太阳能发电原理及应用讲座3工艺[1].ppt
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1、第三章.晶体太阳电池制造工艺 光伏产业链一.硅材料制备工艺流程(西门子法)硅砂冶金硅三氯氢 硅多晶硅盐酸电炉焦碳还原 硅太阳电池制造过程 硅片制备n1.由硅砂到冶金硅n将石英砂放在大型电弧炉中,用焦碳进行还原。SiO2+2C Si+2CO 硅定期从炉中倒出,并用氧气或氧-氯 混合气体吹之以进一步提纯。然后倒入浅槽,逐渐凝固,便成冶金硅 (含硅97%-99%)n2.由冶金硅到三氯氢硅n 将冶金硅破碎成粉末,与盐酸在液化床上进行反应,得到三氯氢硅(TCS)。Si+3HCl SiHCl3+H2n3.由三氯氢硅到多晶硅n对三氯氢硅进行分馏,以达到超纯状态。n对超纯三氯氢硅用H2通过化学气相沉积(CVD
2、)方法还原成多晶硅。SiHCl3+H2 Si+3HCln4.多晶硅锭的制造n 由西门子法得到的多晶硅棒,因未掺杂等原因,不能直接用来制造太阳电池。n 将熔化的硅经过定向凝固后,即可获得掺杂均匀,晶粒较大,成纤维状的多晶硅铸锭。由硅砂到太阳电池组件n5.单晶硅棒的制造n(1)切克劳斯基(CZ)法n 在单晶炉中将硅熔化,并将籽晶引向融熔的硅液,然后一边旋转,一边提拉,融熔的硅就在同一方向定向凝固,得到单晶硅棒。n 掺杂可在熔化硅之前进行,利用许多杂质在硅凝固和熔化时的溶解度之差,使一些有害杂质浓集于底部,可以起到纯化作用。切氏(CZ)法和区溶(FZ)法制单晶n(2)区熔(FZ)法n 用水冷的高频线
3、圈环绕硅单晶棒,使硅棒内产生涡电流而自身加热,使硅棒局部熔化,出现浮区,及时缓慢移动高频线圈,同时硅棒旋转,使熔化的硅重新结晶。利用硅中杂质的分凝现象,提高了硅的纯度。反复移动高频线圈,可使得硅棒中段不断提纯。最后得到高纯的单晶硅棒。n5.带状晶体硅的制造n 定边喂膜(EFG)法n 与直拉方法相似,在坩埚中使融熔的硅从能润湿硅的模具狭缝中通过而引出单晶硅带。多晶硅片和硅带制备n6.非晶硅膜的制造n利用化学气相沉积(CVD)法或物理气相沉积(PVD)法,可以得到非晶硅膜。n(CVD)法有:热化学气相沉积法;辉光放电法;光化学气相沉积法。n(PVD)法有:溅射法;电子蒸发法。二.晶体硅电池片制造工
4、艺n 工艺流程硅片制备清洗腐蚀扩散制结去背结电极制备去边制减反膜烧结检测n2.硅片制备n 选择硅片时,要考虑硅材料的导电类型、电阻率、晶向、位错、少子寿命等。将符合要求的圆形单晶硅棒切割成厚度为0.2-0.4mm的硅片,并切去四边成方形。n 对于多晶硅锭先进行破锭,再按要求切片。n在经过切、磨、抛、及腐蚀等工序后,硅材料一般要损失60%左右。n3.表面清洗腐蚀n用有机溶剂(如甲苯等)初步去油,再用热硫酸作化学清洗,去除沾污的杂质。n在酸性或碱性腐蚀液中进行表面腐蚀,去除表面的切片机械损伤,每面大约腐蚀掉30-50 m。n再用王水或其他其它清洗液进行化学清洗。n每道工序后都要用高纯的去离子水冲洗
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