三极管基本知识大全.docx
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1、半导体三极管半导体三极管的分类半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类格外多。依据构造工艺分类,有 PNP 和 NPN 型;依据制造材料分类,有锗管和硅管;依据工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在 3MHz 以下的电路中,高频管的工作频率可以到达几百兆赫。依据允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在 1W 以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图 2.5.1。电子元器件检测方法一元器件的检测是家电修理的一项根本功,如何准确有效地检测元器件的相关参数,推断元器件的是否 正常,不是一件千篇一律的事,必需依据不同的元器件承受不
2、同的方法,从而推断元器件的正常与否。特别对初学者来说,娴熟把握常用元器件的检测方法和阅历很有必要,以下对常用电子元器件的检测 阅历和方法进展介绍供对考。一、电阻器的检测方法与阅历:1 固定电阻器的检测。A 将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度,应依据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的 2080弧度范围内,以使测量更准确。依据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有5、10或20的误差。如不相符,超出误差范围,则说明该电阻值变值了。B 留
3、意:测试时,特别是在测几十k以上阻值的电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电局部;被检测的电阻从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其他元件对测试产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。2 水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及留意事项与检测一般固定电阻完全一样。3 熔断电阻器的检测。在电路中,当熔断电阻器熔断开路后,可依据阅历作出推断:假设觉察熔断电阻器外表发黑或烧焦,可断定是其负荷过重,通过它的电流超过额定值很多倍所致;假设其外表无任何痕迹而开路,则说明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于外表无任何痕迹的熔断电阻
4、器好坏的推断,可借助万用表R1 挡来测量,为保证测量准确,应将熔断电阻器一端从电路上焊下。假设测得的阻值为无穷大,则说明此熔断电阻器已失效开路,假设测得的阻值与标称值相差甚远,说明电阻变值,也不宜再使用。在修理实践中觉察,也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象,检测时也应予以留意。4 电位器的检测。检查电位器时,首先要转动旋柄,看看旋柄转动是否平滑,开关是否灵敏,开关通、断时“喀哒”声是否动听,并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音,如有“沙沙”声,说明质量不好。用万用表测试时,先依据被测电位器阻值的大小,选择好万用表的适宜电阻挡位,然后可按下述方法进展检测。A 用万用表的欧姆挡测“1
5、”、“2”两端,其读数应为电位器的标称阻值,如万用表的指针不动或阻值相差很多,则说明该电位器已损坏。B 检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“ 1”、“2”(或“2”、“3”)两端,将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置,这时电阻值越小越好。再顺时针渐渐旋转轴柄,电阻值应渐渐增大,表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置“3”时,阻值应接近电 位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象,说明活动触点有接触不良的故障。5 正温度系数热敏电阻(PTC)的检测。检测时,用万用表 R1 挡,具体可分两步操作:A 常温检测(室内温度接近 25);将两
6、表笔接触 PTC 热敏电阻的两引脚测出其实际阻值,并与标称阻值相比照,二者相差在2 内即为正常。实际阻值假设与标称阻值相差过大,则说明其性能不良或已损坏。B 加温检测;在常温测试正常的根底上,即可进展其次步测试加温检测,将一热源 (例如电烙铁) 靠近 PTC 热敏电阻对其加热,同时用万用表监测其电阻值是否随温度的上升而增大,如是,说明热敏电阻正常,假设阻值无变化,说明其性能变劣,不能连续使用。留意不要使热源与PTC 热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻,以防止将其烫坏。6 负温度系数热敏电阻(NTC)的检测。(1) 、测量标称电阻值Rt用万用表测量 NTC 热敏电阻的方法与测量一般固定电阻的方法
7、一样,即依据 NTC 热敏电阻的标称阻值选择适宜的电阻挡可直接测出 Rt 的实际值。但因 NTC 热敏电阻对温度很敏感,故测试时应留意以下几点:ARt 是生产厂家在环境温度为 25时所测得的,所以用万用表测量 Rt 时,亦应在环境温度接近 25时进展,以保证测试的可信度。B测量功率不得超过规定值, 以免电流热效应引起测量误差。C留意正确操作。测试时,不要用手捏住热敏电阻体,以防止人体温度对测试产生影响。(2) 、估测温度系数 t先在室温 t1 下测得电阻值 Rt1,再用电烙铁作热源,靠近热敏电阻 Rt,测出电阻值 RT2,同时用温度计测出此时热敏电阻 RT 外表的平均温度 t2 再进展计算。7
