14晶体生长的界面形态.docx
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1、四,晶体生长的界面外形 晶体的形态问题是一个格外简单而未能彻底解决的问题自然界中存在的各式各样秀丽的雪晶就表达了形态的简单性影响晶体形态的因素:晶体的形态不仅与其生长机制有关,螺型位错在界面的露头处所形成的生长蜷线令人信服地证明白这一点,而且还与界面的微观构造、界面前沿的温度分布及生长动力学等很多因素有关。鉴于问题的简单性鉴于问题的简单性,下面仅就界面的微观构造和界面前沿温度分布的几种典型状况表达力如下:(一)在正的温度梯度下生长时界面形态:结晶潜热散失:在这种条件下,结晶潜热只能通过已结晶的固相和型壁散失, 相界面推移速度:相界面对液相中的推移速度受其散热速率的掌握。依据界面微观构造的不同晶
2、体形态有两种类型: 规章的几何外形和平面长大方式(A)正温度梯度光滑界面的状况正温度梯度下的光滑界面:对于具有光滑界面的晶体来说,其显微界面为某一品体学小平面,它们与散热方向成不同的角度分布着,与熔点Tm 等温面呈肯定角度,但从宏观来看,仍为平行于Tm等温面的平直面,如图2.25 a所示。这种状况有利于形成具有规章外形的晶体,现以简洁立方晶体为例进展说明晶面不同原子密度不同外表能不同长大速度不同:在争论形核问题时曾经假定,形成一个球形晶核时,其界面上各处的外表能一样。但实际上晶体的界面是由很多晶体学小平面所组成,晶面不同,则原子密度不同, 从而导致其具有不同的外表能。热力学的争论结果说明,原子
3、密度大的晶面长大速度较小;原子密度小的晶面长大速度较大。但是长大速度大的晶面易于被长大速度小的晶面所制约,这个关系可示意的用图2.26来说明图中实线八角形代表晶体从t开头生长,一次经受t t t等不同时间时的截面,12 3 4箭头表示长大速度。由图可以看,简洁立方晶体的001晶面为密排面,110 为非密排面,因此101 方向长大速度大, 100、001等方向的生长速度小,非密排面将渐渐缩小而消逝,最终晶体的界面将完全变为密排品面,明显这是一个必定的结果所以以光滑界面结晶的晶体如Si, Al 及合金中的某些金属化合物,假设无其它因素干扰,大多可以成长为以密排晶面为外表的晶体,具有规章的几何外形(
4、B)正温度梯度光滑界面的状况粗糙界面和熔点等温面的关系:具有粗糙界面构造的晶体,在正的温度梯度下成长吋,其界面为平行于熔点T等m温面的平直界面,它与散热方向垂直,如图2.25 b所示正温度梯度粗糙界面平面长大方式:一般说来,这种晶体成长时所需的过冷度很小,界面温度差不多与熔点Tm相重合,所以晶体在成长时界面只能随着液体的冷却而均匀全都地向液相推移,假设一旦局部偶有突出,那么它便进入低于临界过冷度甚至熔点Tm以上的温度区域,成长马上减慢下来,甚至被熔化掉,所以固液界面始终可以近似地保持平面。这种长大方式称为平面长大方式。(二)在负的温度梯度下生长的界面形态(A)负温度梯度粗糙界面具有粗糙界面的晶
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