1+X集成电路理论复习题+参考答案.docx

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1、1+X集成电路理论复习题+参考答案1、平移式分选机设备的上料步骤正确的是：（）。A、待测芯片上料一吸嘴转移芯片一空料盘替换B、吸嘴转移芯片一待测芯片上料一空料盘替换C、空料盘替换一待测芯片上料一吸嘴转移芯片D、吸嘴转移芯片一空料盘替换一待测芯片上料答案：A平移式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料一吸嘴转移芯片一空料盘 替换。2、LK32Tl02单片机工作频率最高支持（）。A、 144MHzB、 36MHzC、 72MHzD、 18MHz答案：C3、晶圆检测工艺中，进行晶圆烘烤时，温度一般设置在（）。A、150B、120C、110D、130答案：B4、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，芯片在该

2、工位完成操作后，需要 进入（）环节。A、测试B、旋转纠姿C、测后光检D、测前光检答案：C5、通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据 的方法是（）oA、发射光谱法B、干涉测量法C、质谱分析法D、椭圆偏振法答案：AD、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性差、输入电阻小，而单极型 器件正好相反答案：D41、晶圆检测工艺中，晶圆完成打点以后需要进行墨点烘烤，以下属于晶圆烘烤环节的步骤的是O oA、用晶圆镒子从常温花篮中夹取晶圆，核对晶圆印章批号B、将烘烤完的晶圆从烘箱中取出C、用工具将高温花篮放在高温烘箱中D、根据晶圆片号和花篮刻度放到对应的高温花篮中答案：ABCD42、CM

3、P工艺的三大关键因素是()。A、抛光机B、抛光液C、抛光盘D、抛光垫答案：ABD抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的三大关键因素,平坦化前根据研磨的 材料以及抛光机性能，选择合适的抛光垫固定在旋转盘上，以及合适的抛光液、 清洗液。43、通常情况下，以下()封装形式的芯片采用重力式分选机设备进行测试。A、LGAB、DIPC、SOPD、QFN答案：BC通常情况下，DIP封装和SOP封装采用重力式分选机进行测试，LGA封装采 用转塔式分选机进行测试，QFN封装采用平移式分选机进行测试。44、以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是()oA、湿法刻蚀B、溅射刻蚀C、等离子体刻蚀D、反应离子刻蚀答案：BD

4、湿法刻蚀和等离子体刻蚀是各向同性的，溅射刻蚀和反应离子刻蚀属于各 向异性。45、抑制通道效应的方法有（）oA、破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B、将晶圆倾斜一定的角度C、表面铺一层非结晶材质SiO2D、进行快速热退火答案：ABC快速热退火使为了消除晶格损伤。46、使用编带机进行编带时，在编带前进行光检的内容是检查（）。A、芯片的电气参数B、芯片的管脚是否出现扭曲、断裂C、芯片的印章是否清晰D、芯片的数量是否正确答案：BC47、编带具有（）等优点。A、容量大B、体积小C、节约存放空间D、保护元器件不受污染或损坏答案：ABCD编带具有以下优点：容量大、体积小，可以节约存放空间；在运输过 程中可以

5、起到保护元件不受污染和损坏的作用。48、在晶圆检测中，打点过程中可能出现的异常情况有（）。A、墨点异常B、不能连续打点C、漏打点D、墨水外溢答案：ABCD49、辅助运放测试法的注意事项包括以下哪些（）。A、与的精度决定测试精度B、测量时被测运放应在指定条件（依据芯片数据手册要求）下工作C、被测芯片的失调电压不超过几毫伏D、电阻为的平衡电阻（减少输入电流对测量的影响），所以和需精密配答案：ABD50在原理图编辑器内，执行ToolsFootprint Manager命令，显示封装 管理对话框，在该对话框的元件列表（Componene List）区域，显示原理图内 的所有元件，鼠标选择每一个元件可以

