《材料制备与表征》课程教学大纲.docx
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1、材料制备与表征课程教学大纲课程编号: 20821308 总学时数: 48总学分数: 3课程性质: 方向选修适用专业: 应用物理学一、课程的任务和根本要求:本课程包括材料制备技术和材料表征技术,是应用物理学专业光电材料与器件方向的模 块课程。学生通过学习要把握以下根本内容:材料制备技术内容包括晶体构造、晶体缺陷、成核理论、界面的平衡构造、晶体生长动力学、单晶材料的制备、薄膜材料的制备、陶瓷材料的制备、复合材料的制备和材料工程技术,重点是先进人工晶体的材料制备科学与技术。材料表征技术主要包括X 射线衍射分析、电子显微分析、热分析、振动光谱、光电子能谱、穆斯堡尔谱、色谱等各种测试方法的物理原理、仪器
2、的功能和应用范围。学生通过学习可以 把握材料制备技术和常用测试方法,为以后的学习工作和进一步争论打下根底。该课程有部 分内容在其他课程中消灭过,在此只作简洁介绍。二、根本内容和要求:上局部:材料制备技术第一章 晶体构造和晶体缺陷1.1 晶体学根底1.2 空间点阵1.3 米勒指标1.4 密积存与配位数1.5 晶体结合键型1.6 元素晶体构造1.7 几种典型晶体构造1.8 点缺陷1.9 线缺陷1.10 面缺陷目的和要求:把握晶体构造根本学问和晶体中存在的缺陷,分析晶体中缺陷来源种类。其次章 成核理论2.1 相变驱动力2.2 弯曲界面的平衡与相变位垒2.3 均匀成核2.4 非均匀成核2.5 再结晶成
3、核2.6 单相固溶体的凝固目的和要求:把握材料中原子如何结合和生长成核的学问点。第三章 界面的平衡构造3.1 晶体的平衡外形3.2 生长界面构造的根本类型第 1 页/共 5 页3.3 柯塞尔模型3.4 杰克逊模型3.5 特姆金模型目的和要求:了解把握界面的根本种类,不同描述形式之间的区分和特点。第四章 晶体生长动力学4.1 邻位面的生长台阶动力学与运动学4.2 光滑界面的生长4.3 粗糙界面的生长4.4 晶体生长动力学统一理论4.5 晶体生长形态学目的和要求:把握晶体生长的根本理论,晶体界面核动力争论。第五章 单晶材料的制备5.1 气相生长法5.2 水溶液生长法5.3 水热生长法5.4 熔盐生
4、长法5.5 熔体生长法目的和要求:把握单晶材料制备方法,了解不同制备方法的优缺点。第六章 薄膜材料的制备6.1 薄膜的形成机理6.2 物理气相沉积6.3 化学气相沉积6.4 化学溶液镀膜法6.5 液相外延制膜法6.6 膜厚的测量与监控目的和要求:把握薄膜材料形成的机理和常用制备方法。第七章 陶瓷材料的制备7.1 陶瓷的组成相及其构造7.2 陶瓷的制备工艺7.3 装置瓷7.4 电容器陶瓷7.5 压电陶瓷7.6 铁氧体7.7 高温陶瓷目的和要求:把握陶瓷材料组成和不同陶瓷组成的材料制备方法。第八章 复合材料的制备8.1 复合材料的一般概念8.2 颗粒增加复合材料8.3 夹层增加复合材料8.4 纤维
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