测试技术复习资料传感器第四章考试重点.docx
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《测试技术复习资料传感器第四章考试重点.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《测试技术复习资料传感器第四章考试重点.docx(49页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、测试技术复习资料传感器第四章考试重点测试技术复习资料传感器第四章考试重点 本文关键词:复习资料,第四章,传感器,重点,测试测试技术复习资料传感器第四章考试重点 本文简介:测试技术传感器第四章题型小结一、选择题1.电涡流式传感器是利用什么材料的电涡流效应工作的。(A)A.金属导电B.半导体C.非金属D.2.为消退压电传感器电缆分布电容改变对输出灵敏度的影响,可采纳(B)。A.电压放大器B.电荷放大器C.前置放大器D.电容放大器3.磁电式肯定振动速度传感器的数学模型是一测试技术复习资料传感器第四章考试重点 本文内容:测试技术传感器第四章题型小结一、选择题1.电涡流式传感器是利用什么材料的电涡流效应
2、工作的。(A)A.金属导电B.半导体C.非金属D.2.为消退压电传感器电缆分布电容改变对输出灵敏度的影响,可采纳(B)。A.电压放大器B.电荷放大器C.前置放大器D.电容放大器3.磁电式肯定振动速度传感器的数学模型是一个(B)。A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节D.高阶环节4.磁电式肯定振动速度传感器的测振频率应(A)其固有频率。A.远高于B.远低于C.等于D.不肯定5.随着电缆电容的增加,压电式加速度计的输出电荷灵敏度将(C)。A.相应减小B.比例增加C.保持不变D.不确定6.压电式加速度计,其压电片并联时可提高(B)。A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度D.保持不变7.调频式
3、电涡流传感器的解调电路是(C)。A.整流电路B.相敏检波电路C.鉴频器D.包络检波电路8.压电式加速度传感器的工作频率应当(C)其固有频率。A.远高于B.等于C.远低于D.没有要求9.下列传感器中哪个是基于压阻效应的?(B)A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻D.磁敏电阻10.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的(B)成正比。A.位移B.速度C.加速度D.频率11.石英晶体沿机械轴受到正应力时,则会在垂直于(B)的表面上产生电荷量。A.机械轴B.电轴C.光轴D.晶体表面12.石英晶体的压电系数比压电陶瓷的(C)。A.大得多B.相接近C.小得多D.不确定13.光敏晶体管的工作原理是基于
4、(B)效应。A.外光电B.内光电C.光生电动势D.光热效应14.一般来说,物性型的传感器,其工作频率范围(A)。A.较宽B.较窄C.较高D.不确定15.金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对改变主要由(B)来确定的。A.贴片位置的温度改变B.电阻丝几何尺寸的改变C.电阻丝材料的电阻率改变D.电阻丝材料长度的改变16.电容式传感器中,灵敏度最高的是(C)。A.面积改变型B.介质改变型C.极距改变型D.不确定17.极距改变型电容传感器相宜于测量微小位移量是因为(B)A.电容量微小影响灵敏度B.灵敏度与极距的平方成反比,间距改变大则产生非线性误差C.非接触测量D.两电容极板之间距离改变小18.高
5、频反射式涡流传感器是基于(A)和集肤效应来实现信号的感受和改变的。A.涡电流B.纵向C.横向D.压电19.压电材料按肯定方向放置在交变电场中,其几何尺寸将随之发生改变,这称为(D)效应。A.压电B.压阻C.压磁D.逆压电20.下列传感器中,能量转换型传感器是(A)A.光电式B.应变片C.电容式D.电感式21.测试工作的任务主要是从困难的信号中提取(C)A.干扰噪声信号B.正弦信号C.有用信息D.频域信号22.压电式传感器是属于(B)型传感器A.参量型B.发电型C.电感型D.电容型23.莫尔条纹光栅传感器是(B)的A.数字脉冲式B.干脆数字编码式C.调幅式D.调频式24.磁电式肯定振动速度传感器
6、的动态数学模型是(C)A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节D.积分环节25.电涡流传感器是利用被测(A)的电涡流效应A.金属导电材料B.非金属材料C.PVF2D.陶瓷材料26.当电阻应变片式传感器拉伸时,该传感器电阻(A)A.变大B.变小C.不变D.不定27.极距改变型电容传感器的灵敏度与(D)A.极距成正比B.极距成反比C.极距的平方成正比D.极距的平方成反比28.压电式加速度传感器的工作频率应(C)其固有频率A.远高于B.等于C.远低于D.不确定29.调频式电涡流传感器的解调电路是(C)A.电荷放大器B.相敏检波器C.鉴频器D.鉴相器30.高频反射式电涡流传感器,其等效阻抗分为等效电阻R和
7、等效电感L两部分,M为互感系数。当线圈与金属板之间距离削减时,上述等效参数改变为(B)A.R减小,L不变,M增大B.R增大,L减小,M增大C.R减小,L增大,M减小D.R增大,L增大,M增大31.为消退压电传感器联接电缆分布电容改变对输出灵敏度的影响,可采纳(B)A.电压放大器B.电荷放大器C.相敏检波器D.鉴相器32.在测量位移的传感器中,符合非接触式测量且不受油污等介质影响的是(D)传感器A.电容式B.压电式C.电阻式D.电涡流式33.半导体热敏电阻随温度上升,其阻值(B)A.上升B.下降C.保持不变D.变为034.为使电缆的长短不影响压电式传感器的灵敏度,应选用(B)放大器A.电压B.电