6、（）当前选中元件的封装。A、添加B、删除C、编辑D、复制答案：ABC51、用重力式设备进行芯片检测时，可用于并行测试的芯片有（）。（多选 题）A、DIPB、 DIP24C、SOPD、 DIP27答案：AC并行测试一般是进行单项测试，适用于普通DIP/SOP封装的芯片；串行测 试一般是要进行多项测试，适用于DIP24/DIP27等模块电路。52、晶圆贴膜的主要目的是以下（）两个。A、保证晶圆切割时不发生移动B、保护垫作用，防止晶圆磕碰而损伤C、防止操作员作业时晶圆划片橡胶手套D、粘附切割后的晶粒，防止其散落答案：AD53、下列对芯片电源电流测试描述正确的是（）。A、静态电源电流测试是芯片处于不使

7、能ABCD或静态时的电源电流B、静态电源电流通常给芯片电源端施加规定电压，并将芯片输入引脚都接 0V电压，输出引脚都悬空，测量流经电源端的电流，C、动态电源电流测试是芯片处于正常工作时的电源电流D、集成电路电源电流测试包括静态电源电流测试和动态电源电流测试答案：ABCD54、待测芯片的封装形式决定了测试、分选和包装的不同类型，而不同的 性能指标又需要对应的测试方案进行配套完成测试，经（）即可进入市场。（）OA、人工目检B、包装C、运行测试D、塑封答案：AB55、有些文件用于提供给PCB制造商，生产PCB板用，如（）。A、PCB文件B、PCB规格书C、Gerber 文件D、ICT文件答案：ABC

8、56、DUT板卡的设计原则包括（）。A、确定测试机资源的接口形式B、确定芯片测试接口C、根据不同芯片需求设计测试外围电路D、选用合适的DUT答案:ABC57、5mil的墨管常用于（）的晶圆。A、5英寸B、6英寸C、8英寸D、12英寸答案:AB58、以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是（）oA、注入均匀性B、离子注入剂量C、离子射程D、束流密度答案：ABCD59、一般情况下，转塔式分选机设备可以实现（）环节。A、光检B、测试C、分选D、编带答案：ABCD一般情况下，转塔式分选机的工作原理是先将待测芯片上料，然后经过主 转盘工位进行光检、测试、分选等流程，最终将符合条件的合格品放入载带进 行编带

9、包装。60、以下对重力式分选机设备进行并行测试的描述正确的是（）。A、单项测试且连接一个测试卡B、多项测试且连接多个测试卡C、可选择多SITES进行测试D、只能是2SITES进行测试答案：AC并行测试一般是进行单项测试，可根据测试卡的数量进行1 site/2 sites/4 sites 测试。61、利用四探针法检测单晶硅锭的导电类型时，可以利用检流计的偏转方 向的不同确定被测硅锭是N型半导体还是P型半导体。A、正确B、错误答案：B62、选择什么样的元器件时，首先应考虑价格、货源和元器件体积等方面 的考虑，其次是考虑满足单元电路对元器件性能指标的要求。A、正确B、错误答案：B63、由于NM0S管

10、和PM0S管的注入类型、衬底接触都是相反的，所以对于 复制的图形需要将其Nimp和Pimp层互换。A、正确B、错误答案：A64、湿度卡的变化是可逆的，当环境的湿度达到湿度指示卡上指示点标注数 值的时候,指标点会从干燥色变成吸湿色;湿度降低时,指示卡的点的颜色会从吸 湿色重新变回干燥色。A、正确B、错误答案：A65、晶圆扎针测试完成后需要进行打点，打点前，需要根据晶圆大小的不 同，选用不同规格的墨管。A、正确B、错误答案：B66、单晶硅生长结束后，用四探针技术测量单晶硅锭的电阻率。A、正确B、错误答案：A电阻率的测量可采用四探针技术进行测量。67、重力式分选机测试过程中，串行测试进行的是单项测试

