领域-充分发挥我所在电子科学与技术、信息与通信工程两.docx





《领域-充分发挥我所在电子科学与技术、信息与通信工程两.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《领域-充分发挥我所在电子科学与技术、信息与通信工程两.docx(5页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、针对中科院八大重大创新领域中的“信息”和“基础前沿交叉”领域,充分发挥我所在电子科学与 技术、信息与通信工程两高校科优势,解决智能感知微系统、超导量子器件与电路、高端硅基材料 等方向的重大关键科学和技术难题,实现创新跨越并推广应用,成为信息网络/通信(ICT)领域不 行替代、“四个一流”的国立探讨机构。重大突破方向一:智能感知微系统针对网络化微型传感器阵列、多源传感信息融合与大数据分析的基础科学问题开展系统探讨, 突破如下关键技术:1、阵列化复合传感器技术:研制微型化复合型阵列传感器,将物理类传感器如振动、声响、图 像、红外等传感器与生化类、环境类等传感器相结合,实现多种信息的收集与识别,发挥
2、阵列传感 器在信号处理方面的优势,综合采纳MEMS微系统集成技术的特点,围绕微型化、低功耗和低成本 需求,突破传统器件、系统分层设计理念,将传感探测、信息处理和信息传输作为一个整体考虑, 进行一体化优化设计,逐步将微执行器如电磁干扰器、微动部件等集成为可探测、执行的微纳系统。2、通信技术:探讨适合于传感网的地表宽带通信技术、光互联技术、软件无线电技术,在此基 础上发展频谱感知技术并最终实现自适应的通信、电磁目标感知技术;探讨5G移动通信技术与物 联网传输的统一协议标准设计,实现5G通信与物联网的深度融合。3、一体化技术:开展一体化封装技术探讨和专用基带、射频芯片、协议芯片及信号处理芯片的 研制
3、,实现软硬件一体化集成和传感装备核心芯片的国产化。4、多源信息融合技术:从目标识别和定位动身,根据节点级、网络级、多源信息来源开展多目 标智能化探测、识别分类及多级融合技术,分布式目标定位、跟踪与航迹融合技术,探讨在不同环 境条件下的智能口标探测与识别算法,最终实现混合口标的航迹融合功能,实现人员、车辆等多种 混合目标的精细化识别、精确定位、分类和自动融合处理。5、网络技术:以自组网技术为基础,探讨异构自组织网络,实现多体制下的大规模敏捷组网方 式,最终构建可重构、高抗毁、大数据、大容量的网络规模,提升系统的情报融合、态势评估及实 时预警实力。重大突破方向二:超导量子器件与电路重点开展量子新材
4、料与物理、超导电子器件与电路和超导电子学前沿应用探究三个方面探讨。核心科学问题:超导库珀电子对的配对机理以及空间、位相和激发限制;超导器件噪声机理。关键技术:包括高质量薄膜制备和表面/界面限制、高精度多域原位材料表征、单元工艺和大规 模集成工艺、超导电路设计与仿真以及系统集成、测量表征和牢靠性等内容。成果形式:包括高水平探讨论文、高性能超导薄膜、器件、电路、模块、系统以及相关的核心 专利和专有技术等。成果在国内处于领先地位,并有望产生重要国际影响。重大突破方向三:高端硅基材料及应用1、先进硅基衬底材料:开发下一代智能剥离技术,制备8寸RFSOI片,在新傲实现产业化, 协作我国FDSOI发展战略
5、,开发12寸FDSOI片;引进、消化、汲取、再创新12寸大碎片量产核 心技术,在新昇实现产业化;开发离子注入剥离/层转移和异质外延硅基宽禁带半导体衬底制备技术, 并研制硅基宽禁带半导体器件。2、高牢靠SOI集成电路:开发高牢靠加固8英寸SOI衬底工程化技术;开发高牢靠加固8英 寸130nmsOI模型、PDK、单元库及IP等关键技术;设计高牢靠SOI集成电路。3、集成硅基光电子技术:开发异质集成技术,研发混合集成片上光源,开发全光集成芯片;开 发部分集成的功能集成光收发芯片,满意数据中心和超级计算机市场所需;探究片上光子超控与量 子通讯机理,为硅光子将来应用储备技术。重点培育方向一:特种宽带无线
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 领域 充分发挥 所在 电子 科学 技术 信息 通信工程

限制150内