8、 压敏电阻的检测。用万用表的 R1k 挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻,均为无穷大,否则,说明漏电流大。假设所测电阻很小,说明压敏电阻已损坏,不能使用。8 光敏电阻的检测。A 用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住,此时万用表的指针根本保持不动,阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。假设此值很小或接近为零,说明光敏电阻已烧穿损坏,不能再连续使用。B 将一光源对准光敏电阻的透光窗口,此时万用表的指针应有较大幅度的摇摆,阻值明显减些 此值越小说明光敏电阻性能越好。假设此值很大甚至无穷大,说明光敏电阻内部开路损坏,也不能再连续使用。C 将光敏电阻透光窗口对准入射光线,用小黑纸片在光敏电
9、阻的遮光窗上部晃动,使其连续受光, 此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摇摆。假设万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摇摆,说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。共射电流放大系数 。 值一般在 20200,它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。反向击穿电压值 U(BR)CEO。指基极开路时加在c、e 两端电压的最大允许值,一般为几十伏,高压大功率管可达千伏以上。最大集电极电流 ICM。指由于三极管集电极电流 IC 过大使 值下降到规定允许值时的电流一般指 值下降到 2/3 正常值时的 IC 值。实际管子在工作时超过 ICM 并不愿定损坏,但管子的性能将变差。最大管耗 PCM。指依据三极管允许
10、的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的 IC 与 UCE 的乘积要小于 PCM 值,反之则可能烧坏管子。穿透电流 ICEO。指在三极管基极电流IB=0 时,流过集电极的电流IC。它说明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的 ICEO 约为 0.1mA,锗管的值要比它大 1000 倍,大功率硅管的 ICEO 约为 mA 数量级。特征频率 fT。指三极管的 值下降到 1 时所对应的工作频率。 fT 的典型值约在 1001000MHz 之间, 实际工作频率。2.5.3 半导体器件的命名方法1. 中国半导体器件的命名法依据,半导体器件型号由五局部组成,其每一局部的含义见表 2
11、-15。表 2-15国产半导体器件的型号命名方法第一局部其次局部第三部分第四局部第五局部用数字表示器件用汉语拼音字母表示用汉语拼音字母表示器用数字表示用汉语拼音字的电极数目器件的材料和极性件的类别器件序号母表示规格号符号意 义符号意义符号意义2二极管AN 型锗材料P一般管BP 型锗材料V微波管CN 型硅材料W稳压管DP 型硅材料C参量管Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光电器件K开关管3三极管AB C D EPNP 型锗材料NPN 型锗材料PNP 型硅材料NPN 型硅材料化合物材料X低频小功率管f3MHz,P 1W 高频小功率管f3MHz,P 1W 低频大功率f3MHz,P 1WTGCTDCT
12、AC高频大功率fU3MHz,P 1WC光电器件TKI开关管可控整流器Y体效应器件B雪崩管JCS阶跃恢复管场效应器件BT半导体特别器件FH复合管PINPIN 型管JG激光器件例如 3AD50C 表示低频大功率 PNP 型锗管;3DG6E 表示高频小功率 NPN 型硅管。2. 美国半导体器件命名法依据美国电子工业协会EIA规定的半导体器件型号命名方法如表 2-16 所示。表 2-16 美国半导体器件型号的命名法第一局部其次局部第三局部第四局部用符号表示器件的等级用数字表示PN 结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号第五局部用字母表示同一器件的不同档次符号J意 义符号意义符号意义符号意 义符号意
13、 义军品非军品12二极管三极管表示不加热即半导体器件24 位A、B、无3四极管N数字登记顺序号C表示器件改进型例如 1N4148 表示开关二极管,2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。日本半导体器件命名法第一局部第 二 部 分第 三 部 分第 四 部 分第 五 部 分用数字表示器件的电极数目用字母表示半导体器件用拉丁字母表示器件的构造和类型用 23 位数字表示器件登记挨次号用拉丁字母表示同一种型号器件的改进型01光电器件二极管三极管有三个PN 结A23S半导体器件BC的器件DF G H J KM高频 PNP 型三极管快速开关三极管 低频大功率PNP 管高频及快速开关NPN 三极管低频大