11、。A、正确B、错误答案：B重力式分选机测试过程中，串行测试进行的是单项测试。68、离子注入的过程中，在同样的硅片面积下，注入的束流大小与注入时 间直接决定剂量的大小，束流越大、注入时间越长，达到的剂量越大。A、正确B、错误答案：A69、Cadence主界面不仅用来选取操作菜单，也是主要信息显示界面。A、正确B、错误答案：A70、编带机进行编带时，载带设置数量到达极限，无法包装一卷或观察载 带没有足够多的数量，不足包装一盘时，可以包装完载带，再更换新的载带。()A、正确B、错误答案：B71、为保证云端放大器的对称性，运放中所有的晶体管的源极都要朝一个 方向。A、正确B、错误答案：B72、扎针测试

12、即WAT测试。A、正确B、错误答案：AWAT是英文wafer acceptance test的缩写，意思是晶圆接受测试，业界 也称WAT为工艺检测检测。WAT是在晶圆产品流片之后和品质检验之前，测量 特定测试结构的电性参数。WAT的目的是通过晶圆上特定测试结构的电性参数, 检测每片晶圆产品的工艺情况，评估半导体制造过程的质量和稳定性，判断晶 圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。73、电子电路试验的步骤：先局部，后整体。即先对每个单元电路进行试 验，重点是主电路的单元电路试验。可以先易后难，亦可依次进行，视具体情 况而定。A、正确B、错误答案：A74、激光打字可以留下永久性标记A、正确B

13、、错误答案：A75、清点花篮中晶圆的数量，确保实物与晶圆测试随件单上的片数一致。 数量核对一致后再核对晶圆片号。A、正确B、错误答案：B清点花篮中晶圆的数量，确保实物与晶圆测试随件单上的片数一致。数量 核对一致后再核对晶圆批号。76、集成电路测试包括逻辑功能测试和交/直流参数测试。A、正确B、错误答案：A77、塑封工艺中塑封料的颜色必须是黑色的。A、正确B、错误答案：B根据用户需要，环氧塑封料可制成各种不同颜色，一般使用黑、红、绿三 种颜色，其中黑色最为常见。78、进行开短路测试时的三种不同情况，若管脚出现开路，则pinl和地之 间会存在一个压差，其大小为pinl与地之间的ESD二极管的导通压

14、降，大约在0.60. 7V左右。如果改变电压方向，VI电压的测量结果大约为-0.6-0.7V左 右。（）A、正确B、错误答案：B79、使用编带机进行编带操作前，需要进行上料，上料时，取下包裹在料 管一端的塑料气泡膜后，需要检查有无芯片落在气泡膜内。A、正确B、错误答案：A80、激光打字时激光聚焦后的面积较大，可以在部件表面打印出清晰的标 识A、正确B、错误答案：B激光聚焦后的尺寸很小，所以热影响区域小，加工精细。发射光谱法是通过监控来自等离子体反应中一种反应物的某一特定发射光 谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到发射光谱的改变，从而来推断刻蚀过 程及终点。6、料盘进行真空包装时，一般会在内盒侧

15、面的空白处贴（）个标签。A、2B、1C、3D、4答案：B7、（）是使硅片上的局部区域达到平坦化。A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化答案：C局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。8、在进行编带真空包装时，需要在（）上进行。A、转塔式分选机B、真空包装机C、测试机D、高温烘箱答案：B在进行编带真空包装时，需要在真空包装机上进行。9、扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三 者的信息一致。A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单D、MAP图、软件版

16、本、晶圆测试随件单答案：A扎针测试时，完成测试机操作界面的晶圆信息输入后，需要核对MAP图、 测试机操作界面、晶圆测试随件单上的信息，确保三者的信息一致。10、利用平移式分选设备进行芯片检测时，芯片在该区域的操作完成后会 进入（）区域。A、测试B、待测C、上料D、分选答案：D11、重力式分选机进行自动上料筛选，当检测到传送带上的料管放置不符 合要求时，下一步对料管的操作是()A、拔出塞钉B、进入空管槽C、进入上料槽D、放回上料区答案：D激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区，等待下次筛选。12、管装装内盒时，在内盒上贴有()种标签。A、1B、2C、3D、4答案：B管装内盒上的标签有合格标签

