半导体集成电路的分类.docx
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半导体集成电路的分类半导体集成电路的分类方法有许多种,其中一种是以集成度的凹凸作为分类标准。所 谓集成度是指单片集成电路上所集成的元器件数目,巨大规模集成电路或称极大规模集成 电路(GLSI)是这种分类方法下目前集成度最高的一类电路的总称,GLSI的集成度大于 109o1948年美国贝尔试验室的W . Shockley等创造了晶体管,使元器件小型化和高集成 化得以快速进展。自1958年第一块半导体集成电路诞生以来,集成电路的进展进程甚为 快速,从整体来看,可以分为这几个阶段:小/中规模集成电路(SSI/MSI)阶段;大规模集成(LSI)阶段。这阶段的主流工艺为MOS工艺;超大规模集成电路(VLSI X这个阶段的工艺从3pm NMOS进展到lpm CMOS ;甚大规模集成电路(ULSI X在这个阶段,工艺从CMOS转向BICMOS , DRAM达 到兆位,特征尺寸进展到0.15pm ,从亚微米进入到深亚微米直至纳米;巨大规模集成电路或称极大规模集成电路(GLSI X特征尺寸达到65 45nm ,集成 度超过109o下表为集成电路规模的划分规章。
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