14、功率NPN 管P 把握极可控硅N 把握极可控硅N 基极单结管P 沟道场效应管N 沟道场效应管双向可控硅日本半导体器件型号共用五局部组成:符意义符意义符意义号号号例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管,1S92 表示半导体二极管。4欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法,故他们大都使用国际电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四局部组成,其根本含义如表 2-18。第一局部用字母表示器件使用的材料第 二 部 分第 三部分用字母表示器件的类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号第 四 部 分用字母表示对同一型号器件的改进符号意义符号意义符号意义符号意义符
15、号意 义三代表半导体器件的登记序号A位B数同一类型器件使用一个登记号C表示同一型号的半导体器件在某一参数方面的分档标志字D一个代表专用半导体表 2-18 欧洲半导体器件命名法A锗材料A检波二极管、开关二极P光敏器件管、混频二极管B硅材料B变容二极管Q发光器件C砷化镓C低频小功率三极管R小功率可控硅D锑化铟D低频大功率三极管S小功率开关管R复合材料E隧道二极管T大功率可控硅F高频小功率三极管U大功率开关管G复合器件、其他器件X倍增二极管字母器件的登记序号EH磁敏二极管Y整流二极管同一类型器件KL霍尔器件高频大功率三极管Z稳压二极管二位使用一个登记号数字补充说明:欧洲半导体器件型号除以上根本组成部
16、格外,为进一步标明器件的特性,或对器件进一步分类,有时还加有后缀,后缀用破折号与根本局局部开。常见的后缀有以下几种。(1) 稳压二极管型号后缀的第一局部是一个字母,用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。其代表的意义如表 2-19。表 2-19 稳压二极管后缀字母的含义符号允许误差%A1B2C5D10E20后缀的其次局部是数字,表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值;后缀的第三局部是字母 V,代表小数点,字母 V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。(2) 整流二极管和可控硅型号的后缀是数字,表示其最大反向电压值,单位是伏。例如 BZY88-C9V1 表示标称稳压值是 9.1V、精度为5%
17、的硅稳压二极管;BTX64-200 表示反向耐压为 200V 的大功率可控硅;BU406D 表示大功率硅开关三极管。2.5.4 几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管型号极 限 参 数直 流 参 数交 流 参 数P (mW)CMICM(mA) V(BR)CEO(V) I (uA)CEOVCE(sat)(V)f (MHz)TC (pF)ob类型CS9011E F G H I300100180.050.328395472971326478961181446478961181503.5NPNCS9012E F G H150PNPCS9013E F G150NPN常用小功率半导体三极管
18、的特性见表 2-20。表 2-20 常用小功率半导体三极管特性600500250.50.6400500250.50.61446060300100180.050.3100150NPN200400310100180.050.56060100506PNPD400CS901631025200.050.32897500NPNCS9017310100120.050.528726002NPNCS9018310100120.050.52872700NPN8580501000150025100NPN3008550100015002585100PNPHCS9014 AB C DCS9015 ABC6000.720
19、01003002. 常用大功率三极管大功率三极管具有输出功率大、反向耐压高等特点,主要用于功率放大、电源变换、低频开关等电路中。常用的大功率三极管型号及特性如表 2-21 所示。型NPN号PNPP (W)极限参数I (A)U(V)直流参数沟通参数f (MHz)156026303表 2-21 常用大功率三极管的主要参数CMCM(BR)CEOM2N57582N6226100251002N57592N62271506120208012N57602N622814015602N60582N8053602N80582N8054100810004802N37132N3789602N37142N3790801
20、542N58322N622815010100251002N56332N6230120208012N56342N623114015602N62822N6285606075018k42N53032N5745140208015602002N62842N628716010075018k42N50312N4398402N50322N4399602N63272N633020030802N63282N63311002.5.5 半导体三极管的正确使用1. 半导体三极管的管脚判别在安装半导体三极管之前,首先搞清楚三极管的管脚排列。一方面可以通过查手册获得,另一方面也可利用电子仪器进展测量,下面讲一下利用万用表判
21、定三极管管脚的方法。首先判定 PNP 型和 NPN 型晶体管:用万用表的 R1kW或 R100W档,用黑表笔接三极管的任一管脚,用红表笔分别接其他两管脚。假设表针指示的两阻值均很大,那么黑表笔所接的那个管脚是 PNP 型管的基极;假设万用表指示的两个阻值均很小,那么黑表笔所接的管脚是 NPN 型的基极;假设表针指示的阻值一个很大,一个很小,那么黑表笔所接的管脚不是基极。需要换一个管脚重试,直到满足要求为止。进一步判定三极管集电极和放射极:首先假定一个管脚是集电极,另一个管脚是放射极;对 NPN 于型三极管,黑表笔接假定是集电极的管脚,红表笔接假定是放射极的管脚对于 PNP 型管,万用表的红、黑
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