17、和含芯片信息的标签。13、晶圆检测工艺对环境要求()芯片检测的环境要求，这是由工艺的加 工对象特性所决定的。A、低于B、等于C、高于D、时高时低时等于答案：C由于晶圆检测工艺中芯片是裸露状态，而芯片检测工艺中芯片是非裸露状 态，所以晶圆检测对环境质量要求会高于芯片检测。14、下列选项中，()是封装工艺中不涉及的工序。A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检答案：A封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出 现废品（崩边等情况）。引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查 芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型之后需要进行第四道光 检，针对后段

18、工艺的产品进行检查、剔除。15、一般情况下，制造晶圆的原材料是（）。A、硼B、楮C、硅D、硒答案：C晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称 为晶圆。16、分选机选择依据是（）。A、芯片的管脚数量B、芯片的应用等级C、芯片的电气特性D、芯片封装类型答案：D17、正常工作时风淋室内无人时，外部的（）指示灯亮起。A、红色B、黄色C、绿色D、蓝色答案：C风淋室内无人时，外部的绿色指示灯亮起，进入风淋室后关门，风淋室自 动落锁，外部指示灯变为红色，风淋开始。18、口罩和发罩（）oA、需要定期清洗B、不得重复使用C、一周必须更换一次D、每天下班时放入消毒柜，下次对应取用答案：B口

19、罩和发罩不得重复使用，每天需穿戴全新的口罩和发罩。19、当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“（）”键 继续吸取一次。E、 SKIPF、 RESTARTG、 RETRYH、 STOP答案：C当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”键继 续吸取一次。20、关于全自动探针台扎针调试的步骤，下列说法正确的是：()oA、输入晶圆信息一调出检测MAP图一自动对焦一扎针调试B、输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图一扎针调试C、输入晶圆信息一自动对焦一扎针调试一调出检测MAP图D、输入晶圆信息一调出检测MAP图一扎针调试一自动对焦 答案：B全自动探针台扎针调试步

20、骤：输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图 f扎针调试。21、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是()色彩。A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的答案：B硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜，当有白光照射时，二氧化 硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。不同的氧化层厚度的 干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。22、从安全上看，四氯化硅氢还原法、三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法 的安全性从小到大排列的顺序为：()。A、硅烷热分解法四氯化硅氢还原法三氯化硅氢还原法B、四氯化硅氢还原法硅烷热分解法三氯化硅氢还原法C、三氯化硅氢还原法硅烷热分解法四氯化

21、硅氢还原法D、硅烷热分解法三氯化硅氢还原法四氯化硅氢还原法 答案：D从安全上看，硅烷最危险，最容易爆炸，三氯氢硅次之，也容易爆炸，四 氯化硅最安全，根本不会发生爆炸。23、减薄工艺的正确流程是()。A、清洗一原始厚度测量一上蜡粘片一压片一二次厚度测量一减薄一抛光一 去蜡一清洗B、清洗一上蜡粘片一原始厚度测量一压片一二次厚度测量一抛光一减薄一 去蜡一清洗C、清洗一压片一原始厚度测量一上蜡粘片一二次厚度测量一抛光一减薄一 去蜡一清洗D、清洗一压片一原始厚度测量一上蜡粘片一二次厚度测量一减薄一抛光一 去蜡f清洗答案：A24、利用高温驱动杂质渗透进半导体内，此工序采用的设备是()oA、扩散炉B、离子注

