号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法3 术语定义、符号及缩略语GB
3、/T 14264确立的术语和定义适用于本标准。微晶:产品外表小范围内密集型的晶格排布。4 分类4.1 外形尺寸分类产品按外形尺寸长宽分为125mm125mm和156mm156mm或由供需双方商定规格。5 要求5.1 外观要求太阳能级多晶硅块外观要求无可视裂纹、崩边、崩块、缺口;5.2 性能太阳能级多晶硅块性能要求具体见表1,在表1中未列出的规格要求由供需双方商定;2表1工程要求电阻率, cm1.03.0导电类型P 型少数载流子寿命裸测最小值,氧浓度,atoms/cm3s211018碳浓度,atoms/cm351017Fe、Cr、Ni、Cu、Zn基体金属杂质,ppmw硼浓度磷浓度TMI(Tota
4、l metal impurities)总金属杂质含量:10.300.405.3 构造及外表质量5.3.1 太阳能级多晶硅块中不允许消灭氧化夹层;5.3.2 太阳能级多晶硅块IR 检测结果不行消灭阴影、杂质、裂纹、微晶;5.3.3 太阳能级多晶硅块外表粗糙度Ra0.2 m;5.3.4 太阳能级多晶硅块几何尺寸偏差不超过0.5mm。6 试验方法6.1 太阳能级多晶硅块的外观检验用目测检查;6.2 太阳能级多晶硅块电阻率检验按GB/T 1552 或 GB/T 6616 进展;6.3 太阳能级多晶硅块导电类型检验按GB/T 1550 进展;6.4 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命检验按GB/T 1553
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