8、荷C.微分D.积分35.涡流式位移传感器的输出与被测对象的材料(C)A.无关B.不确定C.有关D.只限于测铜37.自感型传感器的两线圈接于电桥的相邻桥臂时,其输出灵敏度(B)A.提高许多倍B.提高一倍C.降低一倍D.降低许多倍38.变间隙式电容传感器测量位移量时,传感器的灵敏度随(A)而增大A.间隙的减小B.间隙的增大C.电流的增大D.电压的增大40.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的(C)成正比A.位移B.速度C.加速度D.时间41.压电式传感器是高阻抗传感器,要求前置放大器的输入阻抗(A)A.很大B.很低C.不变D.随意42.半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比(A)A.半导
9、体应变片的灵敏度高B.二者相等C.电阻应变片的灵敏试验高D.不能确定43.若石英晶体沿机轴受到正应力,则会在垂直于(C)的面上产生电荷A.机轴B.电轴C.光轴D.都不44.压电式传感器是个高内阻传感器,因此要求前置放大器的输入阻抗(B)A.很低B.很高C.较低D.较高45.极距改变型电容式传感器,其灵敏度与极距(D)A.成正比B.平方成正比C.成反比D.平方成反比46.随电缆电容的增加,压电式加速度计的输出电荷灵敏度(A)A相应减小B比例增加C保持不变D不确定47.压电式加速度计,其压电片并联可提高(B)A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度D.电流灵敏度48.(B)的基本工作原理是
10、基于压阻效应A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻D.压电陶瓷49.可变磁阻式电感传感器,当线圈匝数N及铁芯截面积0确定后,原始气隙0越小,则电感L(B)A.越小B.满意不失真条件C.阻抗匹配D.越大50.压电晶体式传感器其测量电路常采纳(B)A.电压放大器B.电荷放大器C.电流放大器D.功率放大器二、填空题1.涡流式传感器的变换原理是利用金属导体在沟通磁场中的。感应电动势2.磁电式传感器是把被测物理量转换为的一种传感器。涡电流效应3.将压电晶体置于外电场中,其几何尺寸也会发生改变,这种效应称之为。逆压电效应4.利用电阻随温度改变的特点制成的传感器叫。热电阻传感器5.可用于实现非接触式测量
11、的传感器有和等。涡流式;电容式6.电阻应变片的灵敏度表达式为,对于金属应变片来说:S=,而对于半导体应变片来说S=。7.当测量较小应变值时应选用效应工作的应变片,而测量大应变值时应选用效应工作的应变片。压阻效应;应变效应8.电容器的电容量,极距改变型的电容传感器其灵敏度表达式为。9.差动变压器式传感器的两个次级线圈在连接时应。反相串接10.光电元件中常用的有、和。光敏电阻;光敏晶体管;光电池11.压电传感器在运用放大器时,其输出电压几乎不手电缆长度改变的影响。电荷12.超声波探头是利用压电片的效应工作的。逆压电13.压电传感器中的压电片并联时可提高灵敏度,后接放大器。而串联时可提高灵敏度,应后
12、接放大器。电荷;电压;电压;电压14.电阻应变片的电阻相对改变率是与成正比的。应变值15.电容式传感器有、和3种类型,其中型的灵敏度最高。面积改变型;极距改变型;介质改变型;极距改变型16.霍尔元件是利用半导体元件的特性工作的。霍尔效应17.按光纤的作用不同,光纤传感器可分为和两种类型。功能型;传光型三、名词说明1.一块金属板置于一只线圈旁边,相互间距为,当线圈中有一高频交变电流通过时,便产生磁通。此交变磁通通过邻近金属板,金属板表层上产生感应电流即涡电流,涡电流产生的磁场会影响原线圈的磁通,使线圈的阻抗发送改变,这种现象称为涡流效应。2.某些物质在受到外力作用时,不仅几何尺寸发生改变,而且内
13、部极化,表面上有电荷出现,出现电场,当外力去除后,有重新复原到原来状态,这种现象成为压电效应。3.金属材料在发朝气械变形时,其阻值发生改变的现象成为电阻应变效应。4.将霍尔元件置于磁场中,当相对的两端通上电流时,在另相对的两端将出现电位差,称为霍尔电势,此现象称为霍尔效应。5.当激光照耀到运动物体时,被物体反射或散射的光频率即多普勒频率发生改变,且多普勒频率与物体运动速度成比例,这种现象称为多普勒效应。6.某些半导体元件,当在相对的两端通上电流时,将引起沿电流方向电阻的改变,此现象称为磁阻效应。7.传感器是干脆作用于被测量,并能按肯定规律将被测量转换成同种或别种量值输出的器件。8.半导体材料受
14、到光照时,电阻值减小的现象称为内光电效应。9.压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时,其电阻率发生改变的现象。10.在光照作用下,物体内的电子从物体表面逸出的现象称为外光电效应。11.在光的照耀下使物体产生肯定方向电动势的现象称为光生伏打效应。四、计算题3.一电容测微仪,其传感器的圆形极板半径r4mm,工作初始,假如间隙改变量时,电容改变量是多少(真空中介电常数为0=-8.8510-12F/m)。解:电容传感器的灵敏度F/mF/mF/mpF4.一电容测微仪,其传感器的圆形极板的半径r=4mm,工作初始间隙,空气介质,试求:(已知空气介电常数)(1)通过测量得到的电容改变量为,则传
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 测试 技术 复习资料 传感器 第四 考试 重点
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内