22、入机C、加热平板D、对流烘箱答案：A利用高温驱动杂质渗透进半导体内的工序为热扩散，热扩散采用的设备为 扩散炉。25、自定义元件库需与原理图文件放在同一()中。I、 ProjectJ、 NavigatorK、 MessageD Target答案：A26、重力分选机手动装料要操作人员取下待测料管一端的()，并将料管 整齐地摆放在操作台上。A、挡板B、螺母C、塞钉D、料盘答案：C27、窄间距小外形封装的英文简称为()oA、SIPB、SOPC、 SSOPD、QFP答案：cSIP-单列直插式封装；SOP-小外形封装；SSOP-窄间距小外形封装；QFP-四 侧引脚扁平封装。28、对准和曝光过程中，套准精度

23、是指形成的图形层与前层的最大相对位 移大约是关键尺寸的()oA、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一答案：B版图套准过程有了对准规范，也就是常说的套准容差或套准精度。具体是 指要形成的图形层与前层的最大相对位移。一般而言大约是关键尺寸的三分之O29、在AD软件中，当项目被编译后，任何错误都将显示在()oA、Message 面板B、Debug 面板C、Navigator 面板D、Project 面板答案：A30、芯片外观检查前为了防止静电击穿损坏，工作人员必须佩戴()。A、绝缘手套B、绝缘服C、无纺布手套D、防静电护腕答案：D31、薄膜淀积完成后，需要进行质量评估。其中()是检测薄膜质量

24、、组 分及纯度的有效参数，可以用椭偏仪测量。A、厚度B、折射率C、台阶覆盖率D、均匀性答案：B32、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中热探针法可以测量单晶 硅的()参数。A、电阻率B、直径C、少数载流子寿命D、导电类型答案：D热探针法用来测量单晶硅锭的导电类型；四探针技术用来测量单晶硅锭的 电阻率；激光扫描法用来测量硅锭的直径；光电导衰法用来测量少数载流子的 寿命。33、主要使用万用表、毫伏表、示波器、兆欧表、信号发生器等测试设备 主要用来测试()oA、电子成品的几何性能B、电子产品的物理性能C、电子产品的功能性能D、以上都是答案：B34、编带机光检区检测不合格的芯片，会从光检区滑落至不

25、良品料管内； 而检测合格的芯片，则会由()吸取，并将其精准地放到空载带内，载带内每 放置一颗芯片便会向前传送一格。A、吸盘B、机器手臂C、真空吸嘴D、镜子答案：C35、晶圆检测工艺中，在进行烘烤之后，需要进行的操作是()。A、真空入库B、扎针测试C、打点D、外检答案：D晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤一外检一真空入库。36、载入元件库：Altium Designer系统默认打开的元件库有两个：常用 分立元器件库()；常用接插库()oA、 Devices. IntLib； Miscellaneous Connectors.IntLibB、 Devices. I

26、ntLib； Connectors. IntLibC、 Miscellaneous Devices. IntLib； Connectors. IntLibD Miscellaneous Devices. IntLib； Miscellaneous Connectors. IntLib 答案：D37、重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结 果通过（）把结果传回分选机。A、 GPIBB、数据线C、串口D、VGA答案：A重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将芯片检测结 果通过GPIB传回分选机38、使用重力式分选机设备进行芯片检测，当遇到料管卡料时，设备会（）。

27、A、继续操作B、会自动处理C、停止运行并报警D、只进行报警答案：C重力式分选机进行芯片检测时，如果遇到料管满管或者卡料时，会出现设 备自动停测并报警提示。39、8英寸晶圆的直径为（）mm。A、125B、150C、200D、300答案：C5英寸晶圆直径是125mm, 6英寸晶圆直径是150mlli, 8英寸晶圆直径是 200mm, 12英寸晶圆直径是300mmo40、双极型与单极型集成电路在性能上的主要差别是（）。A、双极型器件工作频率高、功耗低、温度特性好、输入电阻小，而单极型 器件正好相反B、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性好、输入电阻大，而单极型 器件正好相反C、双极型器件工作频率低、功耗大、温度特性好、输入电阻小，而单极型 器